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公开(公告)号：KR100993486B1
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：KR1020080045932
申请日：2008-05-19
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 본 발명은 스캔방식의 모아레 패턴을 이용한 대면적의 고정밀 3차원 측정시스템 및 그 측정방법에 관한 것으로, 대상물을 일정두께의 구획평면으로 구획하고, 각 구획평면에 형성된 빔주름무늬로부터 단층이미지를 촬영하여 이를 기준빔주름무늬와 겹쳐 모아레 패턴을 얻은 다음, 이 모아레 패턴을 조합하여 3차원 이미지를 생성함으로써, 분해능이 우수하면서도 넓은 영역을 측정할 수 있는 스캔방식의 모아레 패턴을 이용한 대면적의 고정밀 3차원 측정시스템 및 그 측정방법을 제공하는데 그 목적이 있다. 이를 해결하기 위한 수단으로서 본 발명에 따르는 모아레 패턴을 이용한 3차원 측정시스템은, 레이저빔을 생성하는 빔생성부(10); 대상물(100)의 전체 크기에 형성된 가상의 격자에 대하여, 스캔방식으로 레이저빔을 연속적으로 조사하는 빔조사부(20); 빔조사부(20)에 대향되게 설치되고, 초기위치가 설정된 대상물(100)을 빔조사부(20)와 수직 방향(Z축)으로 이송시켜 주는 3축이송부(30); 빔조사부(20)로부터 미리 설정된 측정거리(F)상에서 구획된 대상물(100)의 각 구획평면(Z1~Zn)에 대하여, 레이저빔과 촛점이 맞는 격자에 형성된 빔주름무늬(P1~Pn)를 촬영하는 이미지촬영수단(40); 및 각 구획평면(Z1~Zn)에 대하여, 이미지촬영수단(40)으로부터 촬영된 빔주름무늬(P1~Pn)로부터 각각 단층이미지(SI1~SIn)을 형성하고, 각 단층이미지(SI1~SIn)와 미리 촬영된 기준빔주름무늬(SP)로부터 각각의 모아레 패턴(MP1~MPn)을 형성하며, 각 모아레 패턴(MP1~MPn)에 대한 3차원 높이지도(HM1~HMn)를 형성한 다음, 대상물(100)의 3차원 이미지(Img)를 형성하는 이미지 생성수단(50);을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다.
모아레 패턴, 3차원 이미지, 빔주름무늬-
公开(公告)号：KR1020040094550A
公开(公告)日：2004-11-10
申请号：KR1020030028409
申请日：2003-05-03
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: PURPOSE: A digital watermarking method using gene information and a method for certifying a digital watermark are provided to enable construction of a reliable personal certification system by using gene information of a human body. CONSTITUTION: A recognizable gene DNA(Deoxyribo Nucleic Acid) attribute is converted into a band pattern(100) in order to code the gene information of a person. Binary data is extracted from the band pattern and a sequence is made by using the binary data. The digital watermark is made by converting the sequence. The digital watermark is embedded into a medium.
Abstract translation: 目的：提供使用基因信息的数字水印方法和用于认证数字水印的方法，以通过使用人体的基因信息构建可靠的个人认证系统。 构成：将可识别的基因DNA（脱氧核糖核酸）属性转化为条带模式（100），以便编码人的基因信息。 从频带图案中提取二进制数据，并通过使用二进制数据进行序列化。 数字水印通过转换序列来进行。 数字水印嵌入到介质中。
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公开(公告)号：KR100279910B1
公开(公告)日：2001-02-01
申请号：KR1019980007160
申请日：1998-03-04
Applicant: 한국과학기술원
IPC: C12N1/20
Abstract: 본 발명은 상온 및 상압의 조건하에서 석유 혹은 석탄과 같은 화석연료내에 존재하는 황을 함유하고 있는 유기탄소물질로부터 탄소간의 결합은 파괴하지 않고, 탄소와 황 사이의 결합만을 파괴하여 황을 선택적으로 제거할 수 있는 노카디아 CYKS2(KCTC 0432BP) 균주 및 이를 이용한 생물학적 탈황방법에 관한 것이다. 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 제공되는 유기황 화합물 산화세균인 노카디아 균주는 유기황 화합물인 디벤조티오펜을 위시한 여러 종류의 유기황 화합물들을 유일황원으로 이용할 수 있고, 화석원료내의 유기황 화합물을 탈황시킬 수 있는 특징을 갖는다. 본 발명의 노카디아 CYKS2 균주를 이용하면, 종래의 화학적 탈황방법에 비하여 장치비와 운전비 등을 절감할 수 있으며, 특히 화학적 탈황방법으로는 제거가 어려운 디벤조티오펜 이상의 복잡한 구조를 가지는 유기황 화합물까지도 비교적 용이하게 탈황이 가능하다는 잇점이 있다.
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公开(公告)号：KR100279909B1
公开(公告)日：2001-02-01
申请号：KR1019980007159
申请日：1998-03-04
Applicant: 한국과학기술원
IPC: C12N1/20
Abstract: 본 발명은 상온 및 상압의 조건하에서 석유 혹은 석탄과 같은 화석연료내에 존재하는 황을 함유하고 있는 유기탄소물질로부터 탄소간의 결합은 파괴하지 않고, 탄소와 황 사이의 결합만을 파괴하여 황을 선택적으로 제거할 수 있는 고도나 CYKS1(KCTC 0431BP) 균주 및 이를 이용한 생물학적 탈황방법에 관한 것이다. 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 제공되는 유기황 화합물 산화세균인 고도나 균주는 유기황 화합물인 디벤조티오펜을 위시한 여러 종류의 유기황 화합물들을 유일황원으로 이용할 수 있고, 화석원료내의 유기황 화합물을 탈황시킬 수 있는 특징을 갖는다. 본 발명의 고도나 CYKS1 균주를 이용하면, 종래의 화학적 탈황방법에 비하여 장치비와 운전비 등을 절감할 수 있으며, 특히 화학적 탈황방법으로는 제거가 어려운 디벤조티오펜 이상의 복잡한 구조를 가지는 유기황 화합물까지도 비교적 용이하게 탈황이 가능하다는 잇점이 있다.
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5.发明公开
公开(公告)号：KR1019990073910A
公开(公告)日：1999-10-05
申请号：KR1019980007160
申请日：1998-03-04
Applicant: 한국과학기술원
IPC: C12N1/20
Abstract: 본 발명은 상온 및 상압의 조건하에서 석유 혹은 석탄과 같은 화석연료내에 존재하는 황을 함유하고 있는 유기탄소물질로부터 탄소간의 결합은 파괴하지 않고, 탄소와 황 사이의 결합만을 파괴하여 황을 선택적으로 제거할 수 있는 노카디아 CYKS2(KCTC 0432BP) 균주 및 이를 이용한 생물학적 탈황방법에 관한 것이다. 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 제공되는 유기황 화합물 산화세균인 노카디아 균주는 유기황 화합물인 디벤조티오펜을 위시한 여러 종류의 유기황 화합물들을 유일황원으로 이용할 수 있고, 화석원료내의 유기황 화합물을 탈황시킬 수 있는 특징을 갖는다. 본 발명의 노카디아 CYKS2 균주를 이용하면, 종래의 화학적 탈황방법에 비하여 장치비와 운전비 등을 절감할 수 있으며, 특히 화학적 탈황방법으로는 제거가 어려운 디벤조티오펜 이상의 복잡한 구조를 가지는 유기황 화합물까지도 비교적 용이하게 탈황이 가능하다는 잇점이 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019990073909A
公开(公告)日：1999-10-05
申请号：KR1019980007159
申请日：1998-03-04
Applicant: 한국과학기술원
IPC: C12N1/20
Abstract: 본 발명은 상온 및 상압의 조건하에서 석유 혹은 석탄과 같은 화석연료내에 존재하는 황을 함유하고 있는 유기탄소물질로부터 탄소간의 결합은 파괴하지 않고, 탄소와 황 사이의 결합만을 파괴하여 황을 선택적으로 제거할 수 있는 고도나 CYKS1(KCTC 0431BP) 균주 및 이를 이용한 생물학적 탈황방법에 관한 것이다. 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 제공되는 유기황 화합물 산화세균인 고도나 균주는 유기황 화합물인 디벤조티오펜을 위시한 여러 종류의 유기황 화합물들을 유일황원으로 이용할 수 있고, 화석원료내의 유기황 화합물을 탈황시킬 수 있는 특징을 갖는다. 본 발명의 고도나 CYKS1 균주를 이용하면, 종래의 화학적 탈황방법에 비하여 장치비와 운전비 등을 절감할 수 있으며, 특히 화학적 탈황방법으로는 제거가 어려운 디벤조티오펜 이상의 복잡한 구조를 가지는 유기황 화합물까지도 비교적 용이하게 탈황이 가능하다는 잇점이 있다.
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公开(公告)号：KR101550596B1
公开(公告)日：2015-09-08
申请号：KR1020090097774
申请日：2009-10-14
CPC classification number: H01M8/248 , Y10T24/318
Abstract: 본발명의예시적인실시예에따른연료전지스택은, ⅰ)다수의단위셀들을연속적으로배치하여이루어지는전기발생집합체와, ⅱ)상기전기발생집합체의양측에각각밀착되게배치되는엔드플레이트와, ⅲ)상기엔드플레이트들을강선로프로서체결하며상기전기발생집합체를상기강선로프의장력으로서가압하고, 상기강선로프의길이및 장력조절이가능하게구성되는체결장치를포함한다.
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公开(公告)号：KR101233096B1
公开(公告)日：2013-02-14
申请号：KR1020090057443
申请日：2009-06-26
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L21/027
Abstract: 본 발명에 따른 패턴 전사방법은, 몰드 표면에, 소정 간격으로 이격되고, 그 내벽이 소정 각도를 가지는 복수의 홈을 형성하여, 홈 사이의 볼록한 영역과 홈의 오목한 영역이 번갈아 형성되는 홈 형성단계, 볼록한 영역 및 오목한 영역 상에 그 위에 형성되는 층이 분리되도록 도와주는 이형층을 형성하는 이형층 형성단계, 이형층 상에 패턴 재료를 증착시킨 패턴 재료층을 형성하는 패턴 재료층 형성단계, 패턴 재료층과 접착제가 코팅된 제1 기판을 서로 맞대어 가압하고, 패턴 재료층과 제1 기판을 서로 떼어내어, 볼록한 영역 상의 이형층 상에 증착된 패턴 재료를 제거하는 패턴 재료 제거단계, 패턴 재료층과 제2 기판을 서로 맞대어 가압하고, 서로 맞대어진 상태에 레이저 광을 조사하여, 오목한 영역 상의 이형층 상에 증착된 패턴 재료를 제2 기판상으로 전사하는 패턴 재료 전사단계를 포함하고, 홈 형성단계는 몰드 표면에 형성된 홈의 내벽 사이의 거리가 몰드 내부로 들어갈수록 짧아지고, 패턴 재료 제거단계는, 패턴 재료층과 접착제가 코팅된 제1 기판을 서로 맞대어 가압하고, 서로 맞대어진 상태에 제1 기판 하부에 위치된 핫 플레이트에 의하여 열을 가한 후, 패턴 재료층과 제1 기판을 서로 떼어내어, 볼록한 영역 상의 이형층 상에 증착된 패턴 재료를 제거하고, 접착제는, 열 경화 폴리머(Heat curable polymer)이다.
몰드, 포토레지스트, 패턴 재료, 이형층-
公开(公告)号：KR1019940019856A
公开(公告)日：1994-09-15
申请号：KR1019930002478
申请日：1993-02-23
Applicant: 한국과학기술원
IPC: C12N1/20
Abstract: 본 발명은 피멜로박터(Pimelobacter)속에 속하며 피리딘 분해능을 갖는 균주(KCTC 0074BP)를 제공한다. 이 균주는 피리딘 분해능이 우수하며, 폐수중에 존재할 수도 있는 여러 유기물질의 존재하에서도 우수한 피리딘 분해능을 나타내며, 그외 다른 난분해성 물질도 분해할 수 있다. 본 발명은 또한 상기 미생물을 이용하여 피리딘-함유 폐수를 처리하여 피리딘을 제거하는 방법을 제공한다.
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公开(公告)号：KR100483957B1
公开(公告)日：2005-04-19
申请号：KR1020030032344
申请日：2003-05-21
Applicant: 한국과학기술원
IPC: G05B19/18
Abstract: 본 발명은 불완전한 다면체망의 오프셋 보정방법에 관한 것으로서, 컴퓨터를 이용한 다면체망의 오프셋에 있어서, 꼭지점 공유법칙, 모서리 공유법칙 등을 만족하지 않는 불완전한 다면체망의 꼭지점과 모서리를 불완전 꼭지점과 불완전 모서리로 구분하는 과정과 불완전한 꼭지점에는 반구, 불완전한 모서리에는 반원통을 추가하고 다면체는 꼭지점을 법선 방향으로 이동해 오프셋하는 과정과 오프셋 후 불필요한 다면체의 제거방법으로 높이 비교를 통해 다른 다면체 아래에 있는 다면체를 제거하는 과정을 특징으로 한다. CAD 시스템에서 만들어 지는 다면체망이 대부분 불완전한 망임을 감안할 때 본 발명의 방법을 이용할 경우 모든 다면체망에 대해 빠르고 안정적인 오프셋이 가능하다.
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