公开(公告)号：WO2013081854A2

公开(公告)日：2013-06-06

申请号：PCT/US2012065502

申请日：2012-11-16

Applicant: IBM ,  EGYPT NANOTECHNOLOGY CT EGNC

Inventor： AFZALI-ARDAKANI ALI ,  HAN SHU-JEN ,  KASRY AMAL ,  MARTYNA GLENN J ,  NISTOR RAZVAN ,  TSAI HSINYU ,  MAAROUF AHMED

IPC: C40B40/04 ,  B82Y99/00 ,  C40B40/00 ,  C40B50/14

CPC classification number: G01N33/5308 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/194 ,  G01N33/54373 ,  G01N33/54393 ,  G01N33/551 ,  G01N2400/00

Abstract: A graphene nanomesh based charge sensor and method for producing a graphene nanomesh based charge sensor. The method includes generating multiple holes in graphene in a periodic way to create a graphene nanomesh with a patterned array of multiple holes, passivating an edge of each of the multiple holes of the graphene nanomesh to allow for functionalization of the graphene nanomesh, and functionalizing the passivated edge of each of the multiple holes of the graphene nanomesh with a chemical compound that facilitates chemical binding of a receptor of a target molecule to the edge of one or more of the multiple holes, allowing the target molecule to bind to the receptor, causing a charge to be transferred to the graphene nanomesh to produce a graphene nanomesh based charge sensor for the target molecule.

Abstract translation: 一种基于石墨烯纳米薄膜的电荷传感器和用于生产基于石墨烯纳米薄膜的电荷传感器的方法。 该方法包括以周期性方式在石墨烯中产生多个孔以产生具有多个孔的图案化阵列的石墨烯纳米粒子，钝化石墨烯纳米粒子的多个孔中的每一个的边缘以允许石墨烯纳米粒子的官能化，并使 石墨烯纳米粒子的多个孔的每个的钝化边缘具有促进靶分子的受体与多个孔中的一个或多个的边缘的化学结合的化学化合物，允许靶分子结合受体，导致 将转移到石墨烯纳米粒子的电荷以产生用于靶分子的基于石墨烯纳米膜的电荷传感器。

公开(公告)号：DE102012220314B4

公开(公告)日：2014-05-22

申请号：DE102012220314

申请日：2012-11-08

Applicant: IBM

Inventor： BOL AGEETH A ,  CHANDRA BHUPESH ,  KASRY AMAL ,  MAAROUF AHMED ,  MARTYNA GLENN J ,  TULEVSKI GEORGE S

IPC: H01L21/18 ,  B82B3/00 ,  B82Y30/00 ,  C01B31/04 ,  C23C16/26 ,  C30B25/18 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/775 ,  H01L29/78

Abstract: Verfahren zum Ausbilden einer gereinigten Nanoröhren-Graphen-Hybriddünnschicht, das aufweist: Abscheiden einer Nanoröhren-Dünnschicht über einem Substrat, um eine Schicht einer Nanoröhren-Dünnschicht zu erzeugen; Entfernen von Verunreinigungen von einer Oberfläche der Schicht der Nanoröhren-Dünnschicht, die das Substrat nicht berührt, um eine gereinigte Schicht einer Nanoröhren-Dünnschicht zu erzeugen; Abscheiden einer Schicht Graphen über der gereinigten Schicht der Nanoröhren-Dünnschicht, um eine Nanoröhren-Graphen-Hybriddünnschicht zu erzeugen; und Entfernen von Verunreinigungen von einer Oberfläche der Nanoröhren-Graphen-Hybriddünnschicht, um eine gereinigte Nanoröhren-Graphen-Hybriddünnschicht zu erzeugen, wobei die Hybriddünnschicht eine verbesserte elektrische Leistungsfähigkeit dadurch aufweist, dass der Widerstand der Nanoröhren verringert wird, indem die Kontaktfläche durch die Verwendung von Graphen als Brücke vergrößert wird.

公开(公告)号：GB2496956A

公开(公告)日：2013-05-29

申请号：GB201219636

申请日：2012-11-01

Applicant: IBM

Inventor： CHANDRA BHUPESH ,  MAAROUF AHMED ,  KASRY AMAL ,  MARTYNA GLENN JOHN ,  TULEVSKI GEORGE STOJAN ,  BOL AGEETH ANKE

IPC: H01B1/04 ,  H01L21/02 ,  H01L29/10 ,  H01L29/66 ,  H01L29/786 ,  H01L31/0224 ,  H01L33/42 ,  H01L51/00 ,  H01L51/05

Abstract: The transparent hybrid film comprises a layer of graphene deposited atop a layer of nanotubes, preferably carbon nanotubes. Two different production methods are disclosed. The film may be used as a transparent electrode with a variety of applications. Alternatively the film may be used as a channel material in a field effect transistor.

公开(公告)号：GB2496956B

公开(公告)日：2013-12-11

申请号：GB201219636

申请日：2012-11-01

Applicant: IBM

Inventor： CHANDRA BHUPESH ,  MAAROUF AHMED ,  KASRY AMAL ,  MARTYNA GLENN JOHN ,  TULEVSKI GEORGE STOJAN ,  BOL AGEETH ANKE

IPC: H01B1/04 ,  H01L21/02 ,  H01L29/10 ,  H01L29/66 ,  H01L29/786 ,  H01L31/0224 ,  H01L33/42 ,  H01L51/00 ,  H01L51/05

公开(公告)号：DE102012220314A1

公开(公告)日：2013-05-23

申请号：DE102012220314

申请日：2012-11-08

Applicant: IBM

Inventor： BOL AGEETH A ,  CHANDRA BHUPESH ,  KASRY AMAL ,  MAAROUF AHMED ,  MARTYNA GLENN J ,  TULEVSKI GEORGE S

IPC: H01L21/18 ,  B82B3/00 ,  C01B31/04 ,  C23C16/26 ,  C30B25/18 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/775 ,  H01L29/78

Abstract: Eine Nanoröhren-Graphen-Hybriddünnschicht und ein Verfahren zum Ausbilden einer gereinigten Nanoröhren-Graphen-Hybriddünnschicht. Das Verfahren beinhaltet ein Abscheiden einer Nanoröhren-Dünnschicht über einem Substrat, um eine Schicht einer Nanoröhren-Dünnschicht zu erzeugen, ein Entfernen von Verunreinigungen von einer Oberfläche der Schicht der Nanoröhren-Dünnschicht, die das Substrat nicht berührt, um eine gereinigte Schicht einer Nanoröhren-Dünnschicht zu erzeugen, ein Abscheiden einer Schicht Graphen über der gereinigten Schicht der Nanoröhren-Dünnschicht, um eine Nanoröhren-Graphen-Hybriddünnschicht zu erzeugen, und ein Entfernen von Verunreinigungen von einer Oberfläche der Nanoröhren-Graphen-Hybriddünnschicht, um eine gereinigte Nanoröhren-Graphen-Hybriddünnschicht zu erzeugen, wobei die Hybriddünnschicht eine verbesserte elektrische Leistungsfähigkeit aufweist. Ein weiteres Verfahren beinhaltet ein Abscheiden einer Nanoröhren-Dünnschicht über einer Metallfolie, um eine Schicht einer Nanoröhren-Dünnschicht zu erzeugen, ein Platzieren der Metallfolie mit der abgeschiedenen Nanoröhren-Dünnschicht in einem Ofen für chemische Gasphasenabscheidung, um Graphen auf der Nanoröhren-Dünnschicht aufzuwachsen, um eine Nanoröhren-Graphen-Hybriddünnschicht auszubilden, und ein Übertragen der Nanoröhren-Graphen-Hybriddünnschicht über ein Substrat.