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公开(公告)号：KR102223265B1
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：KR1020190059884A
申请日：2019-05-22
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L45/00 , H01L29/36 , H01L29/423 , H01L29/772
CPC classification number: H01L45/04 , G06N3/063 , H01L29/36 , H01L29/42392 , H01L29/772
Abstract: 본 발명은 단일 트랜지스터의 부유 바디층에 전하를 저장 및 방출하여 뉴런의 스파이크 동작을 구현하는 단일 트랜지스터의 구조와 동작 방법 및 이를 이용한 뉴로모픽 시스템에 관한 것으로, 기판 상에 형성되는 정공 배리어 물질층, 상기 정공 배리어 물질층 상에 형성되며, 전하를 저장하는 부유 바디층(floating body), 상기 부유 바디층의 양측에 형성된 소스 및 드레인, 상기 부유 바디층 상에 형성되어 상기 부유 바디층을 둘러싸는 게이트 절연막 및 상기 게이트 절연막 상에 형성된 게이트를 포함한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：WO2022131787A1
公开(公告)日：2022-06-23
申请号：PCT/KR2021/019067
申请日：2021-12-15
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L31/10 , H01L31/0304 , H01L31/0328 , H01L31/0368 , H01L31/0376
Abstract: 빛에 반응하는 뉴런 소자를 구현하는 트랜지스터가 개시된다. 일 실시예에 따르면, 트랜지스터는, 정공 배리어 영역 또는 전자 배리어 영역을 포함하는 반도체 기판; 상기 정공 배리어 영역 또는 상기 전자 배리어 영역 상에 수평 방향으로 연장 형성되는 부유 바디층(Floating body); 상기 부유 바디층의 양단에 형성되는 소스 영역 및 드레인 영역; 상기 부유 바디층 상에 형성되는 게이트 절연막; 및 상기 게이트 절연막 상에 형성되는 게이트 영역을 포함한다.
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公开(公告)号：KR102223265B1
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：KR1020190059884
申请日：2019-05-22
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L45/00 , H01L29/772 , H01L29/423 , H01L29/36
Abstract: 본발명은단일트랜지스터의부유바디층에전하를저장및 방출하여뉴런의스파이크동작을구현하는단일트랜지스터의구조와동작방법및 이를이용한뉴로모픽시스템에관한것으로, 기판상에형성되는정공배리어물질층, 상기정공배리어물질층상에형성되며, 전하를저장하는부유바디층(floating body), 상기부유바디층의양측에형성된소스및 드레인, 상기부유바디층상에형성되어상기부유바디층을둘러싸는게이트절연막및 상기게이트절연막상에형성된게이트를포함한다.
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公开(公告)号：KR1020200134435A
公开(公告)日：2020-12-02
申请号：KR1020190059884
申请日：2019-05-22
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L45/00 , H01L29/772 , H01L29/423 , H01L29/36
Abstract: 본발명은단일트랜지스터의부유바디층에전하를저장및 방출하여뉴런의스파이크동작을구현하는단일트랜지스터의구조와동작방법및 이를이용한뉴로모픽시스템에관한것으로, 기판상에형성되는정공배리어물질층, 상기정공배리어물질층상에형성되며, 전하를저장하는부유바디층(floating body), 상기부유바디층의양측에형성된소스및 드레인, 상기부유바디층상에형성되어상기부유바디층을둘러싸는게이트절연막및 상기게이트절연막상에형성된게이트를포함한다.
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公开(公告)号：KR102221249B1
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：KR1020180099136
申请日：2018-08-24
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 본발명은전자기기의저장장치내 데이터를단독또는연동시켜영구적으로파괴하는데이터영구파괴장치및 그방법에관한것으로, 플래시메모리에저장된데이터를소프트웨어적파괴및 열적인하드웨어적파괴함으로써, 데이터를복합적및 영구적으로파괴하는기술을제공한다.
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