公开(公告)号：KR20100129212A

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：KR20100049965

申请日：2010-05-28

Applicant: ASML NETHERLANDS BV ,  ASML HOLDING NV

Inventor： DOYTCHEVA MAYA ANGELOVA ,  DUSA MIRCEA ,  VAN HAREN RICHARD JOHANNES FRANCISCUS ,  SEWELL HARRY ,  VAN DER HEIJDEN ROBERTUS WILHELMUS

IPC: H01L21/027 ,  G03F9/00

CPC classification number: H01L21/0273 ,  G03F7/0035 ,  G03F7/40 ,  G03F7/70466 ,  G03F9/7065 ,  G03F9/708 ,  G03F9/7084 ,  Y10T428/24802 ,  Y10T428/24851 ,  H01L21/0274

Abstract: PURPOSE: An apparatus and a method for providing resist aligning marks in a dual patterning lithography process are provided to reinforce the symmetric property of the aligning marks by regulating the thickness of resist layers. CONSTITUTION: A substrate is coated with a first resist layer(1010). A first resist layer is developed to form a first lithography pattern with a first aligning mark(1020). A first lithography pattern is frozen(1030). The frozen first lithography pattern is coated with a second resist layer(1040). The second resist layer is hardened to form a second aligning mark(1050). The second aligning mark is used for perform a successive lithography process(1060).

Abstract translation: 目的：提供一种用于在双重图案化光刻工艺中提供抗蚀剂对准标记的装置和方法，以通过调节抗蚀剂层的厚度来增强对准标记的对称性质。 构成：衬底涂有第一抗蚀剂层（1010）。 显影第一抗蚀剂层以形成具有第一对准标记（1020）的第一光刻图案。 第一个光刻图案被冻结（1030）。 冷冻的第一光刻图案涂覆有第二抗蚀剂层（1040）。 第二抗蚀剂层被硬化以形成第二对准标记（1050）。 第二对准标记用于执行连续的光刻工艺（1060）。

公开(公告)号：JP2010226105A

公开(公告)日：2010-10-07

申请号：JP2010059101

申请日：2010-03-16

Applicant: Asml Holding Nv ,  Asml Netherlands Bv ,  エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. ,  エーエスエムエル ホールディング エヌ.ブイ.

Inventor： SEWELL HARRY ,  DUSA MIRCEA ,  FRANCISCUS VAN HAREN RICHARD JOHANNES ,  TENNER MANFRED GAWEIN ,  DOYTCHEVA MAYA ANGELOVA

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/20 ,  G03F7/38 ,  G03F7/40

CPC classification number: G03F9/7046 ,  G03F7/0035 ,  G03F7/105 ,  G03F7/70466 ,  G03F9/7076 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/32139

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To improve the contrast of an alignment mark, in such a lithography patterning method as a double patterning method for improving the resolution of an optical lithography.
SOLUTION: A system, method, and product for manufacturing a semiconductor device by a lithography which are accompanied by a lithography double patterning process for adding a coloring matter to a first or second lithography pattern are provided. A position of the first lithography pattern is detected, and for aligning the second lithography pattern with the position directly, the coloring matter is used. The contrast of the alignment mark is the property of a fluorescence, light emission, light absorption, or light reflection in a specific or predetermined wavelength region. The used wavelength may coincide with the wavelength of the alignment beam. The coloring matter is detected even when the coloring matter is finished by a radiation sensing layer (for example, a resist).
COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Abstract translation: 要解决的问题：为了提高对准标记的对比度，以这种光刻图案化方法作为用于提高光学光刻的分辨率的双重图案化方法。 解决方案：提供了一种通过光刻制造半导体器件的系统，方法和产品，其伴随着用于将着色物质添加到第一或第二光刻图案的光刻双重图案化工艺。 检测第一光刻图案的位置，并且为了使第二光刻图案与位置直接对准，使用色素。 对准标记的对比度是特定或预定波长区域中的荧光，发光，光吸收或光反射的性质。 所使用的波长可以与对准束的波长一致。 即使当通过辐射感测层（例如抗蚀剂）完成着色物质时也检测着色物质。 版权所有（C）2011，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP2010278434A

公开(公告)日：2010-12-09

申请号：JP2010116832

申请日：2010-05-21

Applicant: Asml Holding Nv ,  Asml Netherlands Bv ,  エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. ,  エーエスエムエル ホールディング エヌ.ブイ.

Inventor： DOYTCHEVA MAYA ANGELOVA ,  DUSA MIRCEA ,  FRANCISCUS VAN HAREN RICHARD JOHANNES ,  SEWELL HARRY ,  VAN DER HEIJDEN ROBERTUS WILHELMUS

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/16 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26

CPC classification number: H01L21/0273 ,  G03F7/0035 ,  G03F7/40 ,  G03F7/70466 ,  G03F9/7065 ,  G03F9/708 ,  G03F9/7084 ,  Y10T428/24802 ,  Y10T428/24851

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for positioning a substrate during a double patterning lithography process. SOLUTION: A first resist layer including at least one alignment mark is formed on a substrate. After the first resist layer is developed, a second resist layer is deposited on the first resist layer, and thereby a flat upper surface is left (namely, there is no topography). The second resist layer is suitably baked to form a symmetrical alignment mark in the second resist layer without or substantially without an offset error from the alignment mark in the first resist layer. Symmetry of the alignment mark formed in the second resist layer is improved by suitably adjusting thicknesses, coating process parameters, and baking process parameters of the first and the second resist layers. COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种在双重图案化光刻工艺期间定位衬底的方法。 解决方案：在基板上形成包括至少一个对准标记的第一抗蚀剂层。 在第一抗蚀剂层显影之后，在第一抗蚀剂层上沉积第二抗蚀剂层，从而留下平坦的上表面（即，不存在形貌）。 第二抗蚀剂层被适当地烘烤以在第二抗蚀剂层中形成对称的对准标记，而没有或基本上没有来自第一抗蚀剂层中的对准标记的偏移误差。 通过适当地调节第一和第二抗蚀剂层的厚度，涂布工艺参数和烘焙工艺参数来改善形成在第二抗蚀剂层中的对准标记的对称性。 版权所有（C）2011，JPO＆INPIT

公开(公告)号：NL1036191A1

公开(公告)日：2009-06-08

申请号：NL1036191

申请日：2008-11-13

Applicant: ASML NETHERLANDS BV

Inventor： LALBAHADOERSING SANJAYSINGH ,  MUSA SAMI ,  WARNAAR PATRICK ,  DOYTCHEVA MAYA ANGELOVA ,  HAREN RICHARD JOHANNES FRANCIS

IPC: G03F7/20 ,  G03F9/00 ,  H01L21/68