公开(公告)号：KR1020080092603A

公开(公告)日：2008-10-16

申请号：KR1020070036124

申请日：2007-04-12

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 최양규 ,  이현진 ,  류승완 ,  김청진 ,  이희목 ,  전상철 ,  오재섭 ,  이기성

IPC: H01L27/108 ,  H01L27/115 ,  B82Y10/00

CPC classification number: H01L27/11551 ,  H01L21/28273 ,  H01L27/10823

Abstract: A nonvolatile DRAM(Dynamic Random Access Memory) cell with a 3-dimensional all-around gate structure, and a method for manufacturing and driving the same are provided to implement DRAM without using a capacitor through a natural floating body effect and to secure an excellent short channel effect and a punchthrough effect by forming the all-around gate structure for completely enclosing the whole surface with a gate. A nonvolatile memory unit encloses the whole surface of a part that becomes a channel of a semiconductor pillar. A gate(106) encloses the nonvolatile memory unit. A source and a drain(109,110) are respectively formed on a left and a right of the channel of the semiconductor pillar. A dielectric(101) is formed on a substrate(100). The semiconductor pillar is in parallel with the dielectric. The gate is formed on the gate. The nonvolatile memory unit includes a tunneling dielectric(103), a floating gate(104), and a control dielectric(105). The tunneling dielectric encloses the whole surface of the semiconductor pillar. The floating gate encloses the tunneling dielectric. The control dielectric encloses the floating gate.

Abstract translation: 提供具有三维全方位栅极结构的非易失性DRAM（动态随机存取存储器）单元及其制造和驱动方法，以通过自然浮体效应实现DRAM而不使用电容器并确保优异的 短沟道效应和穿透效果，通过形成用于用栅极完全包围整个表面的全面栅极结构。 非易失性存储器单元包围成为半导体柱的通道的部件的整个表面。 门（106）包围非易失性存储单元。 源极和漏极（109,110）分别形成在半导体柱的沟道的左侧和右侧。 电介质（101）形成在基板（100）上。 半导体柱与电介质平行。 门形成在门上。 非易失性存储器单元包括隧道电介质（103），浮动栅极（104）和控制电介质（105）。 隧道电介质围绕半导体柱的整个表面。 浮动栅极包围隧道电介质。 控制电介质包围浮动栅极。

公开(公告)号：KR100871832B1

公开(公告)日：2008-12-03

申请号：KR1020070036124

申请日：2007-04-12

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 최양규 ,  이현진 ,  류승완 ,  김청진 ,  이희목 ,  전상철 ,  오재섭 ,  이기성

IPC: H01L27/108 ,  H01L27/115 ,  B82Y10/00

Abstract: 본 발명은 3차원 전면 게이트 구조를 갖는 비휘발성 디램 셀과 그 제조방법 및 그 구동방법에 관한 것이다.
이러한 본 발명에 따른 3차원 전면 게이트 구조를 갖는 비휘발성 디램 소자는 반도체기둥, 반도체기둥의 채널이 되는 부분의 전면을 둘러싸도록 형성되고, 반도체기둥의 전면을 둘러싸는 터널링절연막, 터널링절연막을 둘러싸는 부유게이트 및 부유게이트를 둘러싸는 제어절연막을 포함하는 비휘발성 메모리부, 비휘발성 메모리부를 둘러싼 게이트 및 반도체기둥의 채널 좌우에 각각 형성된 소오스와 드레인을 포함한다.
이러한 본 발명에 따르면, 전원공급이 중단되더라도 비휘발성 메모리 소자와 같이 단위 셀 안에 저장된 데이터를 유지할 수 있고, 전원공급시에는 디램 소자와 같이 고속으로 동작할 수 있는 전면게이트 구조의 비휘발성 디램 소자와 그 제조방법 및 그 구동방법을 제공하는 효과가 있다.
비휘발성 메모리(Non-Volatile Memory), 디램(DRAM-Dynamic Random Access Memory), 부유 게이트(Floating Gate), 전면 게이트