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    CERIUM(IV)-SALZE ALS WIRKSAMER DOTIERUNGSSTOFF FÜR KOHLENSTOFFNANORÖHRCHEN UND GRAPHEN
    3.
    发明专利
    CERIUM(IV)-SALZE ALS WIRKSAMER DOTIERUNGSSTOFF FÜR KOHLENSTOFFNANORÖHRCHEN UND GRAPHEN 未知

    公开(公告)号：DE102012222023A1

    公开(公告)日：2013-06-20

    申请号：DE102012222023

    申请日：2012-12-03

    Applicant: IBM

    Inventor： AFZALI-ARDAKANI ALI ,  CHANDRA BHUPESH ,  TULEVSKI GEORGE S

    IPC: C01B31/00 ,  B82B3/00 ,  H01J1/304

    Abstract: Ein Prozess umfasst das Kombinieren eines in einem wässrigen Lösungsmittel gelösten Cer(IV)-Salzes mit einem Kohlenstoffmaterial, das CNTs oder Graphen aufweist, wobei das Cer(IV)-Salz aus einem Cer(IV)-Ammoniumsalz einer Stickoxidsäure, einem Cer(IV)-Ammoniumsalz einer Schwefeloxidsäure, einem Cer(IV)-Salz einer Niederalkyl-Organo-Schwefelsäure oder einem Cer(IV)-Salz einer Niederalkan-Organo-Schwefelsäure gewählt wird. In einer Ausführungsform wird das Cer(IV)-Salz aus Cer(IV)-Ammoniumnitrat, Cer(IV)-Ammoniumsulfat, Cer(IV)-Niederalkylsulfonat oder Cer(IV)-Trifluor-Niederalkansulfonat gewählt. Ein Produkt wird durch diesen Prozess hergestellt. Ein Herstellungsartikel weist dieses Produkt auf einem Substrat auf.

    Oxidation of graphene and carbon nanotubes by a Ce (IV) salt
    5.
    发明专利
    Oxidation of graphene and carbon nanotubes by a Ce (IV) salt 未知

    公开(公告)号：GB2498054A

    公开(公告)日：2013-07-03

    申请号：GB201221175

    申请日：2012-11-26

    Applicant: IBM

    Inventor： CHANDRA BHUPESH ,  AFZALI-ARDAKANI ALI ,  TULEVSKI GEORGE STOJAN

    IPC: C01B31/02

    Abstract: A process is disclosed which comprises combining a Ce (IV) salt with a carbon material comprising carbon nanotubes or graphene wherein the Ce (IV) and is dissolved in a solvent comprising water. The process is conducted for a period of time and at a temperature and solution concentration sufficient to substantially oxidise the carbon material to produce an oxidised material that is substantially non-conducting. After the oxidation, the Ce (IV) is substantially removed from the oxidised material. An article of manufacture comprises the product on a substrate. The oxidised material can be formed as a pattern on the substrate. In another embodiment the substrate comprises an electronic device with the oxidised material patterning non-conductive areas separate from conductive areas of the non-oxidised carbon material, where the conductive areas are operatively associated with the device.

    A process for combining Ce(IV) salts with carbon nanotubes and graphene
    6.
    发明专利
    A process for combining Ce(IV) salts with carbon nanotubes and graphene 未知

    公开(公告)号：GB2498053A

    公开(公告)日：2013-07-03

    申请号：GB201221174

    申请日：2012-11-26

    Applicant: IBM

    Inventor： AFZALI-ARAKANI ALI ,  CHANDRA BHUPESH ,  TULEVSKI GEORGE STOJAN

    IPC: C01B31/02

    Abstract: A process for doping carbon materials is disclosed which comprises combining a Ce (IV) salt dissolved in a solvent comprising water with a carbon material comprising CNT or graphene wherein the Ce (IV) salt is selected from a Ce (IV) ammonium salt of a nitrogen oxide acid, Ce (IV) ammonium salt of a sulfur oxide acid, Ce (IV) salt of a lower alkyl organo-sulfur acid, or Ce (IV) salt of a substituted lower alkane organo-sulfur acid. In one embodiment the Ce (IV) salt is selected from Ce (IV) ammonium nitrate, Ce (IV) ammonium sulfate, Ce (IV) lower alkylsulfonate, or Ce (IV) trihalo lower alkanesulfonate.

    Transparenter Kohlenstoff-Nanoröhren-Graphen-Hybridleiter und Feldeffekttransistor
    7.
    发明专利
    Transparenter Kohlenstoff-Nanoröhren-Graphen-Hybridleiter und Feldeffekttransistor 未知

    公开(公告)号：DE102012220314A1

    公开(公告)日：2013-05-23

    申请号：DE102012220314

    申请日：2012-11-08

    Applicant: IBM

    Inventor： BOL AGEETH A ,  CHANDRA BHUPESH ,  KASRY AMAL ,  MAAROUF AHMED ,  MARTYNA GLENN J ,  TULEVSKI GEORGE S

    IPC: H01L21/18 ,  B82B3/00 ,  C01B31/04 ,  C23C16/26 ,  C30B25/18 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/775 ,  H01L29/78

    Abstract: Eine Nanoröhren-Graphen-Hybriddünnschicht und ein Verfahren zum Ausbilden einer gereinigten Nanoröhren-Graphen-Hybriddünnschicht. Das Verfahren beinhaltet ein Abscheiden einer Nanoröhren-Dünnschicht über einem Substrat, um eine Schicht einer Nanoröhren-Dünnschicht zu erzeugen, ein Entfernen von Verunreinigungen von einer Oberfläche der Schicht der Nanoröhren-Dünnschicht, die das Substrat nicht berührt, um eine gereinigte Schicht einer Nanoröhren-Dünnschicht zu erzeugen, ein Abscheiden einer Schicht Graphen über der gereinigten Schicht der Nanoröhren-Dünnschicht, um eine Nanoröhren-Graphen-Hybriddünnschicht zu erzeugen, und ein Entfernen von Verunreinigungen von einer Oberfläche der Nanoröhren-Graphen-Hybriddünnschicht, um eine gereinigte Nanoröhren-Graphen-Hybriddünnschicht zu erzeugen, wobei die Hybriddünnschicht eine verbesserte elektrische Leistungsfähigkeit aufweist. Ein weiteres Verfahren beinhaltet ein Abscheiden einer Nanoröhren-Dünnschicht über einer Metallfolie, um eine Schicht einer Nanoröhren-Dünnschicht zu erzeugen, ein Platzieren der Metallfolie mit der abgeschiedenen Nanoröhren-Dünnschicht in einem Ofen für chemische Gasphasenabscheidung, um Graphen auf der Nanoröhren-Dünnschicht aufzuwachsen, um eine Nanoröhren-Graphen-Hybriddünnschicht auszubilden, und ein Übertragen der Nanoröhren-Graphen-Hybriddünnschicht über ein Substrat.

    Ohmscher Kontakt zwischen Dünnschicht-Solarzelle und transparenter Elektrode auf der Grundlage von Kohlenstoff
    9.
    发明专利
    Ohmscher Kontakt zwischen Dünnschicht-Solarzelle und transparenter Elektrode auf der Grundlage von Kohlenstoff 未知

    公开(公告)号：DE112012002564T5

    公开(公告)日：2014-02-27

    申请号：DE112012002564

    申请日：2012-06-05

    Applicant: IBM

    Inventor： HONG AUGUSTIN J ,  TULEVSKI GEORGE S ,  CHANDRA BHUPESH ,  SADANA DEVENDRA K ,  KIM JEEHWAN

    IPC: H01L31/00

    Abstract: Eine photovoltaische Einheit und ein Verfahren beinhalten einen photovoltaischen Stapel mit einer n-dotierten Schicht (112), einer p-dotierten Schicht (108) und einer intrinsischen Schicht (110). Eine transparente Elektrode (104) ist auf dem photovoltaischen Stapel ausgebildet und beinhaltet eine Schicht (105) auf der Grundlage von Kohlenstoff und eine Schicht (107) aus einem Metall mit einer hohen Austrittsarbeit. Die Schicht aus dem Metall mit einer hohen Austrittsarbeit ist an einer Grenzfläche zwischen der Schicht auf der Grundlage von Kohlenstoff und der p-dotierten Schicht derart angeordnet, dass die Schicht aus dem Metall mit einer hohen Austrittsarbeit einen Kontakt mit verringerter Barriere bildet und lichtdurchlässig ist.

    Use of dihydrotetraazapentacenes as n-dopant in nano components of field effect transistors
    10.
    发明专利
    Use of dihydrotetraazapentacenes as n-dopant in nano components of field effect transistors 未知

    公开(公告)号：GB2497176A

    公开(公告)日：2013-06-05

    申请号：GB201220382

    申请日：2012-11-13

    Applicant: IBM

    Inventor： AFZALI-ARDAKANI ALI ,  CHANDRA BHUPESH ,  TULEVSKI GEORGE STOJAN

    IPC: H01L51/00 ,  H01L51/05

    Abstract: A composition and method for forming a field effect transistor with a stable n-doped nano-component. The method includes forming a gate dielectric on a gate, forming a channel comprising a nano-component on the gate dielectric, forming a source over a first region of the nano-component, forming a drain over a second region of the nano-component to form a field effect transistor, and exposing a portion of a nano-component of a field effect transistor to dihydrotetraazapentacene (Fig., each of R1, R2, R3, and R4 can be hydrogen, an alkyl group of C1 to C16 carbons, an alkoxy group, an alkylthio group, a trialkylsilane group, a hydroxymethyl group, a carboxylic acid group or a carboxylic ester group) to produce a stable n-doped nano-component. Dihydrotetraazapentacene may be applied in solution with DMSO, DMF or NMP as solvent. The nano-component is preferably a carbon nanotube, a semi-conductor nanotube, semiconductor nanocrystal, a semiconductor nanowire or it comprises elements of groups III, IV, V and VI.

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