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公开(公告)号：WO2018080004A1
公开(公告)日：2018-05-03
申请号：PCT/KR2017/009588
申请日：2017-09-01
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L29/66 , H01L27/02 , H01L29/423 , H01L29/78
CPC classification number: H01L27/02 , H01L29/423 , H01L29/66 , H01L29/78
Abstract: 정방향 바이어스 전류를 이용한 전계 효과 트랜지스터의 게이트 절연막 손상을 복구하는 방법이 제공된다. 상기 게이트 절연막 손상을 복구하는 방법은, 기판, 상기 기판 내에 형성된 소스 및 드레인 영역, 상기 기판 내에, 상기 소스 영역과 상기 드레인 영역을 연결하도록 형성된 채널 영역, 상기 채널 영역 상에 형성된 게이트 절연막, 및 상기 게이트 절연막 상에 형성된 게이트 구조체를 포함하는 전계 효과 트랜지스터에 있어서, 상기 소스 영역과 상기 기판의 바디 사이에 제1 정방향 바이어스(forward bias) 전압을 인가하여 발생하는 제1 정방향 바이어스 전류에 의한 제1 줄열(joule heat)을 이용하거나, 상기 드레인 영역과 상기 기판의 바디 사이에 제2 정방향 바이어스 전압을 인가하여 발생하는 제2 정방향 바이어스 전류에 의한 제2 줄열을 이용하여, 상기 게이트 절연막에 발생한 손상을 치유한다.
Abstract translation: 提供了一种使用正向偏置电流修复对场效应晶体管的栅极绝缘膜的损伤的方法。 形成在衬底中的源极区和漏极区;形成在衬底中以连接源极区和漏极区的沟道区;形成在沟道区上的栅极绝缘膜; 在场效应晶体管，其包括形成在栅极绝缘膜上的栅极结构，第一焦耳热根据通过施加第一正向偏置产生的第一正向偏置电流（正向偏压）的电压在源极区和所述衬底的所述体之间施加 根据漏区和衬底的主体之间施加第二正向偏置电压产生的第二正向偏置电流（焦耳热）使用，或使用第二焦耳热，在栅极绝缘膜中产生损坏固化
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公开(公告)号：KR101838912B1
公开(公告)日：2018-03-15
申请号：KR1020160129674
申请日：2016-10-07
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L29/66 , H01L27/02 , H01L29/423 , H01L29/78
CPC classification number: H01L27/02 , H01L29/423 , H01L29/66 , H01L29/78 , H01L29/66954 , H01L27/0222 , H01L27/0285 , H01L29/4232
Abstract: 정방향바이어스전류를이용한전계효과트랜지스터의게이트절연막손상을복구하는방법이제공된다. 상기게이트절연막손상을복구하는방법은, 기판, 상기기판내에형성된소스및 드레인영역, 상기기판내에, 상기소스영역과상기드레인영역을연결하도록형성된채널영역, 상기채널영역상에형성된게이트절연막, 및상기게이트절연막상에형성된게이트구조체를포함하는전계효과트랜지스터에있어서, 상기소스영역과상기기판의바디사이에제1 정방향바이어스(forward bias) 전압을인가하여발생하는제1 정방향바이어스전류에의한제1 줄열(joule heat)을이용하거나, 상기드레인영역과상기기판의바디사이에제2 정방향바이어스전압을인가하여발생하는제2 정방향바이어스전류에의한제2 줄열을이용하여, 상기게이트절연막에발생한손상을치유한다.
Abstract translation: 提供了一种使用正向偏置电流修复场效应晶体管的栅极绝缘膜的损伤的方法。 形成在衬底中的源极区和漏极区;形成在衬底中以连接源极区和漏极区的沟道区;形成在沟道区上的栅极绝缘膜; 在场效应晶体管，包括形成在所述栅极绝缘膜上的栅极结构，第一焦耳热根据通过施加第一正向偏置产生的第一正向偏置电流（正向偏压）的电压在源极区和所述衬底的所述体之间施加 根据漏区和衬底的主体之间施加第二正向偏置电压产生的第二正向偏置电流（焦耳热）使用，或使用第二焦耳热，在栅极绝缘膜中产生损坏固化 的。
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公开(公告)号：KR1020170044440A
公开(公告)日：2017-04-25
申请号：KR1020150144144
申请日：2015-10-15
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L27/30 , H01L21/28 , H01L21/288 , H01L21/205 , H01L21/31 , H01L27/115
Abstract: 섬유기판을이용하는착용가능한메모리및 그제작방법이제시된다. 본발명에서제안하는섬유기판을이용하는착용가능한메모리는섬유물질로형성되는기판, 상기기판의상부에형성되는하부전극, 상기하부전극의상부에형성되는상부전극, 상기하부전극및 상기상부전극사이에배치되어, 상기하부전극및 상기상부전극사이에인가되는전계에따라전기적통로가생성또는소멸되는절연막을포함하고, 섬유물질로형성된상기기판에금속을도금하여격자형태로배열함으로써상기격자가메모리소자로서동작한다.
Abstract translation: 公开了一种使用纤维基底的可佩戴存储器及其制造方法。 所述上部电极之间，下部电极和上部电极是使用本发明中提出的纤维基材的可穿戴存储器包括在衬底上形成的下电极，所述基板由纤维材料形成，形成在下部电极的顶 布置，所述下电极和所述网格，通过在网格排列到板衬底上的金属和包括绝缘膜产生或破坏的上部电极，纤维材料的形成之间施加根据电场电通路的存储器装置 它作为一个。
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4.发明授权부유 기판구조를 갖는 MOS 트랜지스터에서 게이트 전압에 의존하는 반전전하층의 길이를 보정하여 정확한 진성 이동도를 추출하는 방법 및 장치 有权基于金属氧化物半导体晶体管的有效反相电荷的导电长度因子提取精确移动的MOS方法及其装置
公开(公告)号：KR101684149B1
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：KR1020150099657
申请日：2015-07-14
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 부유기판구조를갖는 MOS(Metal-Oxide-Semi conductor) 트랜지스터의진성이동도추출방법은게이트영역, 소스영역및 드레인영역을포함하는트랜지스터의게이트전압에따른상기트랜지스터의커패시턴스를측정하는단계; 상기측정된트랜지스터의커패시턴스를이용하여상기트랜지스터의게이트전압에따른채널영역에서의반전전하층의계수를획득하는단계; 상기획득된반전전하층의계수에기초하여상기채널영역에서의진성채널길이-상기게이트전압에의한채널전도성에따라, 상기소스영역및 상기드레인영역사이의채널영역중 커패시턴스가형성되는길이-를계산하는단계; 및상기계산된진성채널길이를이용하여진성이동도를추출하는단계를포함한다.
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公开(公告)号：KR101905445B1
公开(公告)日：2018-10-10
申请号：KR1020160051352
申请日：2016-04-27
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L27/12 , H01L29/786 , H01L21/324 , G02F1/1368 , H01L29/66 , H01L21/02
Abstract: 본발명에따른트랜지스터손상치료방법은, 2개의게이트전극을가지는복수의트랜지스터를포함하는디스플레이장치에서의트랜지스터손상치료방법으로, 상기복수의트랜지스터중 손상된트랜지스터를검출하는단계및 상기손상된트랜지스터의 2개의게이트전극에소정크기의전압을인가해상기손상된트랜지스터에줄열(joule heat)을발생시킴으로써손상을치료하는단계;를포함한다. 이에의하여, 디스플레이의사용중 불균일한소자공정에서야기된디스플레이용트랜지스터의손상치료가가능하므로, 심화된스트레스환경에서소자열화현상을매우짧은시간의전기적신호를이용해용이하게치료할수 있기때문에, 디스플레이의수명을획기적으로개선할수 있다. 아울러, 별도의추가적인회로나공정변경없이도트랜지스터의손상치료가가능하다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020180009587A
公开(公告)日：2018-01-29
申请号：KR1020160091492
申请日：2016-07-19
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L29/78
CPC classification number: H01L29/783 , H01L29/7815 , H01L29/7843 , H01L29/7846 , H01L29/7849
Abstract: 본발명에따른전계효과트랜지스터제어장치는, 전계효과트랜지스터및 컨트롤러를포함하고, 전계효과트랜지스터는, 기판상에형성된소스전극및 드레인전극, 소스전극및 드레인전극사이에형성된채널및, 채널상에형성된제1 게이트전극및 제2 게이트전극을포함하고, 컨트롤러는상기채널의위치, 상기제1 게이트전극에인가되는전압및 상기제2 게이트전극에인가되는전압중 적어도하나를조절하여상기전계효과트랜지스터의문턱전압을조절한다. 이에의하여, 게이트전극내에서발생하는전위분포를활용하여문턱전압을자유롭게조정할수 있기때문에, 다양한문턱전압을가진트랜지스터를구현할수 있다. 아울러, 문턱전압조정과정에서트랜지스터의누설전류가증가하거나동작전류의특성이저하되는일 없이, 게이트전극내에서발생하는전위분포를활용하기때문에, 플로팅바디구조의차세대트랜지스터에도적용이가능하며, 반도체공정을간소화시켜생산비용이절감된다.
Abstract translation: 根据本发明的控制装置的场效应晶体管，包括场效应晶体管，和一个控制器，所述场效应晶体管包括源极和漏极电极之间形成形成在基板和漏极电极上的源电极，形成在所述沟道上和信道 制品，其包括第一栅电极和第二栅电极，以及所述场效应晶体管的通过控制施加到所述电压和所述第二栅电极的电压中的至少一个，所述控制器在所述通道施加到位置时，第一栅电极 调整阈值电压。 因此，由于可以通过利用在栅电极中产生的电势分布来自由地调整阈值电压，所以可以实现具有各种阈值电压的晶体管。 另外，由于在阈值电压的调整处理的使用的晶体管的增加的漏电流的电势分布的，或者在栅电极而不使工作电流降低的特性产生的，它可以被应用于下一代浮体结构的晶体管，和一个半导体 该过程被简化并且生产成本降低。
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公开(公告)号：KR101823730B1
公开(公告)日：2018-01-31
申请号：KR1020150099661
申请日：2015-07-14
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L21/02
Abstract: 수용성기판을이용하는메모리는수용성물질로형성되는기판; 상기기판의상부에형성되는하부전극; 상기하부전극의상부에형성되는상부전극; 및상기하부전극및 상기상부전극사이에배치되어, 상기하부전극및 상기상부전극사이에인가되는전계에따라전기적통로가생성또는소멸되는절연막을포함한다.
Abstract translation: 其中该存储器是使用可溶性底物的水溶性材料形成的基板; 形成在基板上的下电极; 形成在下电极上的上电极; 和下电极，并且设置在上部电极，下部电极和所述绝缘膜是按照生产或熄灭所述上部电极之间施加的电场的电通路之间。
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公开(公告)号：KR101821861B1
公开(公告)日：2018-01-25
申请号：KR1020150144144
申请日：2015-10-15
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L27/30 , H01L21/28 , H01L21/288 , H01L21/205 , H01L21/31 , H01L27/115
Abstract: 섬유기판을이용하는착용가능한메모리및 그제작방법이제시된다. 본발명에서제안하는섬유기판을이용하는착용가능한메모리는섬유물질로형성되는기판, 상기기판의상부에형성되는하부전극, 상기하부전극의상부에형성되는상부전극, 상기하부전극및 상기상부전극사이에배치되어, 상기하부전극및 상기상부전극사이에인가되는전계에따라전기적통로가생성또는소멸되는절연막을포함하고, 섬유물질로형성된상기기판에금속을도금하여격자형태로배열함으로써상기격자가메모리소자로서동작한다.
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公开(公告)号：KR101835613B1
公开(公告)日：2018-03-08
申请号：KR1020160091492
申请日：2016-07-19
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L29/78
Abstract: 본발명에따른전계효과트랜지스터제어장치는, 전계효과트랜지스터및 컨트롤러를포함하고, 전계효과트랜지스터는, 기판상에형성된소스전극및 드레인전극, 소스전극및 드레인전극사이에형성된채널및, 채널상에형성된제1 게이트전극및 제2 게이트전극을포함하고, 컨트롤러는상기채널의위치, 상기제1 게이트전극에인가되는전압및 상기제2 게이트전극에인가되는전압중 적어도하나를조절하여상기전계효과트랜지스터의문턱전압을조절한다. 이에의하여, 게이트전극내에서발생하는전위분포를활용하여문턱전압을자유롭게조정할수 있기때문에, 다양한문턱전압을가진트랜지스터를구현할수 있다. 아울러, 문턱전압조정과정에서트랜지스터의누설전류가증가하거나동작전류의특성이저하되는일 없이, 게이트전극내에서발생하는전위분포를활용하기때문에, 플로팅바디구조의차세대트랜지스터에도적용이가능하며, 반도체공정을간소화시켜생산비용이절감된다.
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