KR102230001B1 - Large caliber array type terahertz wave generating device having photonic crystal structure

    公开(公告)号:KR102230001B1

    公开(公告)日:2021-03-19

    申请号:KR1020150148491A

    申请日:2015-10-26

    Inventor: 문기원 박경현

    CPC classification number: G01J3/42 H01S1/02 G01J2003/423

    Abstract: 포토닉 크리스탈 구조의 대구경 테라헤르츠 발생 장치는 제1 방향으로 확장된 제1 라인 패턴, 상기 제1 라인 패턴과 연결되고 상기 제1 방향과 교차된 제2 방향으로 확장된 복수의 제2 라인 패턴들 및 상기 제1 라인 패턴과 연결되고 상기 제2 방향으로 확장되고 상기 복수의 제2 라인 패턴들의 사이에 위치되고 상기 제2 라인 패턴들에 비해 긴 길이를 갖는 복수의 제3 라인 패턴들을 포함하는 제1 전극; 및 상기 제1 방향으로 확장된 제4 라인 패턴, 상기 제4 라인 패턴과 연결되고 상기 제2 방향으로 확장된 복수의 제5 라인 패턴들 및 상기 제4 라인 패턴과 연결되고 상기 제2 방향으로 확장되고 상기 복수의 제5 라인 패턴들의 사이에 위치되고 상기 제5 라인 패턴들에 비해 긴 길이를 갖는 복수의 제6 라인 패턴들을 포함하고, 상기 제1 전극과 마주하여 배치된 제2 전극을 포함한다.

    포토믹서 및 그의 제조방법
    2.
    发明申请
    포토믹서 및 그의 제조방법 审中-公开
    照相混合器及其制造方法

    公开(公告)号:WO2014046465A1

    公开(公告)日:2014-03-27

    申请号:PCT/KR2013/008415

    申请日:2013-09-17

    Abstract: 기존 광대역 테라헤르츠 분광시스템의 핵심부품인 PCA 및 포토믹서의 현존하는 제한적인 요소를 근본적으로 해결한 포토믹서 및 그의 제조방법을 제시한다. 제시된 포토믹서는 기판의 상면에 형성되되 광이 입사되는 영역에 형성된 활성층, 및 기판의 상면에 형성되되 광이 입사되는 영역을 제외한 나머지 영역에 형성된 열전도층을 포함한다. 활성층은 메사형 단면을 갖도록 형성되고, 열전도층은 광이 입사되는 영역을 제외한 영역에 MOCVD법으로 재성장되어 평탄화된 표면을 갖게 된다.

    Abstract translation: 本发明涉及一种基本上解决现有宽带太赫兹光谱系统的关键组件的PCA和光混合器的现有局限性的光混合器及其制造方法。 根据本发明的光混合器包括:形成在形成在基板的上表面上的光入射区域中的有源层; 以及形成在所述光入射区域以外的区域中并且形成在所述基板的上表面上的导热层。 有源层形成为具有台面型横截面,并且通过MOCVD方法在除了光入射区域之外的区域中重新生长导热层以具有平坦的表面。

    테라헤르츠파 장치
    3.
    发明授权
    테라헤르츠파 장치 有权
    TERAHERTZ WAVE APPARATUS

    公开(公告)号:KR101453472B1

    公开(公告)日:2014-10-21

    申请号:KR1020100055614

    申请日:2010-06-11

    Abstract: 테라헤르츠파 장치가 제공된다. 테라헤르츠파 장치는 고정된 제 1 파장을 가지는 제 1 레이저 광을 발진하는 파장 고정 레이저, 가변하는 제 2 파장을 가지는 제 2 레이저 광을 발진하는 파장 훑음 레이저, 제 1 레이저 광과 제 2 레이저 광을 결합시키는 커플러 및 커플러에서 방출된 혼합광을 테라헤르츠파로 변환하는 발생기를 포함하되, 테라헤르츠파의 주파수가 연속적으로 가변되도록 구성된다. 또한, 연속적으로 주파수가 가변되는 테라헤르츠파를 검출하는 검출기를 포함하여 고속 테라헤르츠파의 분광이 가능하다.

    테라헤르츠파 장치
    4.
    发明公开
    테라헤르츠파 장치 有权
    TERAHERTZ WAVE APPARATUS

    公开(公告)号:KR1020110093547A

    公开(公告)日:2011-08-18

    申请号:KR1020100055614

    申请日:2010-06-11

    CPC classification number: H01S3/137 H01S3/109 H01S3/1608 H01S3/1618

    Abstract: PURPOSE: A terahertz wave apparatus is provided to use a wavelength fixed laser and wavelength swept laser, thereby producing a high speed frequency varying terahertz wave. CONSTITUTION: A wavelength fixed laser(310) oscillates a first laser light with a fixed first wavelength. The wavelength fixed laser includes a laser light source and resonator. A wavelength swept laser(320) oscillates a second laser light with a varying second wavelength. The wavelength swept laser is able to continuously scan or sweep a wavelength. A high frequency driver(325) is able to apply pulse type voltage. The wavelength swept laser is able to sweep the second wavelength by the high frequency driver. A coupler(330) combines the first laser light and the second laser light. A generator(340) generates a terahertz wave with a frequency corresponding to wavelength difference of the first wavelength and second wavelength.

    Abstract translation: 目的:提供一种使用波长固定激光和波长扫描激光器的太赫波装置,从而产生高速变频太赫兹波。 构成:波长固定激光器(310)以固定的第一波长振荡第一激光。 波长固定激光器包括激光光源和谐振器。 波长扫描激光器(320)振荡具有变化的第二波长的第二激光。 波长扫描激光器能够连续扫描或扫描波长。 高频驱动器(325)能够施加脉冲型电压。 波长扫描激光器能够通过高频驱动器扫描第二波长。 耦合器(330)组合第一激光和第二激光。 发生器(340)产生具有对应于第一波长和第二波长的波长差的频率的太赫兹波。

    테라헤르츠파를 이용한 영상 획득 장치

    公开(公告)号:KR102220889B1

    公开(公告)日:2021-03-02

    申请号:KR1020180030826

    申请日:2018-03-16

    Abstract: 일실시예에따르면, 시료의깊이영상및 평면영상을획득하는영상획득장치일수 있다. 이때, 영상획득장치는테라헤르츠파를생성하는빔 소스(beam source); 상기빔 소스에서출력되는상기테라헤르츠파의각도보다상기테라헤르츠파의각도를확장하는빔 확장기(beam expander); 상기빔 확장기를투과한테라헤르츠파의교차하는위치에배치되어, 상기테라헤르츠파의진행하는방향을조절하는빔 스플리터(beam splitter); 상기방향이조절된테라헤르츠파가시료(sample)에서반사되고, 상기시료에서반사된테라헤르츠파를수신한빔 스플리터로부터출력되는테라헤르츠파를수신하여, 산란된테라헤르츠파를출력하는빔 산란기(beam diffuser); 상기빔 산란기에서산란된테라헤르츠파의초점위치를결정하는텔레센트릭렌즈(telecentric f-θ lens); 상기텔레센트릭렌즈를투과한상기테라헤르츠파를반사하는빔 스캐너(beam scanner); 및상기시료의영상을획득하기위해상기빔 스캐너에서상기반사된테라헤르츠파를검출하는빔 검출기(beam detector)를포함할수 있다.

    박막 히터 집적 파장가변 분포 궤환형 레이저 다이오드
    9.
    发明公开
    박막 히터 집적 파장가변 분포 궤환형 레이저 다이오드 审中-实审
    薄膜加热器集成波长可变分布反馈激光二极管

    公开(公告)号:KR1020170055902A

    公开(公告)日:2017-05-22

    申请号:KR1020160065754

    申请日:2016-05-27

    Abstract: 본발명은박막히터가집적된파장가변분포궤환형(distributed feedback; 이하, DFB) 레이저다이오드에관한것이다. 본발명의실시예에의한박막히터집적파장가변분포궤환형레이저다이오드는, 기판과, 상기기판상에적층된하부클래드층, 회절격자, 활성층, 상부클래드층, 오믹층, 상부전극및 절연층과, 상기절연층상에위치되는발열영역을포함한박막히터를포함하며, 상기회절격자의길이가활성층도파로의길이보다작게형성되고, 상기박막히터의발열영역의길이가상기회절격자가배치되는회절격자영역의길이이상인것을특징으로한다.

    Abstract translation: 本发明反馈有薄膜加热器集成波长分布类型的变量;涉及(分布式反馈或更少,DFB)激光二极管。 根据本发明,在基板和基板上层叠在衍射光栅,活性层,上部包层,所述欧姆层,所述上部电极和所述绝缘层和所述下包层的实施例的示例性薄膜加热器集成可调谐的分布反馈激光二极管 衍射光栅区包括薄膜加热器包括一个热生成区域位于所述绝缘层上,所述衍射的长度光栅被形成为比所述有源波导的长度小,薄膜加热器的发热区域的长度布置成使得所述衍射光栅 线数超过两个。

    플래시 메모리 장치를 위한 주소변환 시스템 및 그 방법
    10.
    发明公开
    플래시 메모리 장치를 위한 주소변환 시스템 및 그 방법 审中-实审
    用于闪存存储器件上的高效地址转换的系统和方法

    公开(公告)号:KR1020150083264A

    公开(公告)日:2015-07-17

    申请号:KR1020140002821

    申请日:2014-01-09

    CPC classification number: G06F12/0246 G06F12/10 G06F2212/7201

    Abstract: 본발명은플래시메모리장치를위한주소변환시스템및 그방법에관한것으로, 특히, 플래시메모리장치의관리에있어서플래시메모리의외부에제공하는논리주소와실제플래시메모리의물리주소사이의주소변환을효율적으로수행할수 있도록하는기술이다. 이러한본 발명은스토리지클라이언트들로부터데이터페이지의기록요청이있는경우물리주소공간을할당하여해당데이터페이지를기록하며, 물리주소와논리주소간의주소변환을수행하는플래시메모리시스템; 및플래시메모리시스템과상기스토리지클라이언트사이에형성되어논리주소를제공하는논리주소공간을포함한다.

    Abstract translation: 本发明涉及一种用于在闪速存储器件上有效地址传输的系统和方法,能够在管理闪速存储器时实现在实际闪速存储器上的物理地址之间的地址传输和在闪存之外提供的逻辑地址的有效性能 设备。 本发明可以包括:闪速存储器系统,其在从存储客户端接收到数据页的记录请求并且在物理和逻辑地址之间执行地址传输的情况下通过对准物理地址空间来记录相关数据页; 以及在闪存系统和存储客户端之间提供的逻辑地址空间。

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