Abstract:
PURPOSE: A tweezer device for a wafer is provided to form a uniform pattern by using a tweezer body, a rotation part, and a vibration part. CONSTITUTION: A tweezer body(100) mounts a wafer on a first surface. A handle part(150) is arranged on the central axis of a second surface of the tweezer body. A rotation part(120) is arranged in the handle part. The rotation part rotates the tweezer body. A control part controls the rotation part.
Abstract:
본 발명은 사파이어 등 기판을 반구형의 마이크로 렌즈 어레이로 패턴(예, hemispherically patterned sapphire substrate(HPSS))하거나 사파이어 등 기판 위에 산화막(예, SiO 2 )으로 반구형의 마이크로 렌즈 어레이 패턴을 형성한 후 질화물 반도체층을 형성하되 질화물 반도체층 간에 적어도 1회 이상 더 산화막(예, SiO 2 )으로 반구형의 마이크로 렌즈 어레이를 형성한 템플레이트층 구조를 이용함으로써, 질화물 반도체층 간의 반구형의 마이크로 렌즈 어레이 패턴이 사파이어 등 기판에 형성된 패턴들 사이에서 생성되는 결함들의 상부로의 확장을 차단하여 질화물 반도체층의 결정성을 향상시키고, 이중 또는 다중 렌즈의 기능에 의해 광 추출효과를 향상시킬 수 있는 질화물 반도체 에피 구조의 반도체 소자용 기판 및 템플레이트 제조 방법에 관한 것이다.
Abstract:
The present invention relates to a method of manufacturing a template and a substrate for a semiconductor device of a nitride semiconductor epitaxial structure which improves crystallizability of a nitride semiconductor layer by preventing defects formed between patterns in which a hemispherical micro-lens pattern between nitride semiconductor layers is formed on a substrate such as a sapphire from being expanded to the upper side by forming being expanded to the upper side using a template layer structure. The template layer structure patterns the substrate such as a sapphire with a hemispherical micro-lens array (for example, hemispherically patterned sapphire substrate (HPSS)) or forms a hemispherical micro-lens array pattern on the substrate such as a sapphire with an oxide film (for example, SiO2), and then forms a nitride semiconductor and forms a hemispherical micro-lens array between the nitride semiconductor layers with the oxide film (for example, SiO2) over 1 time.