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公开(公告)号：GB2509478A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：GB201205097
申请日：2010-11-29
Applicant: IBM
Inventor： ANTONAKOPOULOS THEODORE A , CIDECIYAN ROY DARON , HU XIAO-YU , ILIADIS ILIAS , PLETKA ROMAN A
Abstract: A method for intra-block wear leveling within solid-state memory subjected to wear, having a plurality of memory cells includes the step of writing to at least certain ones of the plurality of memory cells, in a non-uniform manner, such as to balance the wear of the at least certain ones of the plurality of memory cells within the solid-state memory, at intra-block level. For example, if a behavior of at least some of the plurality of memory cells is not characterized, then the method may comprise characterizing a behavior of at least some of the plurality of memory cells and writing to at least certain ones of the plurality of memory cells, based on the characterized behavior, and in a non- uniform manner.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：DE112010003645B4
公开(公告)日：2020-06-04
申请号：DE112010003645
申请日：2010-11-26
Applicant: IBM
Inventor： ANTONAKOPOULOS THEODORE A , CIDECIYAN ROY D , ELEFTHERIOU EVANGELOS S , HAAS ROBERT , ILIADIS ILIAS , HU XIAO-YU
Abstract: Festkörper-Speichersystem, das Folgendes umfasst:eine Vielzahl von integrierten Schaltkreisen zum Speichern von Daten;eine Steuereinheit, die über einen oder mehrere von einer Vielzahl von Kanälen mit der Vielzahl von integrierten Schaltkreisen verbunden ist, wobei die Steuereinheit funktionsfähig die Operationen der Vielzahl von integrierten Schaltkreisen steuert und einen L-fach verschachtelten Fehlerkorrekturcode verwendet, um eine Datenzuverlässigkeit und verlängerte Lebensdauer bereitzustellen und die Wiederherstellung der Daten von ausgefallenen integrierten Schaltkreisen ermöglicht; undeinen oder mehrere integrierte Ersatzschaltkreise, die selektiv mit einem oder mehreren der Vielzahl von Kanälen verbunden sind, wenn ein oder mehrere der Vielzahl von integrierten Schaltkreisen, die hiermit verbunden sind, ausfallen,wobei die wiederhergestellten Daten von ausgefallenen integrierten Schaltkreisen in einem oder mehreren integrierten Ersatzschaltkreisen gespeichert werden,wobei die Vielzahl von integrierten Schaltkreisen in einer Vielzahl von Gruppen organisiert sind, wobei jede von der Vielzahl von Gruppen, die einen oder mehrere von der Vielzahl von integrierten Schaltkreisen aufweist, eine Vielzahl von Seiten aufweist, die Fragmente eines oder mehrerer Codewörter umfassen, wobei die Vielzahl von Seiten aus der Vielzahl von integrierten Schaltkreisen eine Vielzahl von großen verteilten Seiten bilden, wobei jede von der Vielzahl von großen verteilten Seiten eine aus der Vielzahl von Seiten von jedem einzelnen aus der Vielzahl von integrierten Schaltkreisen enthält,wobei jedes Codewort Datenzeichen und Paritätszeichen, die zum Wiederherstellen von Daten und zum Detektieren und Korrigieren von Fehlern verwendet werden, enthält.
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公开(公告)号：DE112010003645T5
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：DE112010003645
申请日：2010-11-26
Applicant: IBM
Inventor： ELEFTHERIOU EVANGELOS S , HAAS ROBERT , ANTONAKOPOULOS THEODORE A , CIDEDIYAN ROY D , HU XIAOYU , ILIADIS ILIAS
Abstract: Systeme und Verfahren werden bereitgestellt, die sich mit dem Problem von ausgefallenen integrierten Speicherschaltkreisen (ICs) in einem Festkörperlaufwerk (SSD) beschäftigen durch die Verwendung einer fehlertoleranten Architektur gemeinsam mit einem Mechanismus mit Ein-Fehler-Korrekturcode (ECC) für Korrekturen von Zufalls-/Bündelfehlern und einem Mechanismus zur L-fachen Verschachtelung. Die hier beschriebenen Systeme und Verfahren halten das SSD funktionsfähig, wenn ein oder mehrere integrierte Schaltkreise ausfallen, und ermöglichen die Wiederherstellung von zuvor gespeicherten Daten von ausgefallenen integrierten Schaltkreisen und ermöglichen, dass Zufalls-/Bündelfehler in anderen funktionsfähigen integrierten Schaltkreisen korrigiert werden. Diese Systeme und Verfahren ersetzen die ausgefallenen integrierten Schaltkreise durch voll funktionierende/betriebsfähige integrierte Schaltkreise, die hier als integrierte Ersatzschaltkreise behandelt werden. Diese Systeme und Verfahren verbessern des Weiteren die E/A-Leistung in Bezug auf die maximal erreichbare Rate zum Lesen/Schreiben von Daten.
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公开(公告)号：DE112010004656B4
公开(公告)日：2017-07-13
申请号：DE112010004656
申请日：2010-11-29
Applicant: IBM
Inventor： ANTONAKOPOULOS THEODORE A , CIDECIYAN ROY D , ILIADIS ILIAS , PLETKA ROMAN A , HU XIAO-YU
Abstract: Ein Verfahren zum blockinternen Ausgleich von nachlassender Funktionsfähigkeit innerhalb von Halbleiterspeichern, bei denen ein Nachlassen der Funktionsfähigkeit eintreten kann und die eine Vielzahl von Speicherzellen aufweisen, beinhaltet den folgenden Schritt: Schreiben auf mindestens einige bestimmte der Vielzahl von Speicherzellen in einer nicht gleichförmigen Weise, um die nachlassende Funktionsfähigkeit der einigen bestimmten der Vielzahl von Speicherzellen innerhalb des Halbleiterspeichers auf blockinterner Ebene auszugleichen. Wenn zum Beispiel ein Verhalten mindestens einiger der Vielzahl von Speicherzellen nicht charakterisiert ist, kann das Verfahren Folgendes umfassen: Charakterisieren eines Verhaltens mindestens einiger der Vielzahl von Speicherzellen und Schreiben auf mindestens einige bestimmte der Vielzahl von Speicherzellen auf der Grundlage des charakterisierten Verhaltens und in einer nicht gleich
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公开(公告)号：DE112010004656T5
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：DE112010004656
申请日：2010-11-29
Applicant: IBM
Inventor： ANTONAKOPOULOS THEODORE A , CIDECIYAN ROY D , ILIADIS ILIAS , PLETKA ROMAN A , HU XIAO-YU
IPC: G11C16/34
Abstract: Ein Verfahren zum blockinternen Ausgleich von nachlassender Funktionsfähigkeit innerhalb von Halbleiterspeichern, bei denen ein Nachlassen der Funktionsfähigkeit eintreten kann und die eine Vielzahl von Speicherzellen aufweisen, beinhaltet den folgenden Schritt: Schreiben auf mindestens einige bestimmte der Vielzahl von Speicherzellen in einer nicht gleichförmigen Weise, um die nachlassende Funktionsfähigkeit der einigen bestimmten der Vielzahl von Speicherzellen innerhalb des Halbleiterspeichers auf blockinterner Ebene auszugleichen. Wenn zum Beispiel ein Verhalten mindestens einiger der Vielzahl von Speicherzellen nicht charakterisiert ist, kann das Verfahren Folgendes umfassen: Charakterisieren eines Verhaltens mindestens einiger der Vielzahl von Speicherzellen und Schreiben auf mindestens einige bestimmte der Vielzahl von Speicherzellen auf der Grundlage des charakterisierten Verhaltens und in einer nicht gleich.
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公开(公告)号：GB2488057A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：GB201207470
申请日：2010-11-26
Applicant: IBM
Inventor： ANTONAKOPOULOS THEODORE A , CIDECIYAN ROY D , ELEFTHERIOU EVANGELOS , HAAS ROBERT , HU XIAO-YU , ILIADIS ILIAS
Abstract: Systems and methods are provided that confront the problem of failed storage integrated circuits (ICs) in a solid state drive (SSD) by using a fault-tolerant architecture along with one error correction code (ECC) mechanism for random/burst error corrections and an L-fold interleaving mechanism. The systems and methods described herein keep the SSD operational when one or more integrated circuits fail and allow the recovery of previously stored data from failed integrated circuits and allow random/burst errors to be corrected in other operational integrated circuits. These systems and methods replace the failed integrated circuits with fully functional/operational integrated circuits treated herein as spare integrated circuits. Furthermore, these systems and methods improve I/O performance in terms of maximum achievable read/write data rate.
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