FMCW-LiDAR MIT EINZELPHOTONENDETEKTOREN

    公开(公告)号:DE102024120669A1

    公开(公告)日:2025-01-30

    申请号:DE102024120669

    申请日:2024-07-19

    Applicant: APPLE INC

    Abstract: Eine optische Erfassungseinrichtung schließt einen Sender ein, der konfiguriert ist, um ausgehende frequenzmodulierte (FM) kohärente optische Strahlung in Richtung einer Zielszene zu senden. Ein Empfänger schließt ein Array von Einzelphotonendetektoren ein, die konfiguriert sind, um als Reaktion auf auf die Detektoren einfallende Photonen elektrische Impulse auszugeben. Eine Optik bildet die Zielszene auf dem Array ab, während ein Teil der ausgehenden kohärenten optischen FM-Strahlung umgeleitet wird, um einen lokalen Strahl zu bilden, der sich mit eingehender optischer Strahlung aus der Zielszene vermischt. Eine Verarbeitungsschaltlogik ist konfiguriert, um Zählwerte der elektrischen Impulse, die von den Einzelphotonendetektoren als Reaktion auf die gemischte optische Strahlung ausgegeben werden, in Abhängigkeit von der Zeit zu berechnen, um Schwebungsfrequenzen aus den berechneten Zählwerten zu extrahieren und als Reaktion auf die Schwebungsfrequenzen Entfernungen von Punkten in der Zielszene zu messen.

    SPAD ARRAY WITH PIXEL-LEVEL BIAS CONTROL
    3.
    发明公开
    SPAD ARRAY WITH PIXEL-LEVEL BIAS CONTROL 审中-公开
    SPAD-ARRAYS MIT VORSPANNUNGSSTEUERUNG AUF PIXELEBENE

    公开(公告)号:EP3182154A1

    公开(公告)日:2017-06-21

    申请号:EP16201123

    申请日:2016-11-29

    Applicant: APPLE INC

    Abstract: A sensing device (20) includes an array (22) of sensing elements (24). Each sensing element includes a photodiode (36), including a p-n junction, and a local biasing circuit (28), coupled to reverse-bias the p-n junction at a bias voltage greater than a breakdown voltage of the p-n junction by a margin sufficient so that a single photon incident on the p-n junction triggers an avalanche pulse output from the sensing element. A bias control circuit (30) is coupled to set the bias voltage in different ones of the sensing elements to different, respective values that are greater than the breakdown voltage.

    Abstract translation: 感测装置(20)包括感测元件(24)的阵列(22)。 每个感测元件包括光电二极管(36)和局部偏置电路(28),所述光电二极管包括pn结和局部偏置电路(28),所述局部偏置电路被耦合以在大于所述pn结的击穿电压的偏置电压下反向偏置所述pn结, 入射在pn结上的单个光子触发从感测元件输出的雪崩脉冲。 偏压控制电路(30)被耦合以将不同的感测元件中的偏压设定为不同的,各自的值,其大于击穿电压。

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