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公开(公告)号：KR20210028385A
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：KR1020190109381A
申请日：2019-09-04
Applicant: 한국광기술원
CPC classification number: H01L33/20 , H01L33/0008 , H01L33/005 , H01L33/38 , H01L33/44
Abstract: 라운드형 발광소자를 개시한다. 본 발명은 n형 반도체층, 활성층, p형 반도체층으로 구성된 에피 구조체를 포함하고, 상기 에피 구조체는 적어도 하나의 모서리가 일정 크기의 반지름을 갖도록 둥글게 제거된 것을 특징으로 한다.
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公开(公告)号：WO2013005940A2
公开(公告)日：2013-01-10
申请号：PCT/KR2012/005059
申请日：2012-06-27
CPC classification number: H01L33/505 , H01L33/52
Abstract: 본 발명은 엘이디 소자의 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 백색의 빛을 발광하는 엘이디 소자에 대한 제조 방법에 관한 것으로, 돌출 형상이 형성된 제1몰딩 구조물과 요철이 형성된 제2몰딩 구조물을 사전 제작하여 실리콘 수지 성형제를 제조하고, 이렇게 제조된 실리콘 수지 성형체에 필름을 장착하여, 다양한 광도와 전압을 가지는 단색 엘이디 소자를 실장하여도 동일한 백색 특성을 가지는 백색 엘이디 소자를 제조하는 것이 가능한 백색 엘이디 소자 제조 방법을 제공한다.
Abstract translation: 本发明涉及一种制造发光二极管（LED）器件的方法，更具体地说，涉及一种用于制造白光发光LED器件的方法。 该方法能够制造具有相同白色特性的白色LED器件，即使安装具有各种发光强度和电压的单色LED器件，通过预先生产形成的第一模制结构来制造硅树脂模塑部件 形成突起形状和形成有突起和凹陷的第二模制结构，并且将膜附着到所生产的硅树脂模制部件上。
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公开(公告)号：KR1020130010246A
公开(公告)日：2013-01-28
申请号：KR1020110070916
申请日：2011-07-18
Applicant: 한국광기술원
CPC classification number: H01L2224/27013 , H01L2224/73204 , H01L2224/83192
Abstract: PURPOSE: A light emitting diode device assembly, a substrate assembly for manufacturing the same, and a manufacturing method thereof are provided to improve the reliability of an LED device assembly by maintaining a bonding state without change and using silicon. CONSTITUTION: A dam(120) is fixed to a substrate(110) using silicon and is formed on the substrate with a preset height. A light emitting diode device(130) is formed on the lower side of a bump to supply power. A conductive silicon resin(140) is located in the dam on the substrate. The conductive silicon resin electrically connects the light emitting diode device to the substrate.
Abstract translation: 目的：提供一种发光二极管器件组件，其制造用基板组件及其制造方法，其通过保持接合状态而不改变并使用硅来提高LED器件组件的可靠性。 构成：使用硅将坝（120）固定到衬底（110）上，并以预设高度形成在衬底上。 在凸块的下侧形成发光二极管装置（130）以供电。 导电硅树脂（140）位于基板上的坝中。 导电硅树脂将发光二极管器件电连接到衬底。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020110105113A
公开(公告)日：2011-09-26
申请号：KR1020100024184
申请日：2010-03-18
Applicant: 한국광기술원
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2224/8592 , H01L2924/00014
Abstract: 본 발명은 발광다이오드 패키지 및 그 제조방법에 관한 것으로써, 발광다이오드 칩을 보호하는 복수의 보호수지층을 구비하여 외부의 열원, 습기, 충격 또는 오염원으로부터 발광다이오드 칩을 보호하여 신뢰성을 향상시킨 장수명이 보장되는 발광다이오드 패키지에 관한 것이다.
보다 더 구체적으로 본 발명은, 발광다이오드(Light Emitting Diode) 패키지기판 상에 발광다이오드 칩(chip)이 적어도 하나 이상 실장되는 발광다이오드 패키지에 있어서, 상기 발광다이오드 패키지 기판상의 소정영역과 상기 발광다이오드 칩의 상면 및 측면에 형성되어 상기 발광다이오드 칩을 외부의 열원, 습기, 충격 또는 오염원으로부터 보호하고, 형광체를 그 내부에 포함하여 형성되는 제 1보호수지층, 상기 제 1보호수지층의 상부에 형성되는 수지형 렌즈 및 상기 수지형 렌즈상에 형성되고, 상기 발광다이오드 칩을 외부의 열원, 습기, 충격 또는 오염원으로부터 보호하는 제 2보호수지층을 포함하는 발광다이오드 패키지 및 그 제조방법을 제공한다.-
公开(公告)号：KR1020070099835A
公开(公告)日：2007-10-10
申请号：KR1020060031117
申请日：2006-04-05
Applicant: 한국광기술원
CPC classification number: G03B15/03 , F21S2/005 , G03B2215/0546 , G03B2215/0567 , H01L33/60 , H04N5/2256
Abstract: An LED(Light Emitting Diode) package for a camera flash is provided to improve the light emitting efficiency in an effective imaging surface due to design according to the screen ratio of an image sensor of an imaging system. An LED package(300) for a camera flash includes a body unit(330), a reflection chamber(310), at least one semiconductor LED(340), and a sealing material(320). The reflection chamber, which is formed by reflection surfaces and has an opening, is formed in the body unit. The cross section of the reflection chamber is rectangular, and gets narrower toward the lower part. The semiconductor LED is placed on the bottom of the reflection chamber. The sealing material is filled in the reflection chamber. The tilt angle of the reflection chamber is asymmetrical.
Abstract translation: 提供了一种用于相机闪光灯的LED（发光二极管）封装件，用于根据成像系统的图像传感器的屏幕比例的设计来提高有效成像表面中的发光效率。 用于相机闪光灯的LED封装（300）包括主体单元（330），反射室（310），至少一个半导体LED（340）和密封材料（320）。 由反射面形成并具有开口的反射室形成在主体单元中。 反射室的横截面是矩形的，并且朝向下部变窄。 半导体LED被放置在反射室的底部。 密封材料填充在反射室中。 反射室的倾斜角度是不对称的。
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公开(公告)号：KR1020060067487A
公开(公告)日：2006-06-20
申请号：KR1020040106282
申请日：2004-12-15
Applicant: 한국광기술원
IPC: H01L33/28
Abstract: 본 발명은 투명전극을 구비한 GaN계 반도체 발광 소자에 있어서, 상기 투명전극이 산화 아연에 산화 알루미늄 및 산화 갈륨이 도핑되어 형성된 산화 아연계 산화물로 이루어진 것을 특징으로 하는 GaN계 반도체 발광 소자에 관한 것이다. 본 발명의 GaN계 반도체 발광 소자는 투명 전극으로 산화 알루미늄 및 산화 갈륨이 함유된 산화 아연계 산화물을 사용함으로써, 발광한 빛의 투과율을 높일 수 있었으며, 발광 효율 및 출사 효율을 개선시킬 수 있어 성능이 개선된 LED 및 LD로서 작용할 수 있다.
발광 소자, 산화 아연, 투명 전극.-
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公开(公告)号：KR101662437B1
公开(公告)日：2016-10-04
申请号：KR1020150042081
申请日：2015-03-26
Applicant: 한국광기술원
IPC: H01L33/58
Abstract: 본발명은발광소자에설치한광 투과수용체층으로전기를공급하여곡률의변화를통한발광소자의지향각가변을제공할수 있는지향각가변형발광패키지를제공하는것을목적으로한다. 이를위해본 발명은임의의파장을갖는빛을출력하는발광모듈과, 상기발광모듈에설치되어전기장이형성되면광 투과수용체층의곡률반경이변경되도록상기광 투과수용체층의표면장력을가변시켜상기발광수단에서출력되는빛의지향각을변경하는렌즈모듈을포함한다. 따라서본 발명은발광소자에설치한광 투과수용체층의곡률을가변시켜발광소자에서발광되는빛의지향각을가변할수 있는장점이있다.
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