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公开(公告)号：KR100155534B1
公开(公告)日：1998-11-16
申请号：KR1019950034143
申请日：1995-10-05
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명은 대면적 플랫 패널 디스플레이의 제조방법에 관한 것으로, 유리판을 가공하기 전에 가공하고자 하는 면의 두께를 검사하여 두께오차가 적은 유리판으로 분류하는 단계와, 하부 유리판을 고정시키고 스페이스를 균일하게 산포하는 단계와, 그 위에 복수개의 유리판을 적층하는 단계와, 최상부와 최하부에 각각 판간물질을 개재시키면서 보조 유리판을 접착제를 통해 부착하는 단계와, 이 상태에서 그라인딩과 스무싱과 폴리싱작업을 하는 단계와, 부착된 상태를 해체하는 단계와, 측면가공된 두면에 두께가 거의 같은 보조기구를 사용하는 단계와, 유리판의 접합공정전에 보호막을 균일하게 도포하는 단계와, 박막 트랜지스터가 형성된 판과 칼라필터가 형성된 판을 형성하는 단계와, 광학적 기준면을 가지면서 진공 척이 내장된 초정밀 평면도 를 유지하고 열팽창 계수가 0인 상태의 판위에 정렬하는 단계와, 박막 트랜지스터판과 칼라필터판의 측면 접합전에 보호막을 균일하게 도포하는 단계와, 측면 접합시 지지용 유리판과 칼라필터판 사이에 광경화성 접착제를 형성시키는 단계와, 보호막을 제거하고 액정으로 처리하는 단계를 포함하는 것으로, 고화질의 대면적 플랫 패널 디스플레이의 가공성을 좋게 하면서 생산수율의 극대화를 이루고자 한 것이다
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公开(公告)号：KR1019970051705A
公开(公告)日：1997-07-29
申请号：KR1019950052655
申请日：1995-12-20
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02F1/133
Abstract: 본 발명은 액정 공정과 같은 열처리 고정에 의한 두 판 사이의 스트레스를 최소화하여 궁극적인 대면적 평판 디스플레이를 제조하는 방법에 관한 것으로서, 그 특징은 대면적 평판 디스플레이 제조방법에 있어서, 지지용판과 평판 디스플레이의 상판과 하판을 이용하여 타일링할 때에 접착제를 부분적으로 도포하고, 나머지 부분은 충전제를 이용하는데에 있고, 그 다른 특징은 대면적 평탄 디스플레이 제조방법에 있어서, 충전시간을 단축하기 위해 접착제 도포 모양을 여러 개의 영역으로 나누어 도포하여 충전시간을 단축시키는데에 있으며, 그 또 다른 특징은 대면적 평판 디스플레이 제조방법에 있어서, 투과형일 때는 충전제가 광투과형이며 접착제와 같은 광학적 특성을 가지는 데에 있고, 그 또 다른 특징은 대면적 평판 디스플레이 제조방법에 어서, 비투광형일때는 충전제가 광학적 접착제가 광학적 성질이 달라도 상관이 없는 평판 디스플레이 제조에서 지지용 판을 이용하고 상판과 하판을 접착제로 타일링에 의해 대면적화하는 공정 중 접착제와 상판과 하판 사이의 열적 스트레스를 줄이기 위한 방법으로 전면에 접착제를 도포하지 않고 일부만을 도포한 후 나머지 부분을 충전제로 충전하는 데에 있으므로, 본 발명은 열처리 공정에서 제품이 열에 의한 스트레스의 영향을 받아 제품이 열화되는 것을 방지하는 데에 그 효과가 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019920006896B1
公开(公告)日：1992-08-21
申请号：KR1019880017971
申请日：1988-12-30
IPC: H01L21/00
Abstract: The deive is a low pressure chemical vapor deposition device. In a chamber of semiconductor device to deposit thin film of refractory metal such as tungsten and tungsten silicide, the mixing room is formed with a cylindrical chamber body made of Al, a chamber top wall with a gas inlet hole, a exhaust manifold which forms eight exhausting holes and is placed in lower part of the chamber body, a chamber bottom wall to which vacuum line is connected, and a shower head assembled onto the top wall in the mixing room. The purpose of this device is to improve uniformity of the thin film by changing the structure of gas supply and exhaust lines.
Abstract translation: 该生物是一种低压化学气相沉积装置。 在半导体器件室内沉积诸如钨和硅化钨的难熔金属薄膜，混合室形成有由Al制成的圆柱形腔室，具有气体入口孔的室顶壁，形成八个 排出孔并且被放置在室主体的下部，连接有真空管线的室底壁和组装在混合室中的顶壁上的淋浴喷头。 该装置的目的是通过改变供气和排气管线的结构来改善薄膜的均匀性。
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公开(公告)号：KR100223028B1
公开(公告)日：1999-10-01
申请号：KR1019960065737
申请日：1996-12-14
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G10L13/08
Abstract: 본 발명은 음성 합성기의 지속시간 모델링 장치 및 이를 이용한 모델링 방법에 관한 것으로, 음절내 음소길이가 상기 음절의 길이에 따라 선형적으로 변화한다는 분석결과를 이용하여, 주어진 음절의 길이가 음절 내 음소의 길이와 선형적 관계인 경우에는 그 음소에 대해 모델링된 선형 방정식을 이용하여 음소지속시간을 최적으로 할당하고, 음절 길이와 음소 길이가 비선형적 관계인 경우에는 다층 신경 회로망을 이용한 비선형 모델링 방법으로 음소 지속시간을 모델링하여 음성 합성기의 명료도 및 자연성을 향상시킬 수 있는 음성 합성기의 지속시간 모델링 장치 및 이를 이용한 모델링 방법이 개시된다.
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