Abstract:
본 발명의 일 실시예에 따른 두께 측정 광학 장치는 적외선 대역에서 분광 간섭계를 구성하고 가시광 대역에서 분광 반사계를 일체형으로 구현하여 동시에 박막 및 후막의 두께를 나노미터에서 미터까지의 광범위 멀티스케일 측정 범위에서 자동 시편 조절 기능과 함께 측정할 수 있다.
Abstract:
본 발명은 웨이퍼를 손상시키지 않고 비아홀의 깊이를 정확하게 측정할 수 있는 실리콘 웨이퍼의 비아홀 측정 장치 및 방법에 관한 것으로, 광 투과 특성이 우수한 실리콘 웨이퍼에 광대역 적외선 광을 조사하여 웨이퍼의 각 경계면으로부터 반사되는 빛과 기준광의 간섭 신호로부터 비아홀의 깊이를 측정할 수 있게 한 실리콘 웨이퍼의 비아홀 측정 장치 및 방법에 관한 것이다. 본 발명의 비아홀 측정 장치는 광대역의 적외선 광을 생성하는 광원부와 상기 광원부로부터 생성된 광을 실리콘 웨이퍼에 조사하여 상기 실리콘 웨이퍼로부터 반사된 빛의 간섭 신호의 스펙트럼 주기로부터 웨이퍼에 형성된 비아홀의 깊이를 측정하는 간섭계를 포함한다.
Abstract:
본 발명은 절대 위치 측정 방법, 절대 위치 측정 장치, 및 스케일을 제공한다. 이 스케일은 제1 폭을 가지고 제1 상태를 나타내는 제1 심볼(symbol), 상기 제1 폭을 가지고 제2 상태를 나타내는 제2 심볼을 이용하여 N 스테이지(stage)의 선형 피드백 천이 레지스터의 시퀀스를 가지고 반복적으로 배치된 의사 잡음 코드(Pseudo-random-code)를 대체하여 형성된 스케일 패턴을 포함한다. 제1 심볼은 2 개 이상의 제1 심볼 영역들로 분할되고, 제2 심볼은 2 개 이상으로 제2 심볼 영역들로 분할되고, 제1 심볼과 상기 제2 심볼이 중첩되어 동일한 구조를 가지는 중첩 영역이 적어도 하나는 존재한다.
Abstract:
본 발명은 반사면 프로파일 측정 장치 및 방법을 제공한다. 이 반사면 프로파일 측정 장치는, Twyman-Green 간섭계(120); 상기 Twyman-Green 간섭계의 측정 경로에 배치된 반사 광학 소자(12)를 이동시키는 스캐닝 스테이지(110); 상기 스캐닝 스테이지(110)에 장착되어 이동하는 스테이지 미러(112); 상기 스테이지 미러에서 반사되는 빔을 이용하여 상기 스캐닝 스테이지(110)의 위치와 회전 운동 오차를 측정하는 선형/각도 간섭계(linear/angular interferometer, 150); 및 신호 처리부(130)를 포함한다.
Abstract:
본 발명은 절대거리 측정 장치를 제공한다. 이 절대거리 측정 장치는 모드 잠금 광빗 레이저; 상기 모드 잠금 광빗 레이저의 출력광을 제공받아 기준 경로와 측정 경로로 빔을 분할하는 제1 광 분할기; 상기 기준 경로의 기준 빔을 제공받아 제1 기준 거울와 제2 기준거울로 빔을 분할하는 제2 광 분할기; 상기 제1 광분할기로부터 상기 측정 경로의 측정 빔을 제공받아 반사시키는 측정 대상; 상기 측정 대상으로부터 반사된 빔을 상기 측정 경로를 따라 상기 제1 광 분할기를 통하여 제공받고, 상기 제1 기준 거울로부터 반사된 빔, 그리고 상기 제2 기준 거울로부터 반사된 빔을 상기 기준 경로를 따라 상기 제1 광 분할기를 통하여 제공받아 파장에 따른 스펙트럼을 측정하는 광 스펙트럼 분석기; 및 상기 광 스펙트럼 분석기의 측정 결과를 분석하여 상기 측정 대상의 절대거리를 추출하는 연산부를 포함한다.
Abstract:
본 발명은 두께 측정 장치 및 두께 측정 방법을 제공하는 것이다. 이 두께 측정 장치는 제1 파장 및 제2 파장의 레이저 빔을 순차적으로 투명 기판의 제1 위치에 조사하는 파장 가변 레이저; 상기 투명 기판을 투과한 투과 빔을 검출하는 광 검출기;및 제1 파장의 제1 투과 빔의 세기와 상기 제2 파장의 제2 투과 빔의 세기를 이용한 리자주 그래프에서 회전각, 상기 제1 위치에서 상기 투명 기판의 내부 반사에 의한 이웃한 레이들(rays) 사이의 광 경로의 차이(the difference in optical path length), 또는 상기 제1 위치에서 상기 투명 기판의 내부 반사에 의한 이웃한 레이들(rays) 사이의 위상 차이를 추출하는 처리부를 포함한다.