公开(公告)号：WO2018080004A1

公开(公告)日：2018-05-03

申请号：PCT/KR2017/009588

申请日：2017-09-01

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 최양규 ,  이건범 ,  박준영 ,  배학열 ,  김충기

IPC: H01L29/66 ,  H01L27/02 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L27/02 ,  H01L29/423 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78

Abstract: 정방향 바이어스 전류를 이용한 전계 효과 트랜지스터의 게이트 절연막 손상을 복구하는 방법이 제공된다. 상기 게이트 절연막 손상을 복구하는 방법은, 기판, 상기 기판 내에 형성된 소스 및 드레인 영역, 상기 기판 내에, 상기 소스 영역과 상기 드레인 영역을 연결하도록 형성된 채널 영역, 상기 채널 영역 상에 형성된 게이트 절연막, 및 상기 게이트 절연막 상에 형성된 게이트 구조체를 포함하는 전계 효과 트랜지스터에 있어서, 상기 소스 영역과 상기 기판의 바디 사이에 제1 정방향 바이어스(forward bias) 전압을 인가하여 발생하는 제1 정방향 바이어스 전류에 의한 제1 줄열(joule heat)을 이용하거나, 상기 드레인 영역과 상기 기판의 바디 사이에 제2 정방향 바이어스 전압을 인가하여 발생하는 제2 정방향 바이어스 전류에 의한 제2 줄열을 이용하여, 상기 게이트 절연막에 발생한 손상을 치유한다.

Abstract translation: 提供了一种使用正向偏置电流修复对场效应晶体管的栅极绝缘膜的损伤的方法。 形成在衬底中的源极区和漏极区;形成在衬底中以连接源极区和漏极区的沟道区;形成在沟道区上的栅极绝缘膜; 在场效应晶体管，其包括形成在栅极绝缘膜上的栅极结构，第一焦耳热根据通过施加第一正向偏置产生的第一正向偏置电流（正向偏压）的电压在源极区和所述衬底的所述体之间施加 根据漏区和衬底的主体之间施加第二正向偏置电压产生的第二正向偏置电流（焦耳热）使用，或使用第二焦耳热，在栅极绝缘膜中产生损坏固化

公开(公告)号：KR101835613B1

公开(公告)日：2018-03-08

申请号：KR1020160091492

申请日：2016-07-19

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 최양규 ,  박준영 ,  전창훈 ,  배학열 ,  이건범

IPC: H01L29/78

Abstract: 본발명에따른전계효과트랜지스터제어장치는, 전계효과트랜지스터및 컨트롤러를포함하고, 전계효과트랜지스터는, 기판상에형성된소스전극및 드레인전극, 소스전극및 드레인전극사이에형성된채널및, 채널상에형성된제1 게이트전극및 제2 게이트전극을포함하고, 컨트롤러는상기채널의위치, 상기제1 게이트전극에인가되는전압및 상기제2 게이트전극에인가되는전압중 적어도하나를조절하여상기전계효과트랜지스터의문턱전압을조절한다. 이에의하여, 게이트전극내에서발생하는전위분포를활용하여문턱전압을자유롭게조정할수 있기때문에, 다양한문턱전압을가진트랜지스터를구현할수 있다. 아울러, 문턱전압조정과정에서트랜지스터의누설전류가증가하거나동작전류의특성이저하되는일 없이, 게이트전극내에서발생하는전위분포를활용하기때문에, 플로팅바디구조의차세대트랜지스터에도적용이가능하며, 반도체공정을간소화시켜생산비용이절감된다.

公开(公告)号：KR101838279B1

公开(公告)日：2018-03-14

申请号：KR1020160098888

申请日：2016-08-03

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 최양규 ,  박준영 ,  전창훈 ,  이건범

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/49 ,  H01L29/423

Abstract: 본발명에따른다중비트전계효과트랜지스터제어장치는기판상에형성된소스전극및 드레인전극, 그사이에형성되고각각상이한문턱전압을갖는복수의채널, 복수의채널에형성된게이트절연막, 게이트절연막상에형성된제1 게이트전극및 제2 게이트전극및 제1 게이트전극및 상기제2 게이트전극중 어느하나에전압을인가하여제1 게이트전극과제2 게이트전극사이의전위분포를변경함으로써, 상기복수의채널의온/오프를개별적으로제어하는컨트롤러를포함한다. 이에의하면, 다중비트처리가가능할뿐만아니라, 높은직접도를가진회로를구현할수 있다.

公开(公告)号：KR1020180015408A

公开(公告)日：2018-02-13

申请号：KR1020160098888

申请日：2016-08-03

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 최양규 ,  박준영 ,  전창훈 ,  이건범

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/49 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L29/7831 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/783 ,  H01L29/7855

Abstract: 본발명에따른다중비트전계효과트랜지스터제어장치는기판상에형성된소스전극및 드레인전극, 그사이에형성되고각각상이한문턱전압을갖는복수의채널, 복수의채널에형성된게이트절연막, 게이트절연막상에형성된제1 게이트전극및 제2 게이트전극및 제1 게이트전극및 상기제2 게이트전극중 어느하나에전압을인가하여제1 게이트전극과제2 게이트전극사이의전위분포를변경함으로써, 상기복수의채널의온/오프를개별적으로제어하는컨트롤러를포함한다. 이에의하면, 다중비트처리가가능할뿐만아니라, 높은직접도를가진회로를구현할수 있다.

Abstract translation: 时，在源电极和漏电极上形成位场效应晶体管的按照本发明所形成的栅极绝缘膜在控制装置中的栅极绝缘膜，形成了多个通道，多个具有不同阈值电压，分别通道的在基板上形成在其间 所述第一栅电极和第二栅电极与所述第一栅电极和所述第二通过施加一个花枝电压，开/改变栅极电极的第一栅极电极任务第二栅电极之间的电势分布的断开所述多个信道的 如图所示。 据此，不仅可以进行多比特处理，而且可以实现具有高方向性的电路。

公开(公告)号：KR1020180009587A

公开(公告)日：2018-01-29

申请号：KR1020160091492

申请日：2016-07-19

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 최양규 ,  박준영 ,  전창훈 ,  배학열 ,  이건범

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L29/783 ,  H01L29/7815 ,  H01L29/7843 ,  H01L29/7846 ,  H01L29/7849

Abstract: 본발명에따른전계효과트랜지스터제어장치는, 전계효과트랜지스터및 컨트롤러를포함하고, 전계효과트랜지스터는, 기판상에형성된소스전극및 드레인전극, 소스전극및 드레인전극사이에형성된채널및, 채널상에형성된제1 게이트전극및 제2 게이트전극을포함하고, 컨트롤러는상기채널의위치, 상기제1 게이트전극에인가되는전압및 상기제2 게이트전극에인가되는전압중 적어도하나를조절하여상기전계효과트랜지스터의문턱전압을조절한다. 이에의하여, 게이트전극내에서발생하는전위분포를활용하여문턱전압을자유롭게조정할수 있기때문에, 다양한문턱전압을가진트랜지스터를구현할수 있다. 아울러, 문턱전압조정과정에서트랜지스터의누설전류가증가하거나동작전류의특성이저하되는일 없이, 게이트전극내에서발생하는전위분포를활용하기때문에, 플로팅바디구조의차세대트랜지스터에도적용이가능하며, 반도체공정을간소화시켜생산비용이절감된다.

Abstract translation: 根据本发明的控制装置的场效应晶体管，包括场效应晶体管，和一个控制器，所述场效应晶体管包括源极和漏极电极之间形成形成在基板和漏极电极上的源电极，形成在所述沟道上和信道 制品，其包括第一栅电极和第二栅电极，以及所述场效应晶体管的通过控制施加到所述电压和所述第二栅电极的电压中的至少一个，所述控制器在所述通道施加到位置时，第一栅电极 调整阈值电压。 因此，由于可以通过利用在栅电极中产生的电势分布来自由地调整阈值电压，所以可以实现具有各种阈值电压的晶体管。 另外，由于在阈值电压的调整处理的使用的晶体管的增加的漏电流的电势分布的，或者在栅电极而不使工作电流降低的特性产生的，它可以被应用于下一代浮体结构的晶体管，和一个半导体 该过程被简化并且生产成本降低。

公开(公告)号：KR101838912B1

公开(公告)日：2018-03-15

申请号：KR1020160129674

申请日：2016-10-07

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 최양규 ,  이건범 ,  박준영 ,  배학열 ,  김충기

IPC: H01L29/66 ,  H01L27/02 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L27/02 ,  H01L29/423 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78 ,  H01L29/66954 ,  H01L27/0222 ,  H01L27/0285 ,  H01L29/4232

Abstract: 정방향바이어스전류를이용한전계효과트랜지스터의게이트절연막손상을복구하는방법이제공된다. 상기게이트절연막손상을복구하는방법은, 기판, 상기기판내에형성된소스및 드레인영역, 상기기판내에, 상기소스영역과상기드레인영역을연결하도록형성된채널영역, 상기채널영역상에형성된게이트절연막, 및상기게이트절연막상에형성된게이트구조체를포함하는전계효과트랜지스터에있어서, 상기소스영역과상기기판의바디사이에제1 정방향바이어스(forward bias) 전압을인가하여발생하는제1 정방향바이어스전류에의한제1 줄열(joule heat)을이용하거나, 상기드레인영역과상기기판의바디사이에제2 정방향바이어스전압을인가하여발생하는제2 정방향바이어스전류에의한제2 줄열을이용하여, 상기게이트절연막에발생한손상을치유한다.

Abstract translation: 提供了一种使用正向偏置电流修复场效应晶体管的栅极绝缘膜的损伤的方法。 形成在衬底中的源极区和漏极区;形成在衬底中以连接源极区和漏极区的沟道区;形成在沟道区上的栅极绝缘膜; 在场效应晶体管，包括形成在所述栅极绝缘膜上的栅极结构，第一焦耳热根据通过施加第一正向偏置产生的第一正向偏置电流（正向偏压）的电压在源极区和所述衬底的所述体之间施加 根据漏区和衬底的主体之间施加第二正向偏置电压产生的第二正向偏置电流（焦耳热）使用，或使用第二焦耳热，在栅极绝缘膜中产生损坏固化 的。