公开(公告)号：DE112011102135B4

公开(公告)日：2017-12-28

申请号：DE112011102135

申请日：2011-06-08

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： DOAN THAI ,  DUNBAR GEORGE A ,  HERRIN RUSSELL T ,  JAHNES CHRISTOPHER V ,  MALING JEFFREY C ,  DANG DINH ,  MURPHY WILLIAM J ,  TWOMBLY JOHN G ,  HE ZHONG-XIANG ,  STAMPER ANTHONY K ,  WHITE ERIC J

IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  H01H59/00

Abstract: Verfahren, aufweisend Bilden mindestens eines Hohlraums eines mikroelektromechanischen Systems (MEMS), welcher eine planare Fläche aufweist, unter Anwendung eines reversen Damaszener-Verfahrens, wobei das reverse Damaszener-Verfahren Folgendes aufweist: Abscheiden eines Resist (26) auf einer Isolatorschicht (24),Strukturieren zur Bildung einer Öffnung (28) mit Rändern (26a) des Resist (26), die eine darunter angeordnete Siliciumschicht (18) überlappen, welche als Opferschicht verwendet wird, um einen des mindestens einen Hohlraumes zu bilden, und wobei die Isolatorschicht derart geätzt wird, um einen bilderrahmenartige Rand (30) zu bilden, welcher die darunter angeordnete Siliciumschicht (18) umgibt, und Planarisieren der Isolatorschicht (24) mit der darunter angeordneten Siliciumschicht (18).