公开(公告)号：KR1020170086907A

公开(公告)日：2017-07-27

申请号：KR1020160006517

申请日：2016-01-19

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 고영호 ,  김덕준 ,  한원석 ,  권용환 ,  김동영 ,  김종회 ,  최병석

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/04 ,  H01L21/324 ,  H01L21/3215

Abstract: 본발명은반도체소자의선택적도핑방법에관한것이다. 이에따른본 발명은, 반도체소자의선택적도핑방법으로, 기판상에증착된희생층상에도핑영역을정의하기위한마스크층을형성하는단계, 상기마스크층 상에증착되는도펀트물질을상기기판내부로확산하여도핑영역을형성하는제1 열처리단계, 상기도핑영역으로확산된도펀트물질을활성화하는제2 열처리단계및 상기희생층을제거하는단계를포함하는것을특징으로하는선택적도핑방법에관한것이다.

Abstract translation: 本发明涉及一种半导体器件的选择性掺杂方法。 在本发明中，半导体器件的选择性掺杂方法，包括：形成掩模层，以限定一个掺杂区域沉积在基底上的牺牲层上，使掺杂剂扩散的材料被沉积在掩模层到衬底按照 第一热处理以形成一个掺杂区，用于激活掺杂剂材料扩散到掺杂区和一个选择性掺杂方法，包括移除所述牺牲层的步骤的第2热处理工序。

公开(公告)号：KR1020170071074A

公开(公告)日：2017-06-23

申请号：KR1020150178966

申请日：2015-12-15

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김덕준 ,  고영호 ,  김동영 ,  한원석 ,  권용환 ,  김종회 ,  최병석

IPC: G02B6/293

CPC classification number: G02F1/2257 ,  G02F2001/212

Abstract: 마흐-젠더전기광학변조기의제조방법은능동영역및 수동영역을구비하는 III-V족화합물반도체기판상에 III-V족화합물반도체를포함하는진성반도체층을형성하는단계; 상기능동영역에대응하는진성반도체층에제1 불순물을도핑하여, 상기기판상에배치되고상기제1 불순물이도핑되지않은코어층, 및상기코어층상에배치되고상기제1 불순물이도핑된영역을포함하는상부클래드층을형성하는단계; 및상기코어층, 및상기상부클래드층을패터닝하는단계를포함할수 있다. 상기코어층은상기능동영역에배치되는능동코어층, 및상기수동영역에배치되는수동코어층을포함할수 있다. 상기상부클래드층은상기능동코어층상에배치되고상기제1 불순물이도핑된능동상부클래드층, 및상기수동코어층상에배치되고상기제1 불순물이도핑되지않은수동상부클래드층을포함할수 있다. 상기능동상부클래드층및 상기수동상부클래드층은동일한두께를가질수 있다.

Abstract translation: 的制造方法的马赫 - 曾德尔电光调制器包括：形成包括具有有源区域和无源区域中的III-V族化合物半导体衬底上的III-V族化合物半导体的本征半导体层; 设置在所述基板上且未掺杂有所述第一杂质的核心层和布置在所述核心层上且掺杂有所述第一杂质的第二杂质区域; 形成包含上覆层的上覆层; 并且图案化芯层和上部包层。 芯层可以包括设置在有源区中的有源芯层和设置在无源区中的无源芯层。 上包覆层可以包括设置在有源芯层上并掺杂有第一杂质的有源上包覆层以及设置在无源芯层上并且不掺杂第一杂质的无源上包覆层。 有源上部包层和无源上部包层可以具有相同的厚度。

公开(公告)号：KR1020160119324A

公开(公告)日：2016-10-13

申请号：KR1020150046979

申请日：2015-04-02

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김성복 ,  배성범 ,  고영호

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/205

Abstract: 본발명은상시불통형(normally-off) 질화물반도체소자를제공하기위한것이다. 특히, 본발명은기판표면에패턴된 유전체마스크를이용한선택성장방법을통해기존의건식식각공정을대체하는질화물반도체소자구조및 그제조방법을제공하기위한것이다. 이를위한, 본발명은제1 질화물층을사파이어기판에증착하는단계, 유전체마스크를상기제1 질화물층에패터닝하는단계상기유전체마스크상층에제2 질화물을패터닝하는단계및 상기제2 질화물을유기금속기상성장법을이용하여선택성장시키는단계를포함하는질화물반도체소자구조및 그제조방법에관한것이다.

公开(公告)号：KR1020160049433A

公开(公告)日：2016-05-09

申请号：KR1020150067558

申请日：2015-05-14

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 배성범 ,  고영호 ,  김동철 ,  김성복 ,  남은수

IPC: H01L33/00

Abstract: 본발명은질화물계발광다이오드의제조방법에관한것으로, 기판상에순차적으로적층되는제 1 질화물반도체층, 활성층및 제 2 질화물반도체층을포함하는발광구조체를형성하는것, 상기마스크막들은서로연결되지않는고립된아일랜드형태로배치되어상기제 2 질화물반도체층을부분적으로노출하고, 상기발광구조체상에마스크막들을형성하는것, 및열처리공정을수행하여상기마스크막들에의해노출된상기제 2 질화물반도체층을식각하는것을포함하고, 상기발광구조체를형성하는것, 상기마스크막들을형성하는것, 및상기열처리공정을수행하는것은동일한장비내에서인-시츄방식(in-situ manner)으로수행되는질화물계발광다이오드의제조방법이제공된다.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于制造氮化物基发光二极管的方法。 该方法包括：形成包括依次层叠在基板上的第一氮化物半导体层，有源层和第二氮化物半导体层的发光结构; 通过以彼此不连接的岛状形式设置的掩模膜部分曝光第二氮化物半导体层，并在发光结构上形成掩模膜; 并且通过进行热处理工艺来蚀刻由掩模膜暴露的第二氮化物半导体层，其中形成发光结构，形成掩模膜和进行热处理工艺是在原位进行的 方式在同一设备。

公开(公告)号：KR1020160047387A

公开(公告)日：2016-05-02

申请号：KR1020150127775

申请日：2015-09-09

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 고영호 ,  김동철 ,  김성복 ,  남은수 ,  배성범 ,  임영안

IPC: H01L33/22 ,  H01L33/00

Abstract: 본발명의실시예에따른반도체막의성장방법은제1 반도체막상에개구부들을포함하는제1 마스크패턴을형성하는단계; 상기개구부들을통해노출된상기제1 반도체막의표면으로부터제2 반도체막을성장시켜서, 오목부및 돌출부를포함하는상기제2 반도체막을형성하는단계; 상기돌출부의상면이노출되도록상기오목부내부를제2 마스크막으로채우는단계; 상기제2 마스크막및 상기돌출부의상면을덮는제3 마스크막을형성하는단계; 상기돌출부상면상에제3 마스크패턴이잔류될수 있도록상기제2 마스크막을제거하면서상기제2 마스크막상에중첩된상기제3 마스크막의일부를제거하는단계; 및상기제3 마스크패턴에의해상기돌출부의상면이차단된상태에서, 상기오목부를통해노출된상기제2 반도체막의표면으로부터제3 반도체막을성장시키는단계를포함할수 있다.

Abstract translation: 本发明的一个实施方案提供一种能够减少裂纹和缺陷密度的半导体膜的生长方法。 根据本发明实施例的用于生长半导体膜的方法包括以下步骤：在第一半导体膜上形成具有开口部分的第一掩模图案; 通过从通过所述开口部暴露的所述第一半导体膜的表面生长所述第二半导体膜，形成具有凹部和突出部的第二半导体膜; 在露出突出部的上表面的同时用第二掩模膜填充凹部的内部; 形成覆盖所述第二掩模膜和所述突出部的上表面的第三掩模膜; 除去重叠在第二掩模膜上的第三掩模膜的一部分，同时移除第二掩模膜，以便允许第三掩模图案残留在突出部分的上表面上; 以及在突出部分的上表面被第三掩模图案阻挡的状态下，通过凹部暴露的第二半导体膜的表面生长第三半导体膜。