中科微点-全球专利检索

  1. Login
  2. Sign Up

Search Results

46 records (took 0.021 seconds)

    AQUEOUS POLISHING COMPOSITION AND PROCESS FOR CHEMICALLY MECHANICALLY POLISHING SUBSTRATES HAVING PATTERNED OR UNPATTERNED LOW-K DIELECTRIC LAYERS
    2.
    发明公开
    AQUEOUS POLISHING COMPOSITION AND PROCESS FOR CHEMICALLY MECHANICALLY POLISHING SUBSTRATES HAVING PATTERNED OR UNPATTERNED LOW-K DIELECTRIC LAYERS 有权
    含水抛光组合物和方法与结构化或非结构化介电Low-k膜的化学机械抛光SUBSTRATES

    公开(公告)号：EP2625236A4

    公开(公告)日：2014-05-14

    申请号：EP11830272

    申请日：2011-10-04

    Applicant: BASF SE

    Inventor： RAMAN VIJAY IMMANUEL ,  RITTIG FRANK ,  LI YUZHUO ,  CHIU WEI LAN WILLIAM

    IPC: C09G1/02 ,  C09K3/14 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/321

    CPC classification number: H01L21/30625 ,  C09G1/02 ,  C09G1/04 ,  G09G1/02 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/7684

    Abstract: An aqueous polishing composition comprising (A) abrasive particles and (B) an amphiphilic nonionic surfactant selected from the group consisting of water-soluble or water-dispersible surfactants having (b1) hydrophobic groups selected from the group consisting of branched alkyl groups having 10 to 18 carbon atoms; and (b2) hydrophilic groups selected from the group consisting of polyoxyalkylene groups comprising (b21) oxyethylene monomer units and (b22) substituted oxyalkylene monomer units wherein the substituents are selected from the group consisting of alkyl, cycloalkyl, or aryl, alkyl-cycloalkyl, alkyl-aryl, cycloalkyl-aryl and alkyl-cycloalkyl-aryl groups, the said polyoxyalkylene group containing the monomer units (b21) and (b22) in random, alternating, gradient and/or blocklike distribution; a CMP process for substrates having patterned or unpatterned low-k or ultra-low-k dielectric layers making use of the said aqueous polishing composition; and the use of the said aqueous polishing composition for manufacturing electrical, mechanical and optical devices.

    Abstract translation: 在wässrige抛光组合物，包括（A）磨粒和（B）以选自水溶性或水分散性表面活性剂的由具有（B1）选自疏水性基团具有10到支链烷基的由...组成选定的两亲性非离子表面活性剂 18个碳原子; 和（b2）选自聚氧化烯基团，其包含（B21）氧化乙烯单体单元和所选择的亲水性基团（B22）substituiertem氧化烯单体单元worin所述取代基选自烷基，环烷基，或芳基，烷基 - 环烷基的选择， 烷基 - 芳基，环烷基 - 芳基和烷基 - 环烷基 - 芳基，聚氧化烯基团，所述含单体单元（B21）和（B22）在无规，交替，梯度和/或嵌段状分布; 用于基板CMP工艺具有图案化或非图案化的低k或超低k介电层使采用了所述的wässrige抛光组合物; 并且由于使用上述的wässrige研磨用组合物用于制造电子，机械和光学器件。

    Procedimiento de procesamiento de biomasa que contiene celulosa
    3.
    发明专利
    Procedimiento de procesamiento de biomasa que contiene celulosa 未知

    公开(公告)号：ES2725471T3

    公开(公告)日：2019-09-24

    申请号：ES16706820

    申请日：2016-02-18

    Applicant: BASF SE

    Inventor： RITTIG FRANK ,  KOCH STEFAN ,  KINDLER ALOIS ,  KOCH MICHAEL ,  LEIFELD FERDINAND ,  NAVICKAS VAIDOTAS ,  GRUEN MARKUS

    IPC: C08B1/00 ,  C08B15/02 ,  C08H8/00

    Abstract: Procedimiento para procesar la biomasa que contiene celulosa. que comprende la etapa de someter una mezcla de tratamiento que comprende dicha biomasa que contiene celulosa, agua y ácido sulfúrico a una temperatura en el intervalo de 100 5 ºC a 220 ºC a una presión en el intervalo de 100 a 4.000 kPa, en el que la presión se selecciona de manera que al menos una parte del agua esté en estado líquido para generar una biomasa que contiene celulosa tratada, en el que dicha mezcla de tratamiento comprende además uno o más compuestos de fórmula (I)**Fórmula** en la que en la fórmula (I) R1 y R2 se seleccionan independientemente del grupo que consiste en hidrógeno, metilo, etilo, propilo y butilo, cada Rx en cualquiera de dichos grupos x (II)**Fórmula** es independientemente del significado de Rx en los otros grupos (II) seleccionados del grupo que consiste en hidrógeno, metilo, etilo y propilo x es un número entero de 50 a 250, y además comprende una etapa de sacarificación de la biomasa que contiene celulosa tratada para que se formen glucosa y/u otros azúcares.

    ВОДНАЯ ПОЛИРУЮЩАЯ КОМПОЗИЦИЯ И СПОСОБ ХИМИКО-МЕХАНИЧЕСКОГО ПОЛИРОВАНИЯ ПОДЛОЖЕК, ИМЕЮЩИХ СТРУКТУРИРОВАННЫЕ ИЛИ НЕСТРУКТУРИРОВАННЫЕ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СЛОИ С НИЗКОЙ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПОСТОЯННОЙ
    4.
    发明专利
    ВОДНАЯ ПОЛИРУЮЩАЯ КОМПОЗИЦИЯ И СПОСОБ ХИМИКО-МЕХАНИЧЕСКОГО ПОЛИРОВАНИЯ ПОДЛОЖЕК, ИМЕЮЩИХ СТРУКТУРИРОВАННЫЕ ИЛИ НЕСТРУКТУРИРОВАННЫЕ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СЛОИ С НИЗКОЙ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПОСТОЯННОЙ 未知

    公开(公告)号：RU2589482C2

    公开(公告)日：2016-07-10

    申请号：RU2013120380

    申请日：2011-10-04

    Applicant: BASF SE

    Inventor： RAMAN VIDZHAJ IMMANUEL ,  RITTIG FRANK ,  LI YUJCHZHO ,  CHIU VEJ LAN UILYAM

    IPC: C09G1/02 ,  H01L21/306

    Abstract: Изобретениенаправленонановуюполирующуюкомпозицию, котораяособеннохорошоподходитдляполированияподложек, имеющихструктурированныеилинеструктурированныедиэлектрическиеслоис низкойилиультранизкойдиэлектрическойпостоянной. Воднаяполирующаякомпозициясодержит (A) абразивныечастицы, выбранныеизгруппы, состоящейизоксидакремния, оксидацерияи ихсмесей, и (B) поменьшеймереодноамфифильноенеионогенноеповерхностно-активноевещество, выбранноеизгруппы, состоящейизрастворимыхв водеилидиспергируемыхв водеповерхностно-активныхвеществ, имеющих (b1) гидрофобныегруппы, выбранныеизгруппы, состоящейизразветвленныхалкильныхгрупп, имеющих 5-20 атомовуглерода; и (b2) гидрофильныегруппы, выбранныеизгруппы, состоящейизполиоксиалкиленовыхгрупп, содержащих (b21) оксиэтиленовыемономерныезвеньяи (b22) замещенныеоксиалкиленовыемономерныезвенья, вкоторыхзаместителивыбраныизгруппы, состоящейизалкильных, циклоалкильныхилиарильных, алкил-циклоалкильных, алкил-арильных, циклоалкил-арильныхи алкил-циклоалкил-арильныхгрупп; гдеуказаннаяполиоксиалкиленоваягруппасодержитмономерныезвенья (b21) и (b22) встатистическом, чередующемся, градиентноми/илиблокоподобномраспределении. Применяюткомпозициюдляпроизводстваэлектрических, механическихи оптическихустройств. Композицияимеетособенновысокуюселективностьпоотношениюк диоксидукремнияпосравнениюс материаламис низкойи ультранизкойдиэлектрическойпостоянной. 3 н. и 12 з.п. ф-лы, 2 табл., 2 пр.

Patent Agency Ranking