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公开(公告)号：KR100135039B1
公开(公告)日：1998-04-20
申请号：KR1019940019491
申请日：1994-08-08
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/027
Abstract: T자형 게이트를 갖는 전계효과트랜지스터(field effect transistor)의 게이트 전극을 형성하기 위한 본 발명의 포토마스크는 투명한 석영층과, 이 투명한 석영층의 한 표면 위에 형성되어서 T-게이트의 다리 부위의 패턴닝을 위한 주 패턴과, 주 패턴 주위에 배치되어서 T-게이트의 머리 부위의 선폭 변화를 조절하기 위한 한개 이상의 보조 패턴을 포함하는, 주 패턴과 보조 패턴은 불투명막으로 형성되는, 하부의 마스크층(1)과; 하부의 마스크층(1)의 다른 한 표면 위에 형성되고, 투명한 막으로 규칙적으로 형성되는 복수의 위상 격자(phase grating) 패턴들을 갖는 상부의 마스크층(2)으로 구성된다.
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公开(公告)号：KR1019960008982A
公开(公告)日：1996-03-22
申请号：KR1019940019491
申请日：1994-08-08
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/027
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公开(公告)号：KR1019950021041A
公开(公告)日：1995-07-26
申请号：KR1019930029353
申请日：1993-12-23
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/027
Abstract: 본 발명은 광노광장치를 이용한 리소그라피 공정시 위상격자로 구성된 미해상 회절층을 사용하여 부분차광막 방식의 해상력 개선을 보완한 구조로 미해상 회절 마스크의 구조를 접목하여 보다 좋은 리소그라피성능을 발휘하게 하는 변형 미해상 회절 마스크 구조 및 제작방법에 관한 것이다. 본 발명의 변형 미해상 회절마스크는 부분 차광막 방법으로 제작된 주 마스크 패턴의 상부에 웨이퍼 위에 상이 전사되지 않는 위상격자 패턴으로 형성된 미해상 회절층이 놓여진 구조로 되어 있었다. 따라서 본 발명은 종래의 DDM의 리소그라피 특성을 개선시켜 주 마스크의 해상력을 높이고 촛점심도를 크게 하는 효과가 있다.
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公开(公告)号：KR100174881B1
公开(公告)日：1999-03-20
申请号：KR1019950024503
申请日：1995-08-07
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명은 포토마스크에 관한 것으로서, 석영 등의 투명 기판의 일측면에 주마스크와 타측면에 상기 주마스크의 해상력을 증가시키는 보조마스크로 이루어지는데, 상기 주마스크는 투명 기판의 일측면에 크롬(Cr) 또는 산화철(Fe
2 O
3 )등과 같은 마스크 패턴 재료나 그밖의 불투명한 물질이 소정 두께로 증착되어 노광 공정시 조사되는 광이 투과되는 것을 방지하는 불투명막과, 이 불투명막이 형성되어 않아 상기 투명 기판이 노출되어 조사되는 광을 동시에 각각 투과시켜 T-게이트전극의 다리 및 머리 부분을 형성하기 위한 제1 및 제2패턴을 가지며, 그리고, 상기 보조 마스크는 투명 기판 타측면의 소정 부분이 소정 깊이로 에칭되어 투과되는 광의 회절 및 간섭이 일어나도록 상기 조사되는 광의 위상을 변화시키지 않고 투과시키는 투과부를 갖는다.
따라서, 단일의 포토레지스트층에 1번의 노광 공정과 1번의 현상 공정에 의해 T-게이트전극을 형성하기 위한 포토레지스트 패턴을 형성할 수 있으므로 공정을 간단하게 할 수 있으며, 또한, 보조 마스크의 반전부와 투과부를 통과하는 광의 회절 및 보강 간섭에 의해 해상력을 증가시킬 수 있다.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019960009236A
公开(公告)日：1996-03-22
申请号：KR1019950024503
申请日：1995-08-07
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명은 포토마스크에 관한 것으로서, 석영 등의 투명 기판의 일측면에 주마스크와 타측면에 상기 주마스크의 해상력을 증가시키는 보조마스크로 이루어지는 데, 상기 주마스크는 투명 기판의 일측면에 크롬(Cr) 또는 산화철(Fe
2 O
3 ) 등과 같은 마스크 패턴재료나 그밖의 불투명한 물질이 소정 두께로 증착되어 노광 공정시 조사되는 광이 투과되는 것을 방지하는 불투명막과, 이 불투명막이 형성되지 않아 상기 투명 기판이 노출되어 조사되는 광을 동시에 각각 투과시켜 T-게이트전극의 다리 및 머리 부분을 형성하기 위한 제1 및 제2패턴을 가지며, 그리고 상기 보조 마스크는 투명 기판 타측면의 소정 부분이 소정 깊이로 에칭되어 투과되는 광의 회절 및 간섭이 일어나도록 상기 조사되는 광의 위상을 변환시키는 반전부와 조사되는 광의 위상을 변 시키지 않고 투과시키는 투과부를 갖는다. 따라서 단일의 포토레지스트층에 1번 노광 공정과 1번의 현상 공정에 의해 T-게이트전극을 형성하기 위한 포토레지스트 패턴을 형성할 수 있으므로 공정을 간단하게 할 수 있으며, 또한 보조 마스크의 반전부와 투과부를 통과하는 광이 회절 및 보강 간섭에 의해 해상력을 증가시킬 수 있다.-
公开(公告)号：KR1019960011561A
公开(公告)日：1996-04-20
申请号：KR1019940025181
申请日：1994-09-30
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G03F7/20
Abstract: 본 발명은 리소그래피(lithography)에 의한 레지스트 패턴을 형성방법에 관한 것으로서, 특히 이층 레지스트(bilayer resist) 구조를 이용하여 미세 레지스트 패턴을 형성하는 방법에 관한 것이다.
본 발명은 반도체 기판 위에 하층 레지스트를 형성하는 공정과, 상기 하층 레지스트를 갖는 반도체 기판을 전면 노광하는 공정과, 상기 전면 노광된 하층 레지스트 상부에 상층 레지스트를 형성하는 공정과, 소정 패턴을 갖는 마스크를 사용하여 상기 상층 레지스트를 노광하는 공정과, 상기 전면 노광된 하층 레지스트와 상기 마스크 패턴에 상응하여 부분적으로 노광된 상층 레지스트를 현상하여 높은 종횡비를 갖는 미세 레지스트 패턴을 형성하는 공정을 포함하는 미세 레지스트 패턴의 형성방법.-
公开(公告)号：KR100155303B1
公开(公告)日：1999-02-18
申请号：KR1019940035478
申请日：1994-12-21
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/027
Abstract: 본 발명에 따른 T-게이트 형성용 마스크는 불투명과 투명부위만으로 이루어진 종래의 마스크와는 달리, 선택적으로 투과율이 조절된 패턴부위가 배치하고 있으며, 투명한 패턴부위와 투과율이 조절된 패턴부위와의 빛의 위상을 조절하기 위한 위상변환층(phase shift layer)을 갖는다.
또, 본 발명의 마스크는 T-게이트의 다리부위의 패턴형성을 위한 마스크 패턴은 투명한 패턴을 형성하고 투명패턴에 인접하여 T-게이트의 머리부위를 형성하기 위한 반투명한 패턴이 배치된 구조를 갖는다.-
公开(公告)号：KR100144822B1
公开(公告)日：1998-07-01
申请号：KR1019940019492
申请日：1994-08-08
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/812
Abstract: 본 발명은 포토리소그래피에 의해 미세한 선폭으로 T-게이트 패턴을 형성하는 방법을 제공하기 위한 것으로, 본 발명의 방법은 미세 선폭의 해상도를 향상시키기 위해 포지티브 형 포토레지스트(positive type photoresist)를 사용하여 고립선(isolated line)패턴을 형성한 후 저온 CVD방법으로 절연막을 증착하고, 이어 레지스트 패턴을 제거하는 패턴반전(pattern reversal)공정을 사용한다.
본 발명은 미세한 게이트 선폭을 패턴반전공정을 사용하여 보다 용이하게 실현할 수 있는 공정으로서, 조래의 전자빔 리소그래피를 이용한 T-게이트 형성방법에 비하여는 포토리소그래피 기술을 사용하기 때문에 생산성 및 재현성이 우수하다.-
公开(公告)号：KR1019960009234A
公开(公告)日：1996-03-22
申请号：KR1019940019492
申请日：1994-08-08
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/812
Abstract: 본 발명은 포토리소그래피에 의해 미세한 선폭으로 T-게이트 패턴을 형성하는 방법을 제공하기 위한 것으로, 본 발명의 방법은 미세선폭의 해상도를 향상시키기 위해 포지트브형 포토레지스트(positive type photoresist)를 사용하여 고립선(isolated line)의 형성한 후 저온 CVD방법으로 절연막을 증착하고, 이어 레지스트 패턴을 제거하는 패턴반전(pattern reversal)공정을 사용한다.
본 발명은 미세한 게이트 선폭을 패턴반전공정을 사용하여 보다 용이하게 실현할 수 있는 공정으로, 종래의 전자빔 리소그래피를 이용한 T-게이트 형성방법에 비하여는 포토리소그래피 기술을 사용하기 때문에 생산성 및 재현성이 우수하다.
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