公开(公告)号：RU2589482C2

公开(公告)日：2016-07-10

申请号：RU2013120380

申请日：2011-10-04

Applicant: BASF SE

Inventor： RAMAN VIDZHAJ IMMANUEL ,  RITTIG FRANK ,  LI YUJCHZHO ,  CHIU VEJ LAN UILYAM

IPC: C09G1/02 ,  H01L21/306

Abstract: Изобретениенаправленонановуюполирующуюкомпозицию, котораяособеннохорошоподходитдляполированияподложек, имеющихструктурированныеилинеструктурированныедиэлектрическиеслоис низкойилиультранизкойдиэлектрическойпостоянной. Воднаяполирующаякомпозициясодержит (A) абразивныечастицы, выбранныеизгруппы, состоящейизоксидакремния, оксидацерияи ихсмесей, и (B) поменьшеймереодноамфифильноенеионогенноеповерхностно-активноевещество, выбранноеизгруппы, состоящейизрастворимыхв водеилидиспергируемыхв водеповерхностно-активныхвеществ, имеющих (b1) гидрофобныегруппы, выбранныеизгруппы, состоящейизразветвленныхалкильныхгрупп, имеющих 5-20 атомовуглерода; и (b2) гидрофильныегруппы, выбранныеизгруппы, состоящейизполиоксиалкиленовыхгрупп, содержащих (b21) оксиэтиленовыемономерныезвеньяи (b22) замещенныеоксиалкиленовыемономерныезвенья, вкоторыхзаместителивыбраныизгруппы, состоящейизалкильных, циклоалкильныхилиарильных, алкил-циклоалкильных, алкил-арильных, циклоалкил-арильныхи алкил-циклоалкил-арильныхгрупп; гдеуказаннаяполиоксиалкиленоваягруппасодержитмономерныезвенья (b21) и (b22) встатистическом, чередующемся, градиентноми/илиблокоподобномраспределении. Применяюткомпозициюдляпроизводстваэлектрических, механическихи оптическихустройств. Композицияимеетособенновысокуюселективностьпоотношениюк диоксидукремнияпосравнениюс материаламис низкойи ультранизкойдиэлектрическойпостоянной. 3 н. и 12 з.п. ф-лы, 2 табл., 2 пр.

公开(公告)号：RU2579597C2

公开(公告)日：2016-04-10

申请号：RU2012123720

申请日：2010-11-10

Applicant: BASF SE

Inventor： LAUTER MIKHAEL ,  RAMAN VIDZHAJ IMMANUEL ,  LI JUZHUO ,  VENKATARAMAN SHIJAM SUNDAR ,  SHEN DANIEL KVO-KHUNG

IPC: C09G1/02 ,  C09K3/14 ,  H01L21/02 ,  H01L21/304

Abstract: Изобретениеотноситсяк композициидляхимико-механическойполировки, применяемойприизготовленииинтегральныхсхеми микроэлектромеханическихустройств. Композициясодержит (А) поменьшеймереодинтипнеорганическихчастиц, которыедиспергированыв жидкойсреде (В), (Б) поменьшеймереодинтипполимерныхчастиц, которыедиспергированыв жидкойсреде (В), (В) жидкуюсреду, гдедзета-потенциалнеорганическихчастиц (А) вжидкойсреде (В) идзета-потенциалполимерныхчастицв жидкойсреде (В) являютсяположительными. Полимерныечастицы (Б) представляютсобойсополимер, содержащийстироли/илидивинилбензоли метакриламид, иимеютпоменьшеймереодинтипфункцинальнойгруппы, котораяявляетсядиалкиламино-группойилиимидазольнойгруппой, причеммассовоеотношениеполимерныхчастиц (Б) кнеорганическимчастицам (А) находитсяв интервалеот 0,001 до 0,06, авеличинарНкомпозициинаходитсяв интервалеот 4 до 6. Описантакжеспособполучениякомпозициидляхимико-механическойполировки, способпроизводстваполупроводниковыхустройств, включающиххимико-механическуюполировкуи применениекомпозициидляхимико-механическойполировкиповерхностейсубстратов, используемыхв полупроводниковойпромышленностии дляустройствс узкощелевойизоляцией. Техническийрезультат - улучшениехарактеристикполировки, особеннов отношенииинтенсивностисъемаматериалаи шагаснижениявысоты. 5 н. и 7 з.п. ф-лы, 6 табл., 9 пр., 4 ил.