-
公开(公告)号：KR1020160086459A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：KR1020150003232
申请日：2015-01-09
Applicant: 현대자동차주식회사 , 기아자동차주식회사 , 중앙대학교 산학협력단
Abstract: 본발명은광섬유표면에특정패턴을형성하여입력파장중 특정파장만이반사되도록하는광섬유센서와; 보강섬유와인더에설치되어상기광섬유센서가보강섬유와동일한방향으로와인딩중 자동으로삽입되도록하는광섬유센서의고정및 릴리즈기능을지니는광섬유센서와인더와; 상기광섬유센서를통해수집한파장변화값을솔레노이드밸브를통해입력받아변형률로변환하는신호변환부와; 상기신호변환부로부터변형률값을입력받아이를기 설정된변형률수치와비교하여고압가스탱크의거동에대한정상여부를판단하고, 상기판단결과가출력부를통해시험검사자또는운전자에게전달되도록하는중앙제어부를포함하는와인딩시스템을제공함과아울러, 이와인딩시스템을이용하여자동화된광섬유삽입방법을제공함으로써, 고압가스탱크성형공정과센서삽입공정을동시에자동화로진행할수 있어성형효율성이증대되고, 건전성모니터링고압가스탱크의대량양산과이를통한상용화가가능하며, 광섬유센서를솔레노이드밸브에직접연결함으로써차량으로고압가스탱크정보를통합송신하여시스템을간소화함은물론, 고압가스탱크의이상유무를실시간으로파악하여탱크파열또는가스누출사고를미연에방지하고, 내압방출및 가스공급차단등 능동적대체가가능한효과를기대할수 있다.
Abstract translation: 本发明提供了一种卷绕系统，包括光纤传感器，光纤传感器卷绕器，信号转换部件和中央控制部件。 光纤传感器在光纤表面上形成特定的图形以允许反射输入波长中的特定波长。 光纤传感器卷绕器安装在增强纤维卷绕机上，具有固定和释放光纤传感器的功能，使得光纤传感器在光纤传感器沿增强纤维的相同方向缠绕时自动插入。 信号转换部通过电磁阀接收通过光纤传感器收集的波长变化值的输入，并将波长变化值变换为变形率。 中央控制部从信号转换部接收变形率值的输入，将变形率值与预先设定的变形率值进行比较，判定高压气罐是否正常工作，将判定结果传送给检查员 驱动器通过输出部分。 使用卷绕系统的自动化光纤插入方法被设置成同时且自动地执行高压气罐形成过程和传感器插入过程，从而提高成形效率。 大规模生产具有健全性监测的高压气罐是可能的，也可以通过批量生产进行商业化。 光纤传感器直接连接到电磁阀，使得高压气罐上的信息被一体地传输到车辆，从而实现系统的简化。 而且，实时地确定高压气罐是否有异常，以防止由于罐的破损或气体的泄漏引起的事故。 此外，可以实现诸如释放内压，阻塞气体供应等的主动测量。
-
公开(公告)号：KR101646434B1
公开(公告)日：2016-08-08
申请号：KR1020150003232
申请日：2015-01-09
Applicant: 현대자동차주식회사 , 기아자동차주식회사 , 중앙대학교 산학협력단
Abstract: 본발명은광섬유표면에특정패턴을형성하여입력파장중 특정파장만이반사되도록하는광섬유센서와; 보강섬유와인더에설치되어상기광섬유센서가보강섬유와동일한방향으로와인딩중 자동으로삽입되도록하는광섬유센서의고정및 릴리즈기능을지니는광섬유센서와인더와; 상기광섬유센서를통해수집한파장변화값을솔레노이드밸브를통해입력받아변형률로변환하는신호변환부와; 상기신호변환부로부터변형률값을입력받아이를기 설정된변형률수치와비교하여고압가스탱크의거동에대한정상여부를판단하고, 상기판단결과가출력부를통해시험검사자또는운전자에게전달되도록하는중앙제어부를포함하는와인딩시스템을제공함과아울러, 이와인딩시스템을이용하여자동화된광섬유삽입방법을제공함으로써, 고압가스탱크성형공정과센서삽입공정을동시에자동화로진행할수 있어성형효율성이증대되고, 건전성모니터링고압가스탱크의대량양산과이를통한상용화가가능하며, 광섬유센서를솔레노이드밸브에직접연결함으로써차량으로고압가스탱크정보를통합송신하여시스템을간소화함은물론, 고압가스탱크의이상유무를실시간으로파악하여탱크파열또는가스누출사고를미연에방지하고, 내압방출및 가스공급차단등 능동적대체가가능한효과를기대할수 있다.
-
公开(公告)号：KR100887805B1
公开(公告)日：2009-03-09
申请号：KR1020070092367
申请日：2007-09-12
Applicant: 현대자동차주식회사 , 재단법인서울대학교산학협력재단
CPC classification number: H01L27/0266 , H01L29/7302
Abstract: An apparatus for protecting insulated gate bipolar transistor is provided to strengthen a protection of an IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor) module by integrating a protective circuit inside the IGBT. A main IGBT(100) includes a p-type floating well(110). A current detecting circuit includes a first MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)(210). The first MOSFET detects a current flowing through the p-type floating well, and supplies a voltage to a gate of a second MOSFET(310) inside a pull-down circuit. The second MOSFET turns on by supplying the voltage to the current detecting circuit, and reduces a gate voltage of the main IGBT. A voltage of the p-type floating well is supplied to a gate and a drain of the first MOSFET device.
Abstract translation: 提供一种用于保护绝缘栅双极晶体管的装置，通过在IGBT内集成保护电路来加强对IGBT（绝缘栅双极晶体管）模块的保护。 主IGBT（100）包括p型浮动井（110）。 电流检测电路包括第一MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）（210）。 第一MOSFET检测流过p型浮动阱的电流，并向下拉电路内的第二MOSFET（310）的栅极提供电压。 第二个MOSFET通过向电流检测电路提供电压而导通，并降低主IGBT的栅极电压。 p型浮置阱的电压被提供给第一MOSFET器件的栅极和漏极。
-
-
Search Results
3
records
(took 0.021 seconds)
