公开(公告)号：DE112011102135B4

公开(公告)日：2017-12-28

申请号：DE112011102135

申请日：2011-06-08

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： DOAN THAI ,  DUNBAR GEORGE A ,  HERRIN RUSSELL T ,  JAHNES CHRISTOPHER V ,  MALING JEFFREY C ,  DANG DINH ,  MURPHY WILLIAM J ,  TWOMBLY JOHN G ,  HE ZHONG-XIANG ,  STAMPER ANTHONY K ,  WHITE ERIC J

IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  H01H59/00

Abstract: Verfahren, aufweisend Bilden mindestens eines Hohlraums eines mikroelektromechanischen Systems (MEMS), welcher eine planare Fläche aufweist, unter Anwendung eines reversen Damaszener-Verfahrens, wobei das reverse Damaszener-Verfahren Folgendes aufweist: Abscheiden eines Resist (26) auf einer Isolatorschicht (24),Strukturieren zur Bildung einer Öffnung (28) mit Rändern (26a) des Resist (26), die eine darunter angeordnete Siliciumschicht (18) überlappen, welche als Opferschicht verwendet wird, um einen des mindestens einen Hohlraumes zu bilden, und wobei die Isolatorschicht derart geätzt wird, um einen bilderrahmenartige Rand (30) zu bilden, welcher die darunter angeordnete Siliciumschicht (18) umgibt, und Planarisieren der Isolatorschicht (24) mit der darunter angeordneten Siliciumschicht (18).

公开(公告)号：DE112010004190B4

公开(公告)日：2017-11-09

申请号：DE112010004190

申请日：2010-07-29

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： COTTE JOHN M ,  JAHNES CHRISTOPHER V ,  PENG HONGBO ,  ROSSNAGEL STEPHEN M

IPC: B01D71/02 ,  B01D69/02

Abstract: Filter, welcher das Folgende umfasst: eine Membran (16), welche mehrere darin ausgebildete Nanokanäle (14) aufweist, wobei die Membran Aluminium umfasst und die Nanokanäle (14) unter Verwendung eines anodischen Aluminiumoxids gebildet werden, wobei die Nanokanäle einen ersten Endabschnitt (55), der mit einem ersten Oberflächenladungsmaterial (18) bedeckt ist, einen zweiten Endabschnitt (56), der mit einem zweiten Oberflächenladungsmaterial (52) bedeckt ist, und einen freiliegenden Abschnitt zwischen dem ersten Endabschnitt und dem zweiten Endabschnitt aufweisen, wobei das erste Oberflächenladungsmaterial eine negative Oberflächenladung umfasst, um negative Ionen in einer elektrolytischen Lösung (20) derart elektrostatisch zu beeinflussen, dass die Nanokanäle die negativen Ionen in die elektrolytische Lösung zurückweisen, während ein Fluid der elektrolytischen Lösung durchgelassen wird, wobei der erste Endabschnitt der Nanokanäle eine erste Öffnungsabmessung aufweist, welche durch das erste Oberflächenladungsmaterial verengt ist, wobei das erste Oberflächenladungsmaterial mindestens eines aus Titanoxid und Siliciumoxid umfasst, wobei das zweite Oberflächenladungsmaterial eine positive Oberflächenladung umfasst, um positive Ionen in einer elektrolytischen Lösung derart elektrostatisch zu beeinflussen, dass die Nanokanäle die positiven Ionen in die elektrolytische Lösung zurückweisen, während das Fluid der elektrolytischen Lösung durchgelassen wird, wobei der zweite Endabschnitt der Nanokanäle eine zweite Öffnungsabmessung aufweist, welche durch das zweite Oberflächenladungsmaterial verengt ist, wobei das zweite Oberflächenladungsmaterial Siliciumnitrid umfasst.

公开(公告)号：DE112011102134B4

公开(公告)日：2017-02-02

申请号：DE112011102134

申请日：2011-06-08

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： HERRIN RUSSELL T ,  JAHNES CHRISTOPHER V ,  STAMPER ANTHONY K ,  WHITE ERIC J

IPC: B81C1/00 ,  B81B3/00 ,  H01H59/00

Abstract: Verfahren zum Bilden eines mikroelektromechanischen Systems (MEMS), aufweisend: Bilden einer Verdrahtungsschicht aus mehreren Drähten (14) auf einem Substrat (10); Bilden und Strukturieren einer ersten Hohlraum-Opferschicht (18) über der Verdrahtungsschicht und dem Substrat (10); Bilden einer Isolatorschicht (24) über und neben der ersten Hohlraum-Opferschicht (18); Durchführen eines reversen Damaszener-Rückätzverfahrens der Isolatorschicht (24) bis diese vollständig von der ersten Hohlraum-Opferschicht (18) entfernt ist; Planarisieren der verbleibenden Isolatorschicht (24) und der ersten Hohlraum-Opferschicht (18); Abscheiden eines Isolatormaterials (34) auf der planarisierten ersten Hohlraum-Opferschicht (18); Bilden einer Elektrode (38) über dem Isolatormaterial (34); Bilden eines zweiten Isolatormaterials (40) über der Elektrode (38) und frei liegenden Teilen des Isolatormaterials (34); Bilden einer zweiten Elektrode (44) über dem zweiten Isolatormaterial (40) und innerhalb von Durchkontaktierungen (42) im zweiten Isolatormaterial (40), um die Elektrode (38) zu kontaktieren; Bilden eines Grabens (48) in dem zweiten Isolatormaterial (40), so dass Teile der planarisierten ersten Hohlraum-Opferschicht (18) frei gelegt werden; Bilden und Strukturiren einer zweiten Hohlraum-Opferschicht (50) über der zweiten Elektrode (44) und in Kontakt mit der planarisierten ersten Hohlraum-Opferschicht (18) durch den Graben (48) hindurch; ...