웨이퍼용 트위저 장치
    1.
    发明公开
    웨이퍼용 트위저 장치 无效
    VACCUM TWEEZER DEVICE FOR WAFER

    公开(公告)号:KR1020130067525A

    公开(公告)日:2013-06-25

    申请号:KR1020110134141

    申请日:2011-12-14

    Inventor: 정주철 문승환

    CPC classification number: H01L21/6838

    Abstract: PURPOSE: A tweezer device for a wafer is provided to form a uniform pattern by using a tweezer body, a rotation part, and a vibration part. CONSTITUTION: A tweezer body(100) mounts a wafer on a first surface. A handle part(150) is arranged on the central axis of a second surface of the tweezer body. A rotation part(120) is arranged in the handle part. The rotation part rotates the tweezer body. A control part controls the rotation part.

    Abstract translation: 目的:提供一种用于晶片的镊子装置,通过使用镊子本体,旋转部件和振动部件来形成均匀的图案。 构成:镊子主体(100)将晶片安装在第一表面上。 手柄部件(150)布置在镊子主体的第二表面的中心轴线上。 旋转部(120)布置在手柄部分中。 旋转部旋转镊子体。 控制部分控制旋转部分。

    광 추출 향상 기술이 반영된 질화물 반도체 에피 구조의 기판 및 템플레이트 제조 방법
    2.
    发明授权
    광 추출 향상 기술이 반영된 질화물 반도체 에피 구조의 기판 및 템플레이트 제조 방법 有权
    基于改进的光提取技术制造氮化物半导体外延结构基板和模板的方法

    公开(公告)号:KR101394565B1

    公开(公告)日:2014-05-14

    申请号:KR1020120091088

    申请日:2012-08-21

    Abstract: 본 발명은 사파이어 등 기판을 반구형의 마이크로 렌즈 어레이로 패턴(예, hemispherically patterned sapphire substrate(HPSS))하거나 사파이어 등 기판 위에 산화막(예, SiO
    2 )으로 반구형의 마이크로 렌즈 어레이 패턴을 형성한 후 질화물 반도체층을 형성하되 질화물 반도체층 간에 적어도 1회 이상 더 산화막(예, SiO
    2 )으로 반구형의 마이크로 렌즈 어레이를 형성한 템플레이트층 구조를 이용함으로써, 질화물 반도체층 간의 반구형의 마이크로 렌즈 어레이 패턴이 사파이어 등 기판에 형성된 패턴들 사이에서 생성되는 결함들의 상부로의 확장을 차단하여 질화물 반도체층의 결정성을 향상시키고, 이중 또는 다중 렌즈의 기능에 의해 광 추출효과를 향상시킬 수 있는 질화물 반도체 에피 구조의 반도체 소자용 기판 및 템플레이트 제조 방법에 관한 것이다.

    광 추출 향상 기술이 반영된 질화물 반도체 에피 구조의 기판 및 템플레이트 제조 방법
    3.
    发明公开
    광 추출 향상 기술이 반영된 질화물 반도체 에피 구조의 기판 및 템플레이트 제조 방법 有权
    基于改进的光提取技术制备氮化物半导体外延结构的基板和模板的方法

    公开(公告)号:KR1020140025045A

    公开(公告)日:2014-03-04

    申请号:KR1020120091088

    申请日:2012-08-21

    CPC classification number: H01L33/22 H01L2933/0091

    Abstract: The present invention relates to a method of manufacturing a template and a substrate for a semiconductor device of a nitride semiconductor epitaxial structure which improves crystallizability of a nitride semiconductor layer by preventing defects formed between patterns in which a hemispherical micro-lens pattern between nitride semiconductor layers is formed on a substrate such as a sapphire from being expanded to the upper side by forming being expanded to the upper side using a template layer structure. The template layer structure patterns the substrate such as a sapphire with a hemispherical micro-lens array (for example, hemispherically patterned sapphire substrate (HPSS)) or forms a hemispherical micro-lens array pattern on the substrate such as a sapphire with an oxide film (for example, SiO2), and then forms a nitride semiconductor and forms a hemispherical micro-lens array between the nitride semiconductor layers with the oxide film (for example, SiO2) over 1 time.

    Abstract translation: 本发明涉及一种制造氮化物半导体外延结构的半导体器件的模板和衬底的方法,该方法通过防止在氮化物半导体层之间形成半球形微透镜图案的图案之间形成的缺陷来改善氮化物半导体层的结晶性 形成在诸如蓝宝石的衬底上,通过使用模板层结构通过成形被扩展到上侧来扩展到上侧。 模板层结构对具有半球形微透镜阵列(例如,半球形蓝宝石衬底(HPSS))的蓝宝石衬底进行图案化,或者在具有氧化膜的蓝宝石衬底上形成半球形微透镜阵列图案 (例如SiO 2),然后形成氮化物半导体,并且在氮化物半导体层之间与氧化膜(例如SiO 2)一次形成半球形微透镜阵列。

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