公开(公告)号：WO2010026102A1

公开(公告)日：2010-03-11

申请号：PCT/EP2009/061103

申请日：2009-08-28

Applicant: BASF SE ,  DOMKE, Imme ,  KARPOV, Andrey ,  HIBST, Hartmut ,  PARASHKOV, Radoslav ,  HENNIG, Ingolf ,  KASTLER, Marcel ,  FLEISCHHAKER, Friederike ,  WEBER, Lothar ,  ECKERLE, Peter

Inventor： DOMKE, Imme ,  KARPOV, Andrey ,  HIBST, Hartmut ,  PARASHKOV, Radoslav ,  HENNIG, Ingolf ,  KASTLER, Marcel ,  FLEISCHHAKER, Friederike ,  WEBER, Lothar ,  ECKERLE, Peter

IPC: C09C1/04 ,  C09C3/08 ,  H01L21/368 ,  H01L29/786

CPC classification number: B82Y30/00 ,  C01P2004/62 ,  C01P2004/64 ,  C09C1/043 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02601 ,  H01L21/02628 ,  H01L29/7869 ,  Y10T428/29 ,  Y10T428/2995

Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft Partikel, die mit einem Modifikator modifiziert wurden und ein Dispersionsmittel enthaltend die modifizierten Partikel. Die oberflächenmodifizierten Metall-, Metallhalogenid-, Metallchalkogenid-, Metallnitrid-, Metallphosphid-, Metallborid- oder Metallphosphatpartikel oder Mischungen derselben, weisen einen mittleren Partikeldurchmesser von 1 bis 500 nm auf und deren Oberfläche wurde mit einem oder mehreren Modifikatoren der Formel (I), (II) und (III) modifiziert.

Abstract translation: 本发明涉及经修饰与改性剂和包含修饰的颗粒的分散剂的粒子。 表面改性的金属，金属卤化物，Metallchalkogenid-，金属氮化物，金属磷化物，金属硼化物或金属磷酸盐颗粒，或它们的混合物，具有1至500nm的平均粒径，并且其表面涂有式（I）的一种或多种改性剂， （II）和（III）改性。

公开(公告)号：WO2010146053A1

公开(公告)日：2010-12-23

申请号：PCT/EP2010/058391

申请日：2010-06-15

Applicant: BASF SE ,  FLEISCHHAKER, Friederike ,  DOMKE, Imme ,  KARPOV, Andrey ,  KASTLER, Marcel ,  WLOKA, Veronika ,  WEBER, Lothar

Inventor： FLEISCHHAKER, Friederike ,  DOMKE, Imme ,  KARPOV, Andrey ,  KASTLER, Marcel ,  WLOKA, Veronika ,  WEBER, Lothar

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/368

CPC classification number: H01L21/02422 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/02601 ,  H01L21/02628

Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Schicht enthaltend wenigstens ein halbleitendes Metalloxid auf einem Substrat, umfassend mindestens die Schritte: (A) Aufbringen einer porösen Schicht aus mindestens einem halbleitenden Metalloxid auf ein Substrat, (B) Behandeln der porösen Schicht aus Schritt (A) mit einer Lösung enthaltend wenigstens eine Vorläuferverbindung des halbleitenden Metalloxids, so dass die Poren der porösen Schicht zumindest teilweise mit dieser Lösung gefüllt werden und (C) thermisches Behandeln der in Schritt (B) erhaltenen Schicht, um die wenigstens eine Vorläuferverbindung des halbleitenden Metalloxids in das halbleitende Metalloxid zu überführen, wobei die mindestens eine Vorläuferverbindung des mindestens einen halbleitenden Metalloxids in Schritt (B) ausgewählt ist aus der Gruppe bestehend aus Carboxylaten von Mono-, Di- oder Polycarbonsäuren mit wenigstens drei Kohlenstoffatomen oder Derivaten von Mono-, Di-oder Polycarbonsäuren, Alkoholaten, Hydroxiden, Semicarbaziden, Carbaminaten, Hydroxamaten, Isocyanaten, Amidinen, Amidrazonen, Harnstoffderivaten, Hydroxylaminen, Oximen, Oximaten, Urethanen, Ammoniak, Aminen, Phosphinen, Ammonium-Verbindungen, Nitraten, Nitriten oder Aziden des entsprechenden Metalls und Mischungen davon.

Abstract translation: 本发明涉及一种方法，用于生产包括在衬底上含有至少一个半导电金属氧化物的层的至少如下步骤：（A）在基材上沉积至少一种半导体金属氧化物的多孔层，（B）从步骤处理多孔层（ a）用含有溶液中的半导体金属氧化物中的至少一种前体化合物，使得多孔层的孔至少部分地填充有该溶液和（C）热处理）到半导体金属氧化物中的至少一种前体化合物在步骤（B中获得的层 在半导体金属氧化物，其中，在步骤（B）至少一种半导体金属氧化物的至少一种前体化合物选自具有至少三个碳原子，或单 - ，二 - 的衍生物选自单 - ，二 - 或多元羧酸的羧酸盐组成的组中转移 或pol ycarbonsäuren，醇化物，氢氧化物，氨基脲，Carbaminaten，异羟肟酸盐，异氰酸酯，脒，氨基腙，脲衍生物，羟胺，肟，Oximaten，氨基甲酸乙酯，氨，胺，膦，铵化合物，硝酸盐，亚硝酸盐或相应的金属的叠氮化物和它们的混合物。

公开(公告)号：WO2010125011A2

公开(公告)日：2010-11-04

申请号：PCT/EP2010/055499

申请日：2010-04-26

Applicant: BASF SE ,  KARPOV, Andrey ,  FLEISCHHAKER, Friederike ,  DOMKE, Imme ,  KASTLER, Marcel ,  WLOKA, Veronika ,  WEBER, Lothar

Inventor： KARPOV, Andrey ,  FLEISCHHAKER, Friederike ,  DOMKE, Imme ,  KASTLER, Marcel ,  WLOKA, Veronika ,  WEBER, Lothar

IPC: C23C18/12

CPC classification number: C23C18/1216 ,  C23C18/1245 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02628 ,  H01L27/1292 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Schicht enthaltend wenigstens ein halbleitendes Metalloxid auf einem Substrat, umfassend mindestens die Schritte: (A) Herstellen einer Lösung enthaltend wenigstens eine Vorläuferverbindung des wenigstens einen Metalloxids ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus Carboxylaten von Mono-, Di- oder Polycarbonsäuren mit wenigstens drei Kohlenstoffatomen oder Derivaten von Mono-, Di- oder Polycarbonsäuren, Alkoholaten, Hydroxiden, Semicarbaziden, Carbaminaten, Hydroxamaten, Isocyanaten, Amidinen, Amidrazonen, Harnstoffderivaten, Hydroxylaminen, Oximen, Urethanen, Ammoniak, Aminen, Phosphinen, Ammonium-Verbindungen,, Aziden des entsprechenden Metalls und Mischungen davon, in wenigstens einem Lösungsmittel, (B) Aufbringen der Lösung aus Schritt (A) auf das Substrat und (C) thermisches Behandeln des Substrates aus Schritt (B) bei einer Temperatur von 20 bis 200°C, um die wenigstens eine Vorläuferverbindung in wenigstens ein halbleitendes Metalloxid zu überführen, wobei, falls in Schritt (A) elektrisch neutrales [(OH) x (NH 3 ) y Zn] z mit x, y und z unabhängig voneinander 0,01 bis 10, als Vorläuferverbindung eingesetzt wird, dieses durch Umsetzung von Zinkoxid oder Zinkhydroxid mit Ammoniak erhalten wird, ein Substrat, welches mit wenigstens einem halbleitenden Metalloxid beschichtet ist, erhältlich durch dieses Verfahren, die Verwendung dieses Substrates in elektronischen Bauteilen, sowie ein Verfahren zur Herstellung von elektrisch neutralem [(OH) x (NH 3 ) y Zn] z mit x, y und z unabhängig voneinander 0,01 bis 10, durch Umsetzung von Zinkoxid und/oder Zinkhydroxid mit Ammoniak.

Abstract translation: 本发明涉及一种方法，用于制造至少包括以下步骤：在基材上含有至少一个半导电金属氧化物的层：（A）制备含有选自单 - 羧酸盐组成的组中的至少一种金属氧化物的至少一种前体化合物的溶液中，二 - 或者具有至少三个碳原子，或单 - ，二 - 或多元羧酸，醇化物，氢氧化物，氨基脲衍生物的多羧酸，Carbaminaten，异羟肟酸盐，异氰酸酯，脒，氨基腙，脲衍生物，羟胺，肟，氨基甲酸乙酯，氨，胺，膦，铵 化合物,,相应金属的叠氮化物和它们的混合物，在至少一种溶剂中，（B）将来自步骤溶液（a）以20〜200的温度的基板和（C）热处理步骤（B）的基板 ℃，在wenigst所述至少一种前体化合物 到ENS转换半导体金属氧化物，其中，如果在步骤（A）是电中性的[（OH）X（NH 3）YZN】Z，其中x，y和z，各自独立地选自0.01通过使用10作为前体化合物，即 涂有至少一个半导电金属氧化物的基板，获得通过该方法，使用该基板的电子部件，以及用于产生电中性的方法[（OH）由氧化锌或者与氨，X氢氧化锌得到的（NH 3） YZN】Z，其中x，y和z独立地是从0.01到10，由氧化锌和/或氢氧化锌与氨反应。

公开(公告)号：EP2443650A1

公开(公告)日：2012-04-25

申请号：EP10725447.6

申请日：2010-06-15

Applicant: BASF SE

Inventor： FLEISCHHAKER, Friederike ,  DOMKE, Imme ,  KARPOV, Andrey ,  KASTLER, Marcel ,  WLOKA, Veronika ,  WEBER, Lothar

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/368

CPC classification number: H01L21/02422 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/02601 ,  H01L21/02628

Abstract: The present invention relates to a method for producing a layer containing at least one semiconductive metal oxide on a substrate, comprising at least the following steps: (A) a porous layer comprising at least one semiconductive metal oxide is applied to a substrate, (B) the porous layer from step (A) is treated with a solution containing at least one precursor compound of the semiconductive metal oxide, so that the pores of the porous layer are at least partially filled with this solution, and (C) the layer obtained in step (B) is heat-treated in order to convert at least one precursor compound of the semiconductive metal oxide into the semiconductive metal oxide, wherein the at least one precursor compound of the at least one semiconductive metal oxide is selected in step (B) from the group comprising carboxylates of monocarboxylic acids, dicarboxylic acids or polycarboxylic acids with at least three carbon atoms or derivatives of monocarboxylic acids, dicarboxylic acids or polycarboxylic acids, alcoholates, hydroxides, semicarbazides, carbamates, hydroxamates, isocyanates, amidines, amidrazones, urea derivatives, hydroxylamines, oximes, oximates, urethanes, ammonia, amines, phosphines, ammonium compounds, nitrates, nitrides or azides of the relevant metal and mixtures thereof.

公开(公告)号：EP2425038A2

公开(公告)日：2012-03-07

申请号：EP10715825.5

申请日：2010-04-26

Applicant: BASF SE

Inventor： KARPOV, Andrey ,  FLEISCHHAKER, Friederike ,  DOMKE, Imme ,  KASTLER, Marcel ,  WLOKA, Veronika ,  WEBER, Lothar

IPC: C23C18/12 ,  H01L21/288

CPC classification number: C23C18/1216 ,  C23C18/1245 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02628 ,  H01L27/1292 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

Abstract: The present invention relates to a method for producing a layer containing at least one semiconductive metal oxide on a substrate, comprising at least the steps of: (A) producing a solution containing at least one precursor compound of the at least one metal oxide selected from the group of carboxylates from monocarboxylic, dicarbonic, or polycarboxylic acids with at least three carbon atoms or derivatives of monocarboxylic, dicarbonic, or polycarboxylic acids, alcoholates, hydroxides, semicarbazides, carbamates, hydroxamates, isocyanates, amidins, amidrazones, carbamide derivatives, hydroxylamines, oximes, urethanes, ammonia, amines, phosphines, ammonium compounds, azides of the corresponding metal and compounds thereof, in at least one solvent; (B) application of the solvent of step (A) on the substrate; and (C) thermal treatment of the substrate of step (B) at a temperature of 20 to 200 degrees Celsius, in order to transfer the at least one precursor compound in at least one semiconductive metal oxide. In the event that in step (A), electrically neutral [(OH)
x (NH
3 )
y Zn]
z with x, y, and z independently from one another 0.01 to 10, is used as precursor compound, said precursor compound is obtained by conversion of zinc oxide or zinc hydroxide with ammonia; a substrate, which is coated with at least one semiconductive metal oxide, obtainable by said method; the application of said substrate in electronic components; and a method for producing electronically neutral [(OH)
x (NH
3 )
y Zn]
z with x, y, and z independently from one another 0.01 to 10, by conversion of zinc oxide and/or zinc hydroxide with ammonia.

公开(公告)号：EP2321373A1

公开(公告)日：2011-05-18

申请号：EP09782305.8

申请日：2009-08-28

Applicant: BASF SE

Inventor： DOMKE, Imme ,  KARPOV, Andrey ,  HIBST, Hartmut ,  PARASHKOV, Radoslav ,  HENNIG, Ingolf ,  KASTLER, Marcel ,  FLEISCHHAKER, Friederike ,  WEBER, Lothar ,  ECKERLE, Peter

IPC: C09C1/04 ,  C09C3/08 ,  H01L21/368 ,  H01L29/786

CPC classification number: B82Y30/00 ,  C01P2004/62 ,  C01P2004/64 ,  C09C1/043 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02601 ,  H01L21/02628 ,  H01L29/7869 ,  Y10T428/29 ,  Y10T428/2995

Abstract: The present invention relates to particles modified using a modifier, and a dispersing means comprising said modified particles. The surface-modified metal, metal halogenide, metal chalcogenide, metal nitride, metal phosphide, metal boride, or metal phosphate particles or mixtures thereof have an average particle diameter of 1 to 500 nm and the surface thereof was modified using one or more modifiers of the formula (I), (II), and (III).