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公开(公告)号：WO2014178684A1
公开(公告)日：2014-11-06
申请号：PCT/KR2014/003957
申请日：2014-05-02
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C23C16/06 , C23C16/448
CPC classification number: C23C16/45553 , C07F15/0046 , C23C16/18 , C23C16/40
Abstract: 본 발명은 화학식 1로 표시되는 루테늄 전구체에 관한 것으로, 상기 루테늄 전구체는 열적 안정성과 휘발성이 향상되고, 박막 증착 시 산소를 사용하지 않아도 되는 장점이 있어 양질의 루테늄 박막을 형성할 수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及由化学式1表示的钌前体，钌前体具有改善的热稳定性和挥发性，并且在沉积薄膜时不必使用氧，因此能够形成高分子量 优质钌薄膜。
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公开(公告)号：WO2017082541A1
公开(公告)日：2017-05-18
申请号：PCT/KR2016/011359
申请日：2016-10-11
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C07F7/22 , C23C16/06 , C23C16/455 , H01L21/205 , H01L21/02 , C07F5/00
CPC classification number: C07F5/00 , C07F7/22 , C23C16/06 , C23C16/455 , H01L21/02 , H01L21/205
Abstract: 본 발명은 열적 안정성과 휘발성이 개선된 신규한 금속 전구체에 관한 것으로, 상기 금속 전구체를 이용하여 낮은 온도에서 우수한 성장 속도로, 쉽게 양질의 금속 산화물 박막을 제조하는 방법 및 이를 통해 제조된 박막을 제공할 수 있다.
Abstract translation: 这
本发明涉及具有热稳定性和挥发性改进前体，使用金属前体来制备高的生长速度，在低温下容易质量金属氧化物薄膜的方法的新的金属 而由此产生的薄膜。
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公开(公告)号：KR1020160010992A
公开(公告)日：2016-01-29
申请号：KR1020140091846
申请日：2014-07-21
Applicant: 한국화학연구원
CPC classification number: C07F5/00 , C23C16/305 , C23C16/407
Abstract: 본발명은신규한인듐전구체, 이의제조방법및 이를이용한박막에관한것으로, 열적안정성및 휘발성이우수하고, 다루기용이한인듐 3가의신규한인듐전구체및 이의제조방법, 그리고이를이용한고순도의인듐함유박막에관한것이다.
Abstract translation: 本发明涉及一种新颖的铟前体及其制备方法和使用该铟前体的薄膜，更具体地说，涉及一种具有优异的热稳定性和挥发性，易于处理的新颖的三价铟铟前体， 其制造方法，以及使用该薄膜的含有高纯度的铟的薄膜。 铟前体由化学式1表示。
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公开(公告)号：KR1020160006491A
公开(公告)日：2016-01-19
申请号：KR1020140086145
申请日：2014-07-09
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: 본발명은하기화학식 1의루테늄화합물및 이의제조방법, 박막을형성하는방법에관한것으로, 하기화학식 1의루테늄화합물은열적안정성과휘발성이우수하여양질의루테늄박막을형성할수 있다. [화학식 1]상기 R내지 R은각각독립적으로수소또는탄소수 1 내지 4의선형또는분지형의알킬기이다.
Abstract translation: 本发明涉及由化学式1表示的钌化合物及其制备方法和薄膜形成方法。 由化学式1表示的钌化合物可以由于热稳定性和优异的挥发性而形成优质的钌薄膜。 在化学式1中，R 1〜R 6各自独立地为氢，或具有1〜4个碳原子的直链或支链烷基。
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公开(公告)号：KR1020150043039A
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：KR1020130121986
申请日：2013-10-14
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: 본발명은하기화학식 1의루테늄화합물및 이의제조방법, 박막을형성하는방법에관한것으로, 하기화학식 1의루테늄화합물은열적안정성이우수하여양질의루테늄박막을형성할수 있다. [화학식 1]
Abstract translation: 本发明涉及化学式1的钌化合物及其制造方法和薄膜的制造方法，其中化学式1的钌化合物具有优异的热稳定性，从而生产出优质的钌薄膜 。 [化学式1]
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020140068719A
公开(公告)日：2014-06-09
申请号：KR1020120136558
申请日：2012-11-28
Applicant: 한국화학연구원
CPC classification number: C07F15/0046 , C23C16/18
Abstract: The present invention relates to a ruthenium precursor represented by Chemical Formula 1. The ruthenium precursor has improved thermal stability and volatility and does not have to use oxygen during the deposition of a thin film so that a good quality ruthenium thin film can be produced. [Chemical Formula 1](In Formula, R1-R12 are independently H, or C1-C4 linear or branched alkyl groups.).
Abstract translation: 本发明涉及由化学式1表示的钌前体。钌前体具有改善的热稳定性和挥发性，并且在沉积薄膜期间不必使用氧气，从而可以生产出优质的钌薄膜。 [化学式1]（式中，R 1 -R 12独立地为H或C 1 -C 4直链或支链烷基）。
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公开(公告)号：KR101742391B1
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：KR1020150158224
申请日：2015-11-11
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C07F5/00 , C23C16/06 , C23C16/455 , H01L21/205 , H01L21/02
Abstract: 본발명은열적안정성과휘발성이개선된신규한인듐전구체에관한것으로, 상기인듐전구체를이용하여낮은온도에서쉽게양질의인듐산화물박막을제조하는방법및 이를통해제조된박막을제공할수 있다.
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公开(公告)号：KR1020170055268A
公开(公告)日：2017-05-19
申请号：KR1020150158224
申请日：2015-11-11
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C07F5/00 , C23C16/06 , C23C16/455 , H01L21/205 , H01L21/02
Abstract: 본발명은열적안정성과휘발성이개선된신규한인듐전구체에관한것으로, 상기인듐전구체를이용하여낮은온도에서쉽게양질의인듐산화물박막을제조하는방법및 이를통해제조된박막을제공할수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种具有改善的热稳定性和挥发性的新型铟前体，并且提供一种通过使用该铟前体和由此制备的薄膜而在低温下容易地生产高质量氧化铟薄膜的方法。
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