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公开(公告)号：WO2020159003A1
公开(公告)日：2020-08-06
申请号：PCT/KR2019/004500
申请日：2019-04-15
Applicant: 한국표준과학연구원
IPC: H05H1/00 , H01J37/32 , H01L21/683
Abstract: 본 발명은 평면형 플라즈마 진단 장치에 관한 것으로서, 주파수가 가변되는 마이크로웨이브를 플라즈마에 인가하는 송신 안테나; 상기 플라즈마로부터 상기 마이크로웨이브를 수신하는 수신 안테나; 상기 송신 안테나와 상기 수신 안테나가 서로 절연되도록 감싸는 몸체부;를 포함하고, 상기 송신 안테나의 마이크로웨이브를 인가하는 상부면과 상기 수신 안테나의 마이크로웨이브를 수신하는 상부면이 평면형이고, 상기 송신 안테나와 상기 수신 안테나의 상기 상부면의 측면이 서로 대향하는 것을 특징으로 한다.
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公开(公告)号：WO2018128339A1
公开(公告)日：2018-07-12
申请号：PCT/KR2018/000008
申请日：2018-01-02
Applicant: 한국표준과학연구원
Abstract: 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 발생 장치는 플라즈마 발생부를 포함한다. 상기 플라즈마 발생부는, 구형 또는 타원체형의 케비티를 구비한다. 상기 플라즈마 발생부는 상기 케비티에 RF 전력을 공급받아 전자가 되튐공진하여 플라즈마를 생성한다. 상기 케비티는 외부 공간과 서로 연통되도록 플라즈마 추출 홀을 포함한다.
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公开(公告)号：WO2022114473A1
公开(公告)日：2022-06-02
申请号：PCT/KR2021/012384
申请日：2021-09-11
Applicant: 한국표준과학연구원
Abstract: 본 발명의 반도체 양자점의 생성 방법에 관한 것으로서, 기판 상부에 비정질 반도체 박막을 증착하는 단계; 상기 비정질 반도체 박막 상부에 플라즈마를 형성하고 이로부터 상기 비정질 반도체 박막에 이온 에너지를 전달하여 결정질 나노입자를 생성하는 단계; 상기 비정질 반도체 박막과 상기 결정질 나노입자에 이온 에너지를 더 전달하여 상기 결정질 나노입자를 성장시키는 단계; 상기 결정질 나노입자가 성장하여 양자점이 생성되는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
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公开(公告)号：KR101850895B1
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：KR1020170000559
申请日：2017-01-03
Applicant: 한국표준과학연구원
CPC classification number: H01J37/32082 , H01J37/32174 , H01J37/3244 , H01J37/32458 , H01J37/32715 , H01J37/32834 , H05H1/46
Abstract: 본발명의일 실시예에따른플라즈마발생장치는플라즈마발생부를포함한다. 상기플라즈마발생부는, 구형또는타원체형의케비티를구비한다. 상기플라즈마발생부는상기케비티에 RF 전력을공급받아전자가되튐공진하여플라즈마를생성한다. 상기케비티는외부공간과서로연통되도록플라즈마추출홀을포함한다.
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公开(公告)号：KR102011456B1
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：KR1020180010245
申请日：2018-01-26
Applicant: 한국표준과학연구원
IPC: H01L21/02 , H01J37/32 , H01L21/67 , C23C16/455 , C23C16/448
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101972739B1
公开(公告)日：2019-04-25
申请号：KR1020170096592
申请日：2017-07-29
Applicant: 한국표준과학연구원
IPC: H01L21/285 , H01L21/3065 , H01L21/033
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公开(公告)号：KR101916702B1
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：KR1020170140397
申请日：2017-10-26
Applicant: 한국표준과학연구원
IPC: H01J37/32
Abstract: 본발명의외부정자기장측정장치및 측정방법을제공한다. 이외부정자기장측정방법은, 외부정자기장하에서플라즈마내부에서상기외부정자기장과나란히연장되는한 쌍의제1 방사안테나와제1 수신안테나를구비하는제1 컷오프프로브를삽입하는단계; 상기제1 컷오프프로브를회전시키어플라즈마공명주파수가최대가되는제1 각도를결정하는단계; 외부정자기장하에서플라즈마내부에서상기외부정자기장에수직하게연장되는한 쌍의제2 방사안테나와제2 수신안테나를구비한제2 컷오프프로브를삽입하는단계; 상기제2 컷오프프로브를회전시키어플라즈마공명주파수가최소가되는제2 각도를결정하는단계; 및상기제1 각도에서측정된제1 플라즈마공명주파수와상기제2 각도에서측정된제2 플라즈마공명주파수를이용하여상기외부정자기장의세기를산출하는단계를포함한다.
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公开(公告)号：KR101916029B1
公开(公告)日：2018-11-07
申请号：KR1020170112556
申请日：2017-09-04
Applicant: 한국표준과학연구원
IPC: H05H1/46
Abstract: 본발명은플라즈마활성종발생장치에관한것으로, RF 전력공급부, 가스공급부, RF 전극, 바이어스전극을구비하여플라즈마를발생시키는대기압플라즈마발생부; 상기대기압플라즈마발생부로부터발생되는하전입자와활성종이혼재된플라즈마로부터하전입자의확산을방지하고활성종의확산을통하여활성종을추출하는활성종추출부;를포함하고, 상기활성종추출부는상기대기압플라즈마발생부의쉬스길이보다작은직경의홀을갖도록형성되어상기활성종추출부의홀 내부에서플라즈마발생을방지하는것을특징으로한다.
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