公开(公告)号：TWI508175B

公开(公告)日：2015-11-11

申请号：TW099101667

申请日：2010-01-21

Applicant: ASM美國股份有限公司 ,  ASM AMERICA, INC.

Inventor： 米利根 羅伯特B ,  MILLIGAN, ROBERT B. ,  李 東 ,  LI, DONG ,  馬庫斯 史蒂芬 ,  MARCUS, STEVEN

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L23/562 ,  C23C16/32 ,  C23C16/36 ,  C23C16/45542 ,  H01L21/28088 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TW201037768A

公开(公告)日：2010-10-16

申请号：TW099101667

申请日：2010-01-21

Applicant: ASM美國股份有限公司

Inventor： 米利根 羅伯特B ,  李東 ,  馬庫斯 史蒂芬

IPC: H01L

CPC classification number: H01L23/562 ,  C23C16/32 ,  C23C16/36 ,  C23C16/45542 ,  H01L21/28088 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本發明提供使用電漿加強原子層沈積（PEALD）在介電層上形成導電金屬層的方法，以及相關組合物及結構。在藉由PEALD沈積所述導電層之前，藉由非電漿原子層沈積（ALD）製程將電漿障壁層沈積於所述介電層上。所述電漿障壁層減少或防止所述PEALD製程中之電漿反應物對所述介電層之有害影響，且可加強黏合。可在所述非電漿ALD製程及所述PEALD製程兩者中使用相同的金屬反應物。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供使用等离子加强原子层沉积（PEALD）在介电层上形成导电金属层的方法，以及相关组合物及结构。在借由PEALD沉积所述导电层之前，借由非等离子原子层沉积（ALD）制程将等离子障壁层沉积于所述介电层上。所述等离子障壁层减少或防止所述PEALD制程中之等离子反应物对所述介电层之有害影响，且可加强黏合。可在所述非等离子ALD制程及所述PEALD制程两者中使用相同的金属反应物。

公开(公告)号：TW201220367A

公开(公告)日：2012-05-16

申请号：TW100138473

申请日：2011-10-24

Applicant: ASM美國股份有限公司

Inventor： 米利根 羅伯特B ,  李 東 ,  馬庫斯 史蒂芬

IPC: H01L ,  C23C

CPC classification number: H01J37/32009 ,  C23C16/36 ,  C23C16/45542

Abstract: 提供形成三元金屬合金的方法與設備。在一些實施例中,將基板暴露於有機金屬鉭前驅物(包括氮和碳及氫電漿)的交替脈衝之下,藉以沈積碳氮化鉭薄膜。藉由調整電漿參數(特別是電漿强度),膜之化學計量由富含碳變為富含氮。如此,可由相同的前驅物形成具不同特性的膜。例如,可使用相同前驅物在相同模組中沈積n型及p型材料。

Abstract in simplified Chinese: 提供形成三元金属合金的方法与设备。在一些实施例中,将基板暴露于有机金属钽前驱物(包括氮和碳及氢等离子)的交替脉冲之下,借以沉积碳氮化钽薄膜。借由调整等离子参数(特别是等离子强度),膜之化学计量由富含碳变为富含氮。如此,可由相同的前驱物形成具不同特性的膜。例如,可使用相同前驱物在相同模块中沉积n型及p型材料。