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公开(公告)号：KR1019930008953A
公开(公告)日：1993-05-22
申请号：KR1019910018985
申请日：1991-10-28
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/20
Abstract: 본 발명은 바이폴라 트랜지스터 혹은 BICMOS 트랜지스터 등과 같은 반도체장치에서 매입층(burried layer)으로 실리사이드(silicide)를 사용하여 에피택셜층(epitaxial layer)을 형성시키는 방법에 관한 것이다.
본 발명의 방법은 실리콘 기판(1)상에 소정 두께의 금속막을 증착하고 열처리 하여 실리사이드층(6)을 형성시키거나, 금속과 실리콘을 실리사이드의 조성으로 동시에 증착시켜 열처리 함으로써 실리사이드 상(silicide phase)을 형성시키는 단계와; 실리콘과 실리사이드의 정합성장을 이용하여 상기 실리사이드층(6)의 표면에 실리콘을 증착하거나, 상기 실리사이드 상을 소정의 온도로 가열하여 정합실리콘 에피택셜층(7)을 형성시킨 후 그것을 결정성장의 핵으로 이용하여 실리콘을 증착시킴으로써 n
- 에피택셜층(5)을 형성시키는 단계 및; 트렌치(trench)를 형성한 후 격리층(8)을 주입시키는 단계를 포함하여 종래의 방법에 비해 전자의 이동속도를 10내지 100배 정도 빠르게 할 수 있어 고속동작 특성이 훨씩 뛰어나 반도체 장치를 제조할 수 있을 뿐만 아니라 아웃-도핑(out-doping) 현상을 제거함으로써 n
- 에피택셜층의 두께를 정확히 조절할 수 있으며 결정결함이 적은 에피택셜층의 형성이 가능하다.-
公开(公告)号：KR1019970052066A
公开(公告)日：1997-07-29
申请号：KR1019950053664
申请日：1995-12-21
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/205
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公开(公告)号：KR1019950002174B1
公开(公告)日：1995-03-14
申请号：KR1019910018985
申请日：1991-10-28
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/20
Abstract: The method includes the steps of depositing a metal film of 300-500 angstrom thickness on a silicon substrate (1) to heat-treat the substrate at 750 degree C. to form a silicide layer (6) of 1000 angstrom thickness thereon, heating the silicide layer (6) at 900-1200 degree C. to form a matched silicon epitaxial layer(7) thereon by a solid phase epitaxy, using the layer (7) as a nucleus to form an n epitaxial layer (5) thereon, and forming a trench thereinto to fill the trench with an irolating layer (8), thereby using the epitaxial silicon as a nucleus for the epitaxial growth to reduce crystal defects.
Abstract translation: 该方法包括以下步骤：在硅衬底（1）上沉积300-500埃厚度的金属膜，以在750℃下对衬底进行加热处理，以形成其厚度为1000埃的硅化物层（6），加热 硅化物层（6），在900-1200℃下通过固相外延形成匹配的硅外延层（7），使用该层（7）作为核，在其上形成n外延层（5），以及 在其中形成沟槽以用移动层（8）填充沟槽，从而使用外延硅作为外延生长的核以减少晶体缺陷。
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