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    Halbleiterbauelement mit Durchgangskontaktierungen mit einem Verspannungsrelaxationsmechanismus und Verfahren zur Herstellung eines solchen
    1.
    发明专利
    Halbleiterbauelement mit Durchgangskontaktierungen mit einem Verspannungsrelaxationsmechanismus und Verfahren zur Herstellung eines solchen 未知

    公开(公告)号：DE102010030760B4

    公开(公告)日：2014-07-24

    申请号：DE102010030760

    申请日：2010-06-30

    Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

    Inventor： HUISINGA TORSTEN ,  GRILLBERGER MICHAEL ,  HAHN JENS

    IPC: H01L23/50 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768 ,  H01L23/52

    Abstract: Halbleiterbauelement mit: einem Substrat mit einer Vorderseite und einer Rückseite; einer Durchgangskontaktierung, die in dem Substrat so ausgebildet ist, dass sie sich zumindest zu der Rückseite erstreckt, wobei die Durchgangskontaktierung eine dielektrische Schicht aufweist, die in Kontakt mit dem Substrat und einem metallenthaltenden leitenden Füllmaterial ausgebildet ist; und einem Verspannungsrelaxationsmechanismus, der in Kontakt mit der Durchgangskontaktierung ausgebildet und so gestaltet ist, dass eine thermisch hervorgerufene Verspannung, die durch eine Fehlanpassung der thermischen Ausdehnungskoeffizienten zwischen dem Substrat und dem leitenden Füllmaterial hervorgerufen wird, verringert wird, wobei der Verspannungsrelaxationsmechanismus zumindest einen Volumenausdehnungsbereich umfasst, der als ein Kontaktierungsbereich mit einer lokal erhöhten Breite und einer im Wesentlichen nicht variierenden Dicke des leitenden Füllmaterials vorgesehen ist.

    ASSESSING METAL STACK INTEGRITY IN SOPHISTICATED SEMICONDUCTOR DEVICES BY MECHANICALLY STRESSING DIE CONTACTS
    4.
    发明专利
    ASSESSING METAL STACK INTEGRITY IN SOPHISTICATED SEMICONDUCTOR DEVICES BY MECHANICALLY STRESSING DIE CONTACTS 未知

    公开(公告)号：SG173970A1

    公开(公告)日：2011-09-29

    申请号：SG2011011343

    申请日：2011-02-17

    Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

    Inventor： GEISLER HOLM ,  LEHR MATTHIAS ,  KUECHENMEISTER FRANK ,  GRILLBERGER MICHAEL

    Abstract: OF THE DISCLOSUREASSESSING METAL STACK INTEGRITY IN SOPHISTICATED SEMICONDUCTOR DEVICES BY MECHANICALLY STRESSING DIECONTACTSThe metallization system of complex semiconductor devices may be evaluated in terms of mechanical integrity on the basis of a measurement system and measurement procedures in which individual contact elements, such as metal pillars or solder bumps,are mechanically stimulated, while the response of the metallization system, for instance in the form of directly measured forces, is determined in order to quantitatively evaluate mechanical status of the metallization system. In this manner, the complex material systems and the mutual interactions thereof may be efficiently assessed.

    Verfahren zur Herstellung komplexer Metallisierungssysteme in Halbleitern durch Entfernung geschädigter dielektrischer Oberflächenschichten
    9.
    发明专利
    Verfahren zur Herstellung komplexer Metallisierungssysteme in Halbleitern durch Entfernung geschädigter dielektrischer Oberflächenschichten 未知

    公开(公告)号：DE102010030757B4

    公开(公告)日：2019-03-28

    申请号：DE102010030757

    申请日：2010-06-30

    Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

    Inventor： HUISINGA TORSTEN ,  GRILLBERGER MICHAEL ,  FEUSTEL FRANK

    IPC: H01L21/768 ,  H01L23/532

    Abstract: Verfahren mit:Bilden einer Öffnung in einem dielektrischen Material mit sehr kleinem ε (231), das in einer Metallisierungsschicht (230) eines Halbleiterbauelements (200) ausgebildet ist, durch Ausführen einer Prozesssequenz, die mindestens einen Ätzprozess enthält, der eine modifizierte Materialschicht (231M) auf allen freiliegenden Oberflächenbereichen innerhalb der Öffnung erzeugt;Bilden eines leitenden metallenthaltenden Materials (232A, 232B) in der Öffnung angrenzend zu der modifizierten Materialschicht (231M) durch Bilden einer leitenden Barrierenschicht (232A) auf der modifizierten Materialschicht (231M) und Bilden eines Füllmetalls (232B) auf der leitenden Barrierenschicht (231M), so dass ein Metallgebiet (232) in der Öffnung hergestellt wird;Entfernen der modifizierten Materialschicht (231M), mittels eines selektiven nasschemischen Ätzprozesses (203) unter Verwendung von HCl, von zumindest einem Teil der Seitenwände (232S) der Öffnung in Anwesenheit des Metallgebiets (232) derart, dass Spalte (235) angrenzend zu dem Metallgebiet (232) gebildet werden, wobei eine Tiefe (235D) der Spalte (235) derart im Hinblick auf die Ätzzeit gesteuert wird, dass ein Unterätzen des Metallgebiets (232) vermieden wird; undBilden einer dielektrischen Materialschicht (231A, 243) über der Metallisierungsschicht (230) derart, dass die Spalte (235) geschlossen werden.

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