BETRIEBSSPANNUNG EINER HALBLEITEREINHEIT

    公开(公告)号:DE112023001803T5

    公开(公告)日:2025-03-06

    申请号:DE112023001803

    申请日:2023-01-17

    Applicant: IBM

    Abstract: Das hierin beschriebene Verfahren und die hierin beschriebenen Systeme ermöglichen es, unerwünschte Leistungs- oder Spannungsschwankungen in Bereichen einer Halbleitereinheit zu erkennen und abzuschwächen. Das Verfahren umfasst ein Erkennen eines Bereichs eines Prozessorchips wie zum Beispiel einen einzelnen Prozessor, der eine verringerte Leistungsaufnahme und eine daraus resultierende örtliche Spannungsspitze (z.B. eine Spitze, die Vmax übersteigt) aufweist, die das allgemeine Lebensende der Einheit beschleunigen würde. Die beschriebenen Systeme reagieren durch Aktivieren von Schaltungen oder Stromerzeugern, die sich in dem betreffenden Bereich befinden, um mittels eines Schutzstroms zusätzliche Leistung zu entnehmen. Der Schutzstrom setzt die lokalen Spannungsspitzen wieder auf innerhalb eines bestimmten vorgegebenen Bereichs herab. Die daraus resultierende Verringerung der Zeit oberhalb von Vmax beim Prüfen verringert die Anzahl von Einheiten, die aufgrund von Vmax-Überschreitungen aussortiert werden müssen, und erhöht die erwartete Zuverlässigkeit und Lebensdauer der Einheit im Betrieb.

Patent Agency Ranking