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公开(公告)号：KR101232208B1
公开(公告)日：2013-02-12
申请号：KR1020090083162
申请日：2009-09-03
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L23/12
CPC classification number: H01L2224/11 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/73104 , H01L2924/01327 , H01L2924/10253 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 반도체 소자 적층 패키지가 제공된다. 이 패키지는 각각 적어도 하나의 관통 홀 및 적어도 관통 홀을 채우는 관통 전극을 포함하되, 관통 전극들에 의해 서로 전기적으로 연결되는 적층된 반도체 소자들, 관통 전극들의 연결 부위를 제외한 적층된 반도체 소자들 사이에 제공된 접착 물질막, 및 적층된 반도체 소자들이 실장되고 본딩 전극을 갖는 상부면 및 상부면에 대향하는 하부면을 갖는 인쇄 회로 기판을 포함한다. 관통 전극은 금속간 화합물이고, 그리고 적층된 반도체 소자들 중 최하부 반도체 소자의 관통 전극과 인쇄 회로 기판의 본딩 전극은 서로 전기적으로 연결된다.
반도체, 실리콘, 관통 전극, 금속간 화합물, 적층Abstract translation: 目的：提供叠层半导体器件封装及其制造方法，使用具有去除穿透电极或/和凸块的氧化膜的功能的粘合材料膜堆叠半导体器件，从而简化复杂工艺，同时增加机械 可靠性。 构成：穿透孔穿透半导体器件（120a，120b）的至少一部分。 穿透孔填充有穿透电极（140a，140b）。 穿透电极由金属化合物形成。 在穿透电极的至少一端上形成焊料凸块（175a，175b）。 绝缘层（125a，125b）插入在穿透孔的侧壁和穿透电极之间。
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公开(公告)号：KR1020110130214A
公开(公告)日：2011-12-05
申请号：KR1020100049746
申请日：2010-05-27
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L23/045 , H01L23/043 , H01L23/52
CPC classification number: H01L23/481 , H01L21/306 , H01L23/522
Abstract: PURPOSE: A manufacturing method of a semiconductor chip including a penetration electrode is provided to remove an edge of a first substrate without adding a resizing process by removing a recess region in forming a penetration hole. CONSTITUTION: In a manufacturing method of a semiconductor chip including a penetration electrode, a first substrate(100) has first and second sides which are faced with each other. The first side of the first substrate is selectively etched to form a recess region and a reserved penetration hole. A metal layer(160) is formed on one side of the second substrate(150). The metal layer of the second substrate and the first side of the first substrate are combined to form a combination structure. A penetration hole exposes the metal layer to the outside. A penetration electrode(140) filling a penetration hole is formed.
Abstract translation: 目的：提供一种包括穿透电极的半导体芯片的制造方法，以在形成贯通孔的同时，通过去除凹部区域而不添加尺寸调整处理来除去第一基板的边缘。 构成：在包括穿透电极的半导体芯片的制造方法中，第一基板（100）具有彼此面对的第一和第二侧面。 选择性地蚀刻第一衬底的第一侧以形成凹陷区域和预留的穿透孔。 金属层（160）形成在第二基板（150）的一侧上。 将第二基板的金属层和第一基板的第一面组合形成组合结构。 穿透孔将金属层暴露于外部。 形成了填充贯通孔的贯通电极（140）。
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公开(公告)号：KR1020110024964A
公开(公告)日：2011-03-09
申请号：KR1020090083162
申请日：2009-09-03
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L23/12
CPC classification number: H01L2224/11 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/73104 , H01L2924/01327 , H01L2924/10253 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: PURPOSE: A stacked semiconductor device packages and a method for fabricating the same are provided to stack semiconductor devices using an adhesive material film with a function which removes an oxidization film of a penetration electrode or/and a bump, thereby simplifying complex processes while increasing mechanical reliability. CONSTITUTION: A penetration hole penetrates at least a part of a semiconductor device(120a,120b). The penetration hole is filled with a penetration electrode(140a,140b). The penetration electrode is formed of a compound of metals. A solder bump(175a,175b) is formed on at least one end of the penetration electrode. An insulating layer(125a,125b) is interposed between a sidewall of the penetration hole and the penetration electrode.
Abstract translation: 目的：提供叠层半导体器件封装及其制造方法，使用具有去除穿透电极或/和凸块的氧化膜的功能的粘合材料膜堆叠半导体器件，从而简化复杂工艺，同时增加机械 可靠性。 构成：穿透孔穿透半导体器件（120a，120b）的至少一部分。 穿透孔填充有穿透电极（140a，140b）。 穿透电极由金属化合物形成。 在穿透电极的至少一端上形成焊料凸块（175a，175b）。 绝缘层（125a，125b）插入在穿透孔的侧壁和穿透电极之间。
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