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公开(公告)号：WO2017082541A1
公开(公告)日：2017-05-18
申请号：PCT/KR2016/011359
申请日：2016-10-11
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C07F7/22 , C23C16/06 , C23C16/455 , H01L21/205 , H01L21/02 , C07F5/00
CPC classification number: C07F5/00 , C07F7/22 , C23C16/06 , C23C16/455 , H01L21/02 , H01L21/205
Abstract: 본 발명은 열적 안정성과 휘발성이 개선된 신규한 금속 전구체에 관한 것으로, 상기 금속 전구체를 이용하여 낮은 온도에서 우수한 성장 속도로, 쉽게 양질의 금속 산화물 박막을 제조하는 방법 및 이를 통해 제조된 박막을 제공할 수 있다.
Abstract translation: 这
本发明涉及具有热稳定性和挥发性改进前体，使用金属前体来制备高的生长速度，在低温下容易质量金属氧化物薄膜的方法的新的金属 而由此产生的薄膜。
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公开(公告)号：KR101799158B1
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：KR1020150158237
申请日：2015-11-11
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C07F7/22 , C23C16/06 , C23C16/455 , H01L21/205 , H01L21/02
Abstract: 본발명은열적안정성과휘발성이개선된신규한주석전구체에관한것으로, 상기주석전구체를이용하여낮은온도에서우수한성장속도로, 쉽게양질의주석산화물박막을제조하는방법및 이를통해제조된박막을제공할수 있다.
Abstract translation: 本发明提供了热稳定性，并通过使用锡前体，可容易地制造优良品质的氧化锡薄膜的方法以及通过制备该薄膜涉及一种新的前体的锡的挥发性的提高，与在较低温度下优于增长率 你可以。
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公开(公告)号：KR101742391B1
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：KR1020150158224
申请日：2015-11-11
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C07F5/00 , C23C16/06 , C23C16/455 , H01L21/205 , H01L21/02
Abstract: 본발명은열적안정성과휘발성이개선된신규한인듐전구체에관한것으로, 상기인듐전구체를이용하여낮은온도에서쉽게양질의인듐산화물박막을제조하는방법및 이를통해제조된박막을제공할수 있다.
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公开(公告)号：KR1020170055268A
公开(公告)日：2017-05-19
申请号：KR1020150158224
申请日：2015-11-11
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C07F5/00 , C23C16/06 , C23C16/455 , H01L21/205 , H01L21/02
Abstract: 본발명은열적안정성과휘발성이개선된신규한인듐전구체에관한것으로, 상기인듐전구체를이용하여낮은온도에서쉽게양질의인듐산화물박막을제조하는방법및 이를통해제조된박막을제공할수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种具有改善的热稳定性和挥发性的新型铟前体，并且提供一种通过使用该铟前体和由此制备的薄膜而在低温下容易地生产高质量氧化铟薄膜的方法。
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公开(公告)号：KR1020170055274A
公开(公告)日：2017-05-19
申请号：KR1020150158237
申请日：2015-11-11
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C07F7/22 , C23C16/06 , C23C16/455 , H01L21/205 , H01L21/02
Abstract: 본발명은열적안정성과휘발성이개선된신규한주석전구체에관한것으로, 상기주석전구체를이용하여낮은온도에서우수한성장속도로, 쉽게양질의주석산화물박막을제조하는방법및 이를통해제조된박막을제공할수 있다.
Abstract translation: 本发明提供了热稳定性，并通过使用锡前体，可容易地制造优良品质的氧化锡薄膜的方法以及通过制备该薄膜涉及一种新的前体的锡的挥发性的提高，与在较低温度下优于增长率 你可以。
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