公开(公告)号：DE102018202897A1

公开(公告)日：2018-11-29

申请号：DE102018202897

申请日：2018-02-27

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： XIE RUILONG ,  PARK CHANRO ,  SUNG MIN GYU ,  KIM HOON ,  ZANG HUI ,  XU GUOWEI

IPC: H01L21/8234 ,  H01L29/423

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren einer Austauschmetallgatestrukturierung für Nanosheet-Vorrichtungen, umfassend: ein Bilden eines ersten und eines zweiten Nanosheet-Stapels auf einem Substrat, wobei sich der erste und der zweite Nanosheet-Stapel nebeneinander befinden und jeweils vertikale Nanosheets umfassen, die um einen Abstand beabstandet sind; ein Abscheiden eines ersten Metalls, das den ersten Nanosheet-Stapel umgibt und eines zweiten Abschnitts des ersten Metalls, der den zweiten Nanosheet-Stapel umgibt; ein Bilden eines Isolationsbereichs zwischen dem ersten Nanosheet-Stapel und dem zweiten Nanosheet-Stapel; ein Entfernen des zweiten Abschnitts des ersten Metalls, welches den zweiten Nanosheet-Stapel umgibt, durch einen Ätzprozess, wobei der Isolationsbereich verhindert, dass der Ätzprozess den ersten Abschnitt des ersten Metalls erreicht, und dadurch ein Entfernen des ersten Abschnitts des ersten Metalls verhindert; und ein Abscheiden eines zweiten Metalls, welches jedes der Nanosheets des zweiten Nanosheet-Stapels umgibt.