公开(公告)号：KR101636490B1

公开(公告)日：2016-07-05

申请号：KR1020140097453

申请日：2014-07-30

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 박보근 ,  김창균 ,  정택모 ,  전동주 ,  한정환 ,  정석종 ,  이의진

IPC: C07F5/00 ,  C23C16/06

Abstract: 본발명은하기화학식 1로표시되는란탄족금속전구체에관한것으로, 상기란탄족금속전구체는열적으로안정하므로양질의란탄족금속박막을형성할수 있다. [화학식 1](상기식에서, M은란탄족금속이고, R, R는각각독립적으로 C1-C10의선형또는분지형알킬기, 플루오르화알킬기이고, R은 H이거나, C1-C4의선형또는분지형알킬기, 플루오르화알킬기이고, R및 R는각각독립적으로 C1-C10의선형또는분지형알킬기이다.)

公开(公告)号：KR1020160015037A

公开(公告)日：2016-02-12

申请号：KR1020140097453

申请日：2014-07-30

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 박보근 ,  김창균 ,  정택모 ,  전동주 ,  한정환 ,  정석종 ,  이의진

IPC: C07F5/00 ,  C23C16/06

CPC classification number: C07F5/003 ,  C23C16/18 ,  C23C16/30

Abstract: 본발명은하기화학식 1로표시되는란탄족금속전구체에관한것으로, 상기란탄족금속전구체는열적으로안정하므로양질의란탄족금속박막을형성할수 있다. [화학식 1](상기식에서, M은란탄족금속이고, R, R는각각독립적으로 C1-C10의선형또는분지형알킬기, 플루오르화알킬기이고, R은 H이거나, C1-C4의선형또는분지형알킬기, 플루오르화알킬기이고, R및 R는각각독립적으로 C1-C10의선형또는분지형알킬기이다.)

Abstract translation: 本发明涉及由化学式1表示的镧系元素金属前体，其由热稳定化并可形成高质量的镧系元素金属薄膜。 在化学式1中，M是镧系金属; R_1和R_2分别表示C1至C10的直链或支链烷基和分别为烷基氟的基团; R_3是H，C1至C10的直链或支链烷基或烷基氟基; 且R_4和4_5各自表示C1至C10的直链或支链型烷基。 根据本发明，可以在低温下获得镧系元素金属薄膜的优良品质。