Abstract:
본 발명의 일 실시예에 따른 기공층이 형성된 Ge 기판을 이용한 화합물 반도체 제조 방법은 Ge 기판을 마련하는 단계, Ge 기판에 소정의 크기의 복수의 이격된 홀을 생성하는 단계, Ge 기판을 열처리하여 Ge 기판의 상부에 홀을 밀폐시키는 박막을 생성시켜 Ge 기판의 내부에 기공층을 형성하는 단계, 박막 위에 화합물 반도체를 성장시키는 단계 및 기공층이 형성된 부분의 Ge 기판을 절단하여 박막 및 화합물 반도체를 Ge 기판으로부터 분리시키는 단계를 포함한다.
Abstract:
본발명은이산화탄소환원을위한 3차원나노구조금속촉매및 이의제조방법에관한것이다. 본발명의이산화탄소환원을위한 3차원나노구조금속촉매는정렬된금속나노선이적층된구조로, 적층된촉매두께에의해국소 pH를높게조절하여 CO 선택성을높일수 있다. 또한, 금속나노선의작은입자크기덕분에높은 CO 선택성을갖는고차결정면을촉매활성부위에포함하여 CO 선택성을현저하게증가시키고, 수소발생반응을억제시킴으로써이산화탄소환원반응속도를높일수 있다. 3차원나노구조금속촉매를이루는금속나노선사이의공간은촉매층 내부에서반응물및 생성물의이동을원활하게하여이산화탄소환원반응속도를높인다. 또한, 본발명의 3차원나노구조를가지는촉매는나노구조의제어를통해높은안정성을가질수 있고이산화탄소환원을위한촉매전극에활용될수 있다.
Abstract:
본 발명은 빠르고 손쉬운 전기화학적 방법을 이용해 고밀도의 나노갭(nanogap)을 갖는 금속 나노구조체, 예컨대, 금(Au) 나노구조를 형성하고, 이를 통한 폭넓은 플라즈모닉 공명(plasmonic resonance) 위치를 갖는 표면강화 라만 분광용(Surface Enhanced Raman Spectroscopy; SERS) 기판의 제조방법에 관한 것이다. 구체적으로는, 본 발명은 기판 상에 금속 박막을 증착시키고, 수용액 상에서 상기 금속 박막의 표면에 양극전압을 인가하여 전기화학적 산화반응 및 환원반응을 수행함으로써 고밀도의 나노기둥, 나노기공, 나노입자 및 10nm 이하의 나노갭 또는 이들의 조합을 포함하는 금속 나노구조체를 포함하고, 플라즈모닉 공명 위치의 제어를 통해 표면강화 라만 분광 신호의 극대화할 수 있는 표면강화 라만 분광용 기판의 제조방법을 제공할 수 있다. 나아가, 검출 면적 내에 수많은 금속 나노구조체를 포함, 특히 10nm 이하의 나노갭을 포함할 수 있으므로 다수의 나노갭으로부터 발생하는 라만 신호 증폭을 통해 표면강화 라만 분광 신호의 균일성 및 재현성을 보다 높은 수준으로 확보할 수 있으므로, 식품 내 유해인자 탐지 및 분석에 용이하게 사용될 수 있다. 또한 종래의 리소그래피 기술을 배제하되 수용액 중에서 전기화학공정을 통해 금속 나노구조체를 형성함으로써 대면적화에 응용가능하고, 제작비용 절감, 공정 편의성 등의 효과도 기대된다.