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公开(公告)号：KR102231772B1
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：KR1020207021456A
申请日：2008-10-16
IPC: H04N19/50 , H04N19/503 , H04N19/513 , H04N19/593
CPC classification number: H04N19/55 , H04N19/50 , G06F1/00 , G06K9/00 , H04N19/00 , H04N19/11 , H04N19/132 , H04N19/139 , H04N19/147 , H04N19/176 , H04N19/182 , H04N19/19 , H04N19/503 , H04N19/51 , H04N19/513 , H04N19/52 , H04N19/56 , H04N19/593 , H04N19/70 , H04N19/80
Abstract: 본 발명의 비디오 신호의 디코딩 방법에 따르면, 예측 모드 정보, 인터폴레이팅 정보, 및 현재 블록의 레지듀얼을 수신하는 단계; 상기 인터폴레이팅 정보와 주변 블록을 이용하여 인터폴레이팅 픽셀을 복원하는 단계; 및 상기 인터폴레이팅 픽셀, 상기 예측 모드 정보, 및 상기 레지듀얼을 이용하여 현재 블록을 복원하는 단계를 포함하며, 상기 인터폴레이팅 정보는 상기 현재 블록의 위치를 기초로 생성되는 것이 개시된다.
본 발명의 비디오 신호 처리 방법 및 장치에 따르면, 인터폴레이팅 정보에 기초하여 인터폴레이팅 픽셀을 복원하여 이용함으로써, 인코딩시 화면의 경계 영역에 위치하는 현재 블록에서 이용가능한 인트라 예측 모드가 한정되었던 종래의 방법을 개선하여, 높은 복원율을 가질 수 있게 된다.-
公开(公告)号：KR20210033553A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：KR1020217008174A
申请日：2008-10-16
IPC: H04N19/50 , H04N19/503 , H04N19/513 , H04N19/593
CPC classification number: H04N19/55 , H04N19/50 , G06F1/00 , G06K9/00 , H04N19/00 , H04N19/11 , H04N19/132 , H04N19/139 , H04N19/147 , H04N19/176 , H04N19/182 , H04N19/19 , H04N19/503 , H04N19/51 , H04N19/513 , H04N19/52 , H04N19/56 , H04N19/593 , H04N19/70 , H04N19/80
Abstract: 본 발명의 비디오 신호의 디코딩 방법에 따르면, 예측 모드 정보, 인터폴레이팅 정보, 및 현재 블록의 레지듀얼을 수신하는 단계; 상기 인터폴레이팅 정보와 주변 블록을 이용하여 인터폴레이팅 픽셀을 복원하는 단계; 및 상기 인터폴레이팅 픽셀, 상기 예측 모드 정보, 및 상기 레지듀얼을 이용하여 현재 블록을 복원하는 단계를 포함하며, 상기 인터폴레이팅 정보는 상기 현재 블록의 위치를 기초로 생성되는 것이 개시된다.
본 발명의 비디오 신호 처리 방법 및 장치에 따르면, 인터폴레이팅 정보에 기초하여 인터폴레이팅 픽셀을 복원하여 이용함으로써, 인코딩시 화면의 경계 영역에 위치하는 현재 블록에서 이용가능한 인트라 예측 모드가 한정되었던 종래의 방법을 개선하여, 높은 복원율을 가질 수 있게 된다.-
公开(公告)号：WO2019245106A1
公开(公告)日：2019-12-26
申请号：PCT/KR2018/010880
申请日：2018-09-17
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L27/11556 , H01L27/11524 , H01L27/11529 , H01L27/11582 , H01L27/1157 , H01L27/11573
Abstract: 셀 신뢰성 향상을 위한 수직 집적형 삼차원 플래시메모리 및 그 제조 방법이 개시된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 수직 집적형 삼차원 플래시메모리는 기판 상에 제1 절연층과 제2 절연층을 순차적으로 적층하여 복수의 절연층들을 형성하는 단계; 상기 기판의 일부 영역이 노출되도록 상기 복수의 절연층들의 일부 영역을 식각하는 단계; 상기 식각된 상기 복수의 절연층들의 측면 상부와 상기 기판 상부에 채널층을 형성하는 단계; 상기 채널층 상부에 제1 마카로니층을 형성하는 단계; 및 측면과 하부면이 상기 제1 마카로니층에 둘러싸이도록 상기 제1 마카로니층 상부에 제2 마카로니층을 형성하는 단계를 포함한다.
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公开(公告)号：WO2018080004A1
公开(公告)日：2018-05-03
申请号：PCT/KR2017/009588
申请日：2017-09-01
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L29/66 , H01L27/02 , H01L29/423 , H01L29/78
CPC classification number: H01L27/02 , H01L29/423 , H01L29/66 , H01L29/78
Abstract: 정방향 바이어스 전류를 이용한 전계 효과 트랜지스터의 게이트 절연막 손상을 복구하는 방법이 제공된다. 상기 게이트 절연막 손상을 복구하는 방법은, 기판, 상기 기판 내에 형성된 소스 및 드레인 영역, 상기 기판 내에, 상기 소스 영역과 상기 드레인 영역을 연결하도록 형성된 채널 영역, 상기 채널 영역 상에 형성된 게이트 절연막, 및 상기 게이트 절연막 상에 형성된 게이트 구조체를 포함하는 전계 효과 트랜지스터에 있어서, 상기 소스 영역과 상기 기판의 바디 사이에 제1 정방향 바이어스(forward bias) 전압을 인가하여 발생하는 제1 정방향 바이어스 전류에 의한 제1 줄열(joule heat)을 이용하거나, 상기 드레인 영역과 상기 기판의 바디 사이에 제2 정방향 바이어스 전압을 인가하여 발생하는 제2 정방향 바이어스 전류에 의한 제2 줄열을 이용하여, 상기 게이트 절연막에 발생한 손상을 치유한다.
Abstract translation: 提供了一种使用正向偏置电流修复对场效应晶体管的栅极绝缘膜的损伤的方法。 形成在衬底中的源极区和漏极区;形成在衬底中以连接源极区和漏极区的沟道区;形成在沟道区上的栅极绝缘膜; 在场效应晶体管，其包括形成在栅极绝缘膜上的栅极结构，第一焦耳热根据通过施加第一正向偏置产生的第一正向偏置电流（正向偏压）的电压在源极区和所述衬底的所述体之间施加 根据漏区和衬底的主体之间施加第二正向偏置电压产生的第二正向偏置电流（焦耳热）使用，或使用第二焦耳热，在栅极绝缘膜中产生损坏固化
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公开(公告)号：WO2017217620A1
公开(公告)日：2017-12-21
申请号：PCT/KR2016/014134
申请日：2016-12-02
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L29/78 , H01L21/324 , H01L29/423 , H01L21/66
Abstract: 본 발명에 따른 전계효과 트랜지스터의 손상복구 시스템은 기판, 기판 상에 형성된 소스 및 드레인, 소스 및 드레인 사이에 형성된 채널, 채널에 형성된 절연막 및 절연막 상에 형성된 2개의 게이트 전극을 포함하는 전계효과 트랜지스터 및 2개의 게이트 전극에 소정 범위의 전압을 인가해 줄열(joule heat)을 발생시킴으로써 절연막의 손상을 복구시키는 컨트롤러를 포함한다. 이에 의하여, 방사선에 의한 손상을 스스로 복구할 수 있기 때문에, 방사선 환경에서 동작하는 트랜지스터의 수명을 획기적으로 연장할 뿐만 아니라, 오작동을 감소시키고, 동작시간을 연장시킬 수 있게 된다. 이는 위성산업, 우주산업, 국방산업 등에 소요되는 경제비용의 감축으로 이어질 수 있다.
Abstract translation:
2个栅极上的绝缘膜和形成在通道上的绝缘膜被形成根据本发明的场效应晶体管的这个灾难恢复系统，在基板上形成该基板，源极和一漏极，一源极和漏极之间限定的通道 焦耳热通过对场效应晶体管，并包括通过生成（焦耳热）以及控制器，其修复绝缘膜的损伤的电极上的第二栅电极施加预定范围的电压。 以这种方式，有可能自修复由辐射引起的损伤，以及对显著延伸在辐射环境中操作的晶体管的寿命，并且减少误动作，能够延长运行时间。 这可以降低卫星，太空和国防工业的经济成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：WO2018174377A1
公开(公告)日：2018-09-27
申请号：PCT/KR2017/014455
申请日：2017-12-11
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L29/66 , H01L29/06 , H01L29/16 , H01L51/00 , H01L29/739
CPC classification number: H01L29/0673 , H01L29/1606 , H01L29/66356 , H01L29/7391 , H01L51/0048
Abstract: 터널링 전계효과 트랜지스터의 제조 방법 및 초 저전력 전열처리를 통한 터널링 전계효과 트랜지스터의 구동전류를 향상시키는 방법이 제공된다. 상기 터널링 전계효과 트랜지스터의 구동전류를 향상시키는 방법은, (a) 게이트 전극을 턴오프(turn off) 시키는 단계, (b) 소스 전극과 드레인 전극 사이에 전류를 인가하여 터널링 전계효과 트랜지스터에 전열처리를 수행하는 단계, 및 (c) 소스 전극과 드레인 전극에 주입된 이온을 활성화 시키는 단계를 포함한다.
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公开(公告)号：KR102231772B1
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：KR1020207021456
申请日：2008-10-16
IPC: H04N19/50 , H04N19/513 , H04N19/503 , H04N19/593
Abstract: 본발명의비디오신호의디코딩방법에따르면, 예측모드정보, 인터폴레이팅정보, 및현재블록의레지듀얼을수신하는단계; 상기인터폴레이팅정보와주변블록을이용하여인터폴레이팅픽셀을복원하는단계; 및상기인터폴레이팅픽셀, 상기예측모드정보, 및상기레지듀얼을이용하여현재블록을복원하는단계를포함하며, 상기인터폴레이팅정보는상기현재블록의위치를기초로생성되는것이개시된다. 본발명의비디오신호처리방법및 장치에따르면, 인터폴레이팅정보에기초하여인터폴레이팅픽셀을복원하여이용함으로써, 인코딩시화면의경계영역에위치하는현재블록에서이용가능한인트라예측모드가한정되었던종래의방법을개선하여, 높은복원율을가질수 있게된다.
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公开(公告)号：KR102203339B1
公开(公告)日：2021-01-15
申请号：KR1020180084206
申请日：2018-07-19
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L23/373 , H01L23/467
Abstract: 고열전도율을지닌유연소재의제작및 이를활용한칩의냉각방법이개시된다. 일실시예에따르면, 칩의방열을위한방열소재는고체방열물질및 액체유연물질이기 설정된비율로혼합되어형성되며, 이때, 고체방열물질및 액체유연물질이혼합되는비율은상기방열소재가갖게되는열 전도율및 상기방열소재가상기칩에부착되는접착성에기초하여적응적으로조절될수 있다.
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公开(公告)号：KR102144171B1
公开(公告)日：2020-08-12
申请号：KR1020180109513
申请日：2018-09-13
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L27/11556 , H01L27/11524 , H01L27/11529 , H01L27/11582 , H01L27/1157 , H01L27/11573
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