公开(公告)号：WO2016060337A1

公开(公告)日：2016-04-21

申请号：PCT/KR2015/001129

申请日：2015-02-04

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 최양규 ,  전창훈

IPC: H01L21/335

Abstract: 본 발명은 반도체 전계 효과 트랜지스터(Field Effect Transistor) 제조 기술에 관한 것으로, 제1 에너지 밴드갭을 갖는 하부 반도체 층을 형성하되, 상기 하부 반도체 층을 p-타입(type)으로 도핑하는 과정과, 상기 하부 반도체 층 상부에 상기 제1 에너지 밴드갭보다 작은 값의 제2 에너지 밴드갭을 갖는 중간 반도체 층을 형성하는 과정과, 상기 중간 반도체 층 상부에 상기 제1 에너지 밴드갭을 갖는 상부 반도체 층을 형성하는 과정을 포함한다. 이로 인해, 본 발명에서는 기존 이동도가 큰 전자 우물 채널의 장점을 유지하면서 임계 전압을 0V 이상으로 높일 수 있다.

Abstract translation: 本发明涉及一种半导体场效应晶体管制造技术，包括以下步骤：形成具有第一能带隙的下半导体层，其中下半导体层掺杂为p型; 在所述下半导体层的上部形成具有比所述第一能带隙的值小的第二能带隙的中间半导体层; 并且在中间半导体层的上部形成具有第一能带隙的上半导体层。 因此，本发明可以将阈值电压提高0V以上，同时保持具有高移动性的常规电子阱通道的优点。

公开(公告)号：KR101852424B1

公开(公告)日：2018-04-27

申请号：KR1020160129673

申请日：2016-10-07

Applicant: 재단법인 다차원 스마트 아이티 융합시스템 연구단 ,  한국과학기술원

Inventor： 최양규 ,  박준영 ,  전창훈

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/02 ,  H01L29/10 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L45/1206 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/775 ,  H01L45/1226 ,  H03K17/687

Abstract: 무접합트랜지스터의구동전류를증가시키는방법이제공된다. 상기무접합트랜지스터의구동전류를증가시키는방법은, 기판, 상기기판상에형성되고, 서로동일한타입의도펀트(dopant)로도핑된소스및 드레인영역, 상기소스영역과상기드레인영역을연결하고, 상기소스영역및 상기드레인영역과동일한타입의도펀트(dopant)로도핑된나노와이어채널영역, 상기나노와이어채널영역을둘러싸도록형성된게이트절연막, 및상기게이트절연막상에형성되고, 상기나노와이어채널영역을둘러싸도록형성된게이트전극을포함하는무접합트랜지스터에있어서, 상기소스영역과상기드레인영역에전압을인가하여발생된줄열(joule heat)에의해상기나노와이어채널영역에흐르는전류량을증가시킨다.

公开(公告)号：KR1020180038709A

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：KR1020160129673

申请日：2016-10-07

Applicant: 재단법인 다차원 스마트 아이티 융합시스템 연구단 ,  한국과학기술원

Inventor： 최양규 ,  박준영 ,  전창훈

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/02 ,  H01L29/10 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L45/1206 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/775 ,  H01L45/1226 ,  H03K17/687 ,  H01L29/7849 ,  H01L21/02603 ,  H01L29/0669 ,  H01L29/0688 ,  H01L29/1025 ,  H01L29/7831 ,  H01L29/785

Abstract: 무접합트랜지스터의구동전류를증가시키는방법이제공된다. 상기무접합트랜지스터의구동전류를증가시키는방법은, 기판, 상기기판상에형성되고, 서로동일한타입의도펀트(dopant)로도핑된소스및 드레인영역, 상기소스영역과상기드레인영역을연결하고, 상기소스영역및 상기드레인영역과동일한타입의도펀트(dopant)로도핑된나노와이어채널영역, 상기나노와이어채널영역을둘러싸도록형성된게이트절연막, 및상기게이트절연막상에형성되고, 상기나노와이어채널영역을둘러싸도록형성된게이트전극을포함하는무접합트랜지스터에있어서, 상기소스영역과상기드레인영역에전압을인가하여발생된줄열(joule heat)에의해상기나노와이어채널영역에흐르는전류량을증가시킨다.

公开(公告)号：KR1020150077800A

公开(公告)日：2015-07-08

申请号：KR1020130166652

申请日：2013-12-30

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 최양규 ,  전창훈

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/778

CPC classification number: H01L29/785 ,  H01L29/778

Abstract: 본발명의실시형태는금속산화물반도체전계효과트랜지스터및 그제조방법에관한것이다. 본발명의실시형태에따른금속산화물반도체전계효과트랜지스터는, 제1 반도체층; 상기제1 반도체층 상에배치된게이트전극; 상기게이트전극의일 측및 타측에배치된스페이서; 및상기제1 반도체층의일 측및 타측 각각에배치되어서로이격된소스전극과드레인전극; 을포함하고, 상기제1 반도체층의폭은상기게이트전극의폭보다넓다.

Abstract translation: 本发明的实施例涉及金属氧化物半导体场效应晶体管及其方法。 根据本发明的实施例的金属氧化物半导体场效应晶体管包括第一半导体层; 布置在所述第一半导体层上的栅电极; 布置在栅电极的一侧和另一侧的间隔物; 以及源极电极和漏极电极，其布置在第一半导体层的一侧和另一侧并且彼此分离。 第一半导体层的宽度大于栅电极的宽度。

公开(公告)号：KR101838279B1

公开(公告)日：2018-03-14

申请号：KR1020160098888

申请日：2016-08-03

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 최양규 ,  박준영 ,  전창훈 ,  이건범

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/49 ,  H01L29/423

Abstract: 본발명에따른다중비트전계효과트랜지스터제어장치는기판상에형성된소스전극및 드레인전극, 그사이에형성되고각각상이한문턱전압을갖는복수의채널, 복수의채널에형성된게이트절연막, 게이트절연막상에형성된제1 게이트전극및 제2 게이트전극및 제1 게이트전극및 상기제2 게이트전극중 어느하나에전압을인가하여제1 게이트전극과제2 게이트전극사이의전위분포를변경함으로써, 상기복수의채널의온/오프를개별적으로제어하는컨트롤러를포함한다. 이에의하면, 다중비트처리가가능할뿐만아니라, 높은직접도를가진회로를구현할수 있다.

公开(公告)号：KR1020180015408A

公开(公告)日：2018-02-13

申请号：KR1020160098888

申请日：2016-08-03

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 최양규 ,  박준영 ,  전창훈 ,  이건범

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/49 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L29/7831 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/783 ,  H01L29/7855

Abstract: 본발명에따른다중비트전계효과트랜지스터제어장치는기판상에형성된소스전극및 드레인전극, 그사이에형성되고각각상이한문턱전압을갖는복수의채널, 복수의채널에형성된게이트절연막, 게이트절연막상에형성된제1 게이트전극및 제2 게이트전극및 제1 게이트전극및 상기제2 게이트전극중 어느하나에전압을인가하여제1 게이트전극과제2 게이트전극사이의전위분포를변경함으로써, 상기복수의채널의온/오프를개별적으로제어하는컨트롤러를포함한다. 이에의하면, 다중비트처리가가능할뿐만아니라, 높은직접도를가진회로를구현할수 있다.

Abstract translation: 时，在源电极和漏电极上形成位场效应晶体管的按照本发明所形成的栅极绝缘膜在控制装置中的栅极绝缘膜，形成了多个通道，多个具有不同阈值电压，分别通道的在基板上形成在其间 所述第一栅电极和第二栅电极与所述第一栅电极和所述第二通过施加一个花枝电压，开/改变栅极电极的第一栅极电极任务第二栅电极之间的电势分布的断开所述多个信道的 如图所示。 据此，不仅可以进行多比特处理，而且可以实现具有高方向性的电路。

公开(公告)号：KR1020180009587A

公开(公告)日：2018-01-29

申请号：KR1020160091492

申请日：2016-07-19

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 최양규 ,  박준영 ,  전창훈 ,  배학열 ,  이건범

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L29/783 ,  H01L29/7815 ,  H01L29/7843 ,  H01L29/7846 ,  H01L29/7849

Abstract: 본발명에따른전계효과트랜지스터제어장치는, 전계효과트랜지스터및 컨트롤러를포함하고, 전계효과트랜지스터는, 기판상에형성된소스전극및 드레인전극, 소스전극및 드레인전극사이에형성된채널및, 채널상에형성된제1 게이트전극및 제2 게이트전극을포함하고, 컨트롤러는상기채널의위치, 상기제1 게이트전극에인가되는전압및 상기제2 게이트전극에인가되는전압중 적어도하나를조절하여상기전계효과트랜지스터의문턱전압을조절한다. 이에의하여, 게이트전극내에서발생하는전위분포를활용하여문턱전압을자유롭게조정할수 있기때문에, 다양한문턱전압을가진트랜지스터를구현할수 있다. 아울러, 문턱전압조정과정에서트랜지스터의누설전류가증가하거나동작전류의특성이저하되는일 없이, 게이트전극내에서발생하는전위분포를활용하기때문에, 플로팅바디구조의차세대트랜지스터에도적용이가능하며, 반도체공정을간소화시켜생산비용이절감된다.

Abstract translation: 根据本发明的控制装置的场效应晶体管，包括场效应晶体管，和一个控制器，所述场效应晶体管包括源极和漏极电极之间形成形成在基板和漏极电极上的源电极，形成在所述沟道上和信道 制品，其包括第一栅电极和第二栅电极，以及所述场效应晶体管的通过控制施加到所述电压和所述第二栅电极的电压中的至少一个，所述控制器在所述通道施加到位置时，第一栅电极 调整阈值电压。 因此，由于可以通过利用在栅电极中产生的电势分布来自由地调整阈值电压，所以可以实现具有各种阈值电压的晶体管。 另外，由于在阈值电压的调整处理的使用的晶体管的增加的漏电流的电势分布的，或者在栅电极而不使工作电流降低的特性产生的，它可以被应用于下一代浮体结构的晶体管，和一个半导体 该过程被简化并且生产成本降低。

公开(公告)号：KR101835613B1

公开(公告)日：2018-03-08

申请号：KR1020160091492

申请日：2016-07-19

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 최양규 ,  박준영 ,  전창훈 ,  배학열 ,  이건범

IPC: H01L29/78

Abstract: 본발명에따른전계효과트랜지스터제어장치는, 전계효과트랜지스터및 컨트롤러를포함하고, 전계효과트랜지스터는, 기판상에형성된소스전극및 드레인전극, 소스전극및 드레인전극사이에형성된채널및, 채널상에형성된제1 게이트전극및 제2 게이트전극을포함하고, 컨트롤러는상기채널의위치, 상기제1 게이트전극에인가되는전압및 상기제2 게이트전극에인가되는전압중 적어도하나를조절하여상기전계효과트랜지스터의문턱전압을조절한다. 이에의하여, 게이트전극내에서발생하는전위분포를활용하여문턱전압을자유롭게조정할수 있기때문에, 다양한문턱전압을가진트랜지스터를구현할수 있다. 아울러, 문턱전압조정과정에서트랜지스터의누설전류가증가하거나동작전류의특성이저하되는일 없이, 게이트전극내에서발생하는전위분포를활용하기때문에, 플로팅바디구조의차세대트랜지스터에도적용이가능하며, 반도체공정을간소화시켜생산비용이절감된다.

公开(公告)号：KR1020160103607A

公开(公告)日：2016-09-02

申请号：KR1020150026013

申请日：2015-02-24

Applicant: 한국과학기술원 ,  울산과학기술원

Inventor： 최양규 ,  김경록 ,  전창훈 ,  문동일

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/768 ,  H01L29/417 ,  H01L29/41

CPC classification number: H01L29/775 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/0669 ,  H01L21/76826 ,  H01L29/413 ,  H01L29/41725

Abstract: 트랜지스터성능향상방법이개시된다. 본발명에따른트랜지스터성능향상방법은, 기판상에나노와이어를형성하는나노와이어형성단계, 나노와이어가휘어지도록, 나노와이어에스트레인을인가하는스트레인인가단계, 소스전극, 드레인전극및 게이트전극을형성하는전극형성단계, 스트레인인가단계에의해휘어진나노와이어, 전극형성단계에서형성된소스전극, 드레인전극및 게이트전극을포함하는트랜지스터를제조하는제조단계를포함한다. 상기구성에의하여, 더욱용이하게테라헤르츠대역에서동작하는실리콘소자를제작할수 있고, 플라즈마파트랜지스터로서의동작여부를평가할수 있게된다.

Abstract translation: 公开了一种提高等离子体波晶体管的性能的方法。 根据本发明的提高晶体管的性能的方法包括：在衬底上形成纳米线的纳米线形成步骤; 将应变施加到纳米线以使纳米线弯曲的应变施加步骤; 形成源电极，漏电极和栅电极的电极形成步骤; 以及制造包括通过应变施加步骤弯曲的纳米线的晶体管的制造步骤以及在电极形成步骤中形成的源电极，漏电极和栅电极。 根据本发明，提高等离子体波晶体管的性能的方法可以更容易地制造在太赫兹波段工作的硅树脂元件，并评估晶体管是否作为等离子体波晶体管工作。