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公开(公告)号：KR1020120026670A
公开(公告)日：2012-03-20
申请号：KR1020100088688
申请日：2010-09-10
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: PURPOSE: A radio frequency device and a method of fabricating the same are provided to reduce the contact resistance of a guard ring contact plug by forming an impurity doping region in the surface of the guard ring. CONSTITUTION: A substrate(102) comprises a first area(102a) and a second part(102b). A semiconductor layer(106) is formed on the first area of the substrate. A buried insulating layer(104) is formed between the substrate and the semiconductor layer. A plurality of inversion blocking layers(120a) is formed on the second region of the substrate. A field insulating layer(125) covers the side of the semiconductor layer and the top side of the inversion blocking layer.
Abstract translation: 目的：提供一种射频装置及其制造方法，以通过在保护环表面形成杂质掺杂区来减小保护环接触插塞的接触电阻。 构成：衬底（102）包括第一区域（102a）和第二部分（102b）。 半导体层（106）形成在基板的第一区域上。 在衬底和半导体层之间形成掩埋绝缘层（104）。 在基板的第二区域上形成多个反转阻挡层（120a）。 场绝缘层（125）覆盖半导体层的侧面和反转阻挡层的顶侧。
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公开(公告)号：KR1020080092603A
公开(公告)日：2008-10-16
申请号：KR1020070036124
申请日：2007-04-12
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L27/108 , H01L27/115 , B82Y10/00
CPC classification number: H01L27/11551 , H01L21/28273 , H01L27/10823
Abstract: A nonvolatile DRAM(Dynamic Random Access Memory) cell with a 3-dimensional all-around gate structure, and a method for manufacturing and driving the same are provided to implement DRAM without using a capacitor through a natural floating body effect and to secure an excellent short channel effect and a punchthrough effect by forming the all-around gate structure for completely enclosing the whole surface with a gate. A nonvolatile memory unit encloses the whole surface of a part that becomes a channel of a semiconductor pillar. A gate(106) encloses the nonvolatile memory unit. A source and a drain(109,110) are respectively formed on a left and a right of the channel of the semiconductor pillar. A dielectric(101) is formed on a substrate(100). The semiconductor pillar is in parallel with the dielectric. The gate is formed on the gate. The nonvolatile memory unit includes a tunneling dielectric(103), a floating gate(104), and a control dielectric(105). The tunneling dielectric encloses the whole surface of the semiconductor pillar. The floating gate encloses the tunneling dielectric. The control dielectric encloses the floating gate.
Abstract translation: 提供具有三维全方位栅极结构的非易失性DRAM（动态随机存取存储器）单元及其制造和驱动方法，以通过自然浮体效应实现DRAM而不使用电容器并确保优异的 短沟道效应和穿透效果，通过形成用于用栅极完全包围整个表面的全面栅极结构。 非易失性存储器单元包围成为半导体柱的通道的部件的整个表面。 门（106）包围非易失性存储单元。 源极和漏极（109,110）分别形成在半导体柱的沟道的左侧和右侧。 电介质（101）形成在基板（100）上。 半导体柱与电介质平行。 门形成在门上。 非易失性存储器单元包括隧道电介质（103），浮动栅极（104）和控制电介质（105）。 隧道电介质围绕半导体柱的整个表面。 浮动栅极包围隧道电介质。 控制电介质包围浮动栅极。
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公开(公告)号：KR101131414B1
公开(公告)日：2012-04-03
申请号：KR1020100088688
申请日：2010-09-10
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: PURPOSE: A radio frequency device and a method of fabricating the same are provided to reduce the contact resistance of a guard ring contact plug by forming an impurity doping region in the surface of the guard ring. CONSTITUTION: A substrate(102) comprises a first area(102a) and a second part(102b). A semiconductor layer(106) is formed on the first area of the substrate. A buried insulating layer(104) is formed between the substrate and the semiconductor layer. A plurality of inversion blocking layers(120a) is formed on the second region of the substrate. A field insulating layer(125) covers the side of the semiconductor layer and the top side of the inversion blocking layer.
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公开(公告)号：KR100871832B1
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：KR1020070036124
申请日：2007-04-12
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L27/108 , H01L27/115 , B82Y10/00
Abstract: 본 발명은 3차원 전면 게이트 구조를 갖는 비휘발성 디램 셀과 그 제조방법 및 그 구동방법에 관한 것이다.
이러한 본 발명에 따른 3차원 전면 게이트 구조를 갖는 비휘발성 디램 소자는 반도체기둥, 반도체기둥의 채널이 되는 부분의 전면을 둘러싸도록 형성되고, 반도체기둥의 전면을 둘러싸는 터널링절연막, 터널링절연막을 둘러싸는 부유게이트 및 부유게이트를 둘러싸는 제어절연막을 포함하는 비휘발성 메모리부, 비휘발성 메모리부를 둘러싼 게이트 및 반도체기둥의 채널 좌우에 각각 형성된 소오스와 드레인을 포함한다.
이러한 본 발명에 따르면, 전원공급이 중단되더라도 비휘발성 메모리 소자와 같이 단위 셀 안에 저장된 데이터를 유지할 수 있고, 전원공급시에는 디램 소자와 같이 고속으로 동작할 수 있는 전면게이트 구조의 비휘발성 디램 소자와 그 제조방법 및 그 구동방법을 제공하는 효과가 있다.
비휘발성 메모리(Non-Volatile Memory), 디램(DRAM-Dynamic Random Access Memory), 부유 게이트(Floating Gate), 전면 게이트-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR102209291B1
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：KR1020190020656
申请日：2019-02-21
Applicant: 한국과학기술원
IPC: G03F1/62 , G03F7/20 , H01L21/02 , H01L21/306 , H01L21/027 , H01L21/67
Abstract: 본발명의일 실시예에의한 EUV 리소그래피펠리클박막의제조방법은 KOH 용액을이용하여, 실리콘기판및 상기실리콘기판상에형성된실리콘나이트라이드멤브레인박막을구비하는구조체중에서상기실리콘기판의적어도일부를, 습식각하는단계; 습식각된상기구조체를탈이온수(DIW)에침지하여세정(rinse)하는단계; 상기탈이온수의표면에이소프로필알콜(IPA)층을형성하는단계; 및상기구조체를상기이소프로필알콜층을거치면서상기탈이온수로부터분리함으로써, 상기실리콘나이트라이드멤브레인박막을건조시키는단계;를포함한다.
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公开(公告)号：KR101186978B1
公开(公告)日：2012-09-28
申请号：KR1020100115846
申请日：2010-11-19
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 반도체 소자 및 무선주파수 소자의 제조방법이 제공된다. 반도체 소자의 제조방법에 따르면, 바디, 상기 바디 상의 매몰 절연층 및 상기 매몰 절연층 상의 반도체층의 적층 구조를 갖는 복합 기판을 제공한다. 상기 매몰 절연층 및 상기 반도체층을 식각하여 적어도 하나의 트렌치를 형성한다. 상기 적어도 하나의 트렌치 내의 상기 바디 상에 인버젼 방지층을 형성한다. 상기 적어도 하나의 트렌치를 채우도록 상기 인버젼 방지층 상에 매립 보호층을 형성한다. 상기 적어도 하나의 트렌치 밖의 상기 반도체층 상의 상기 인버젼 방지층의 제 1 부분은 제거되고, 상기 적어도 하나의 트렌치 내의 상기 인버젼 방지층의 제 2 부분은 상기 매립 보호층에 의해서 보호되도록, 상기 매립 보호층 및 상기 인버젼 방지층을 평탄화한다.
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公开(公告)号：KR1020120054459A
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：KR1020100115846
申请日：2010-11-19
Applicant: 한국과학기술원
CPC classification number: H01L21/76251 , H01L21/76224
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a radio frequency device and a semiconductor device is provided to reduce radio frequency loss by preventing by forming an inversion blocking layer. CONSTITUTION: A complex substrate having a laminating structure of a body, a buried insulating layer(104), and a semiconductor layer is provided. A trench is formed by etching the buried insulating layer and the semiconductor layer. An inversion blocking layer(120) is formed on the body within the trench. A burying protective layer(122) is formed on the inversion blocking layer in order to fill the trench. A first part of the inversion blocking layer of the semiconductor layer outside the trench is eliminated. The burying protective layer and the inversion blocking layer are flattered in order to protect a second part of the inversion blocking layer within the trench through the burying protective layer.
Abstract translation: 目的：提供一种制造射频装置和半导体装置的方法，以通过形成反转阻挡层来防止射频损失。 构成：提供具有本体层叠结构的复合衬底，埋层绝缘层（104）和半导体层。 通过蚀刻掩埋绝缘层和半导体层形成沟槽。 在沟槽内的主体上形成反转阻挡层（120）。 在反转阻挡层上形成埋入保护层（122）以填充沟槽。 沟槽外的半导体层的反转阻挡层的第一部分被消除。 掩埋保护层和反转阻挡层被覆盖以便通过掩埋保护层保护沟槽内的反转阻挡层的第二部分。
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公开(公告)号：KR101044807B1
公开(公告)日：2011-06-27
申请号：KR1020080126102
申请日：2008-12-11
Abstract: 본 발명은 센서 네트워크 환경에서의 질의 처리 방법 및 시스템에 관한 것이다.
본 발명은 사용자 또는 응용 프로그램이 센서 네트워크에 새로운 질의를 요청했을 때, 센서 네트워크에서 실행 중이던 기존 질의들의 결과를 활용하여 새로 요청된 질의의 결과를 유도해낼 수 있기 때문에, 센서 네트워크에서 소모되는 에너지를 줄일 수 있다. 또한, 질의를 병합하여 실행할 경우 질의를 개별적으로 실행하는 것이 아니라 몇 개의 질의를 병합한 후 단일 질의로 실행시키기 때문에, 여러 개의 질의를 한꺼번에 실행시킬 때 보다 센서 네트워크에서의 에너지 소모를 줄일 수 있다.
센서 네트워크, 질의 처리, 에너지, 후보 질의, 속성, 프로젝션-
公开(公告)号：KR1020100067516A
公开(公告)日：2010-06-21
申请号：KR1020080126102
申请日：2008-12-11
Abstract: PURPOSE: A query processing method and a system thereof in a sensor network environment are provided to Induce result of a new requested query by utilizing a result of existing queries. CONSTITUTION: A query optimizing unit(200) extracts a candidate queries for performing a newly requested query transferred from a query receiving unit(100). An query storage unit stores information about queries which is presently processing, mapping information between queries, mapping information between specific parent queries, and inducible query information. An query result inducing unit(400) induces query result registered in inducing query storage unit(520). A query executing unit(300) performs queries which is not inducible from queried which belongs to candidate set.
Abstract translation: 目的：提供传感器网络环境中的查询处理方法及其系统，以通过利用现有查询的结果来诱导新的请求查询的结果。 构成：查询优化单元（200）提取用于执行从查询接收单元（100）传送的新请求的查询的候选查询。 查询存储单元存储关于正在处理的查询的信息，查询之间的映射信息，特定父查询之间的映射信息和可诱导查询信息。 查询结果诱导单元（400）引发注册在诱导查询存储单元（520）中的查询结果。 查询执行单元（300）执行不属于候选集的被查询的查询。
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