公开(公告)号：CN119301639A

公开(公告)日：2025-01-10

申请号：CN202380043401.2

申请日：2023-07-06

Applicant: ASML荷兰有限公司

Inventor： 金生程 ,  张大彤 ,  朱学晨 ,  任志榆 ,  唐亮 ,  叶襄廷

IPC: G06T7/00

Abstract: 公开了一种改进的方法和系统，用于使用检查图像进行瞬态缺陷检查。该方法包括：获取多个检查图像，生成该多个检查图像的平均图像，检测该平均图像中的第一类型缺陷，确定与该第一类型缺陷相对应的掩模区，以及确定该多个检查图像在非掩模区中是否具有第二类型缺陷。

公开(公告)号：CN112640026A

公开(公告)日：2021-04-09

申请号：CN201980056389.2

申请日：2019-08-22

Applicant: ASML荷兰有限公司

Inventor： 任志榆 ,  祃龙 ,  王勇军 ,  蒋军

IPC: H01J37/22 ,  H01J37/28 ,  H01L21/66 ,  G01N23/2251

Abstract: 公开了一种改进的带电粒子束检查装置，更具体公开了一种用于检测薄型器件结构的缺陷的粒子束检查装置。束检查装置包括：带电粒子束源，其用于在时间序列上将带电粒子引导到晶片的受检查的位置处；以及控制器，该控制器被配置为在时间序列上的不同时间对晶片的区域的多个图像(510‑538)进行采样。多个图像被比较，以检测电压对比差异或电压对比改变(560‑564)，以标识薄型器件结构缺陷(562)。

公开(公告)号：CN114364990A

公开(公告)日：2022-04-15

申请号：CN202080061112.1

申请日：2020-08-26

Applicant: ASML荷兰有限公司

Inventor： 蒋军 ,  任志榆 ,  叶宁 ,  张剑

IPC: G01Q30/02 ,  G01Q30/20 ,  H01L21/66

Abstract: 一种带电粒子束系统可以包括初级源(100)、次级源(200)和控制器。初级源可以被配置为将带电粒子束(241)沿光轴发射到样本(201)的区域上。次级源可以被配置为辐照(242)样本的区域。控制器可以被配置为控制带电粒子束系统改变次级源的输出的参数。一种成像方法可以包括：将带电粒子束(241)发射到样本(201)的区域上，用次级源(200)辐照(242)样本的区域，以及改变次级源的输出的参数。

公开(公告)号：CN112714942A

公开(公告)日：2021-04-27

申请号：CN201980061018.3

申请日：2019-09-13

Applicant: ASML荷兰有限公司

Inventor： 祃龙 ,  任志榆 ,  董仲华 ,  张培磊 ,  方伟 ,  李川

IPC: H01J37/28

Abstract: 公开了一种改进的带电粒子束检查装置，更具体地公开了一种用于检查晶片的粒子束装置，包括用于检测快充电缺陷的改进的扫描机构。一种改进的带电粒子束检查装置可以包括带电粒子束源，该带电粒子束源向晶片的区域传送带电粒子并且扫描该区域。改进的带电粒子束装置还可以包括控制器，该控制器包括电路以在时间序列内产生该区域的多个图像，对这些图像被比较以检测快充电缺陷。

公开(公告)号：CN112714942B

公开(公告)日：2025-01-14

申请号：CN201980061018.3

申请日：2019-09-13

Applicant: ASML荷兰有限公司

Inventor： 祃龙 ,  任志榆 ,  董仲华 ,  张培磊 ,  方伟 ,  李川

IPC: H01J37/28

Abstract: 公开了一种改进的带电粒子束检查装置，更具体地公开了一种用于检查晶片的粒子束装置，包括用于检测快充电缺陷的改进的扫描机构。一种改进的带电粒子束检查装置可以包括带电粒子束源，该带电粒子束源向晶片的区域传送带电粒子并且扫描该区域。改进的带电粒子束装置还可以包括控制器，该控制器包括电路以在时间序列内产生该区域的多个图像，对这些图像被比较以检测快充电缺陷。

公开(公告)号：CN118805079A

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN202380023778.1

申请日：2023-02-03

Applicant: ASML荷兰有限公司

Inventor： 雷海容 ,  董茜 ,  郑楚发 ,  浦凌凌 ,  任志榆 ,  林嘉文

IPC: G01N21/95 ,  H01L21/66 ,  G06T7/00 ,  G06V10/764 ,  G06V10/774 ,  G01N23/2251

Abstract: 自动缺陷分类方法可以包括从检查工具获取包括候选缺陷集的图像数据集，制定多个缺陷检查类型和多个滋扰检查类型，并使用机器学习分类器根据缺陷检查类型和滋扰检查类型来对候选缺陷集进行分类。在分类方法中使用多个滋扰检查类型来降低滋扰率。

公开(公告)号：CN116195025A

公开(公告)日：2023-05-30

申请号：CN202180063832.6

申请日：2021-07-27

Applicant: ASML荷兰有限公司

Inventor： B·H·高利 ,  B·拉方丹 ,  蒋军 ,  S·B·汉森 ,  金井建一 ,  J·F·M·范伦斯 ,  C·E·塔贝里 ,  祃龙 ,  O·D·帕特森 ,  张剑 ,  任志榆 ,  王義向

IPC: H01J37/244

Abstract: 公开了使用带电粒子束装置以电压对比模式来观察样本的系统和方法。带电粒子束装置包括：带电粒子源；光源；被配置为检测带电粒子的带电粒子检测器；以及具有电路系统的控制器，其被配置为施加第一信号以使得光源生成光脉冲，将第二信号施加到带电粒子检测器以检测第二多个带电粒子，以及调整第一信号和第二信号之间的时间延迟。在一些实施例中，具有电路系统的控制器还可以被配置为获取结构的多个图像；基于结构的多个图像的灰度级变化率来确定结构的电特性；以及基于所确定的电特性，使用模型来模拟结构的物理特性。

公开(公告)号：CN119852153A

公开(公告)日：2025-04-18

申请号：CN202411949671.2

申请日：2019-09-13

Applicant: ASML荷兰有限公司

Inventor： 祃龙 ,  任志榆 ,  董仲华 ,  张培磊 ,  方伟 ,  李川

IPC: H01J37/28 ,  G01N23/2251 ,  H01J37/26 ,  H01L21/66

Abstract: 公开了一种改进的带电粒子束检查装置，更具体地公开了一种用于检查晶片的粒子束装置，包括用于检测快充电缺陷的改进的扫描机构。一种改进的带电粒子束检查装置可以包括带电粒子束源，该带电粒子束源向晶片的区域传送带电粒子并且扫描该区域。改进的带电粒子束装置还可以包括控制器，该控制器包括电路以在时间序列内产生该区域的多个图像，对这些图像被比较以检测快充电缺陷。

公开(公告)号：CN116325066A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202180065676.7

申请日：2021-07-26

Applicant: ASML荷兰有限公司

Inventor： 任志榆 ,  陈建宏 ,  祃龙 ,  B·拉方丹 ,  张大彤

IPC: H01J37/244

Abstract: 提供了一种用于检查样品的带电粒子束设备。该设备包括像素化电子检测器，该像素化电子检测器用于接收响应于发射的带电粒子束入射到样品上而生成的信号电子。像素化电子检测器包括以网格图案布置的多个像素。多个像素可以被配置为生成多个检测信号，其中每个检测信号与由像素化电子检测器的对应像素接收的信号电子相对应。该设备还包括控制器，该控制器包括被配置为执行以下操作的电路装置：基于由多个像素生成的检测信号来确定样品内的结构的形貌特征，并且基于样品的结构的形貌特征来标识样品内的缺陷。