公开(公告)号：KR1020170067509A

公开(公告)日：2017-06-16

申请号：KR1020150174252

申请日：2015-12-08

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 최양규 ,  박준영 ,  이병현 ,  안대철

IPC: H01L27/108 ,  H01L29/06 ,  H01L29/41 ,  H01L21/02

Abstract: 본발명에따른다중비트커패시터리스디램은기판, 상기기판상에형성된소스및 드레인, 상기기판상에형성된복수의나노와이어채널, 상기복수의나노와이어채널에형성된게이트절연막및 상기게이트절연막상에형성된게이트를포함하고, 상기복수의나노와이어채널중 2개이상의나노와이어채널은서로다른문턱전압을가진다. 이에의하여, 상기구성을가진본 발명에따른커패시터리스디램및 그제조방법에의하면, 다중비트로동작할수 있는고집적도의다중비트커패시터리스디램을구현할수 있다.

Abstract translation: 在根据位无电容器动态随机存取存储器的，本发明在基板上形成，形成在基板上的源极，和漏极，所述栅极绝缘膜和形成在所述多个纳米线沟道的栅极绝缘膜，其特征在于，在基板上形成多个纳米线信道，所述栅极 其中多个纳米线沟道中的至少两个具有不同的阈值电压。 以这种方式，在无电容器动态随机存取存储器及其制造根据具有上述结构的本发明的相同的方法，可以实现多比特操作是高度集成的多比特无电容器DRAM那。

公开(公告)号：KR101731183B1

公开(公告)日：2017-04-28

申请号：KR1020150149202

申请日：2015-10-27

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 최양규 ,  안대철 ,  허재 ,  박준영 ,  문동일

IPC: H01L27/115 ,  H01L27/095 ,  H01L29/08

Abstract: 빠른메모리동작속도와더불어자가치유를하는메모리소자의구조및 구동방법에관한것이다. 메모리소자에있어서, 기판; 부유게이트; 상기기판의양단의소정영역에소스및 드레인; 상기소스및 드레인사이에형성되는채널영역; 상기채널영역의기판과부유게이트사이에형성된터널링절연막; 및상기메모리소자의지우기동작구간에서상기부유게이트에존재하는전자가방출되도록상기부유게이트를가열하기위한가열구조를포함할수 있다.

公开(公告)号：KR1020180091143A

公开(公告)日：2018-08-16

申请号：KR1020170015936

申请日：2017-02-06

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 최양규 ,  안대철 ,  김명수

IPC: G11C16/10 ,  G11C16/04 ,  G11C16/16 ,  H01L27/115

Abstract: 비휘발성메모리소자는기판, 전하저장영역, 채널영역, 터널링절연층, 게이트구조물및 전위인가구조물을포함한다. 전하저장영역은기판상에형성된다. 채널영역은전하저장영역과인접하여형성된다. 터널링절연층은전하저장영역과채널영역사이에형성된다. 게이트구조물은전하저장영역을가열한다. 전위인가구조물은채널영역에전위를인가한다. 게이트구조물을이용하여기준온도이상의줄 열(Joule heat)을전하저장영역에인가하고, 전위인가구조물을이용하여기준전위이상의양 전위를채널영역에인가하여, 전하저장영역에저장된적어도하나의전하를방출시키는데이터소거동작을수행한다.

公开(公告)号：KR101917717B1

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：KR1020170015936

申请日：2017-02-06

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 최양규 ,  안대철 ,  김명수

IPC: G11C16/10 ,  G11C16/04 ,  G11C16/16 ,  H01L27/115

Abstract: 비휘발성메모리소자는기판, 전하저장영역, 채널영역, 터널링절연층, 게이트구조물및 전위인가구조물을포함한다. 전하저장영역은기판상에형성된다. 채널영역은전하저장영역과인접하여형성된다. 터널링절연층은전하저장영역과채널영역사이에형성된다. 게이트구조물은전하저장영역을가열한다. 전위인가구조물은채널영역에전위를인가한다. 게이트구조물을이용하여기준온도이상의줄 열(Joule heat)을전하저장영역에인가하고, 전위인가구조물을이용하여기준전위이상의양 전위를채널영역에인가하여, 전하저장영역에저장된적어도하나의전하를방출시키는데이터소거동작을수행한다.

公开(公告)号：KR101835612B1

公开(公告)日：2018-03-08

申请号：KR1020150174252

申请日：2015-12-08

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 최양규 ,  박준영 ,  이병현 ,  안대철

IPC: H01L27/108 ,  H01L29/06 ,  H01L29/41 ,  H01L21/02

Abstract: 본발명에따른다중비트커패시터리스디램은기판, 상기기판상에형성된소스및 드레인, 상기기판상에형성된복수의나노와이어채널, 상기복수의나노와이어채널에형성된게이트절연막및 상기게이트절연막상에형성된게이트를포함하고, 상기복수의나노와이어채널중 2개이상의나노와이어채널은서로다른문턱전압을가진다. 이에의하여, 상기구성을가진본 발명에따른커패시터리스디램및 그제조방법에의하면, 다중비트로동작할수 있는고집적도의다중비트커패시터리스디램을구현할수 있다.