公开(公告)号：DE112011101373T5

公开(公告)日：2013-03-14

申请号：DE112011101373

申请日：2011-05-17

Applicant: IBM

Inventor： JOSEPH ALVIN J ,  STRICKER ANDREAS D ,  HARAME DAVID L ,  CAMILIO-CASTILIO RENATA ,  DAHLSTROM MATTIAS E ,  GRAY PETER B ,  HERRIN RUSSELL T

IPC: H01L21/331 ,  H01L29/10 ,  H01L29/732 ,  H01L29/737

Abstract: Ausführungsformen einer verbesserten Transistorstruktur (100) (z. B. einer Bipolartransistor(BT)-Struktur oder Heteroübergang-Bipolartransistor(HBT)-Struktur) und ein Verfahren zur Bildung der Transistorstruktur (100) werden offenbart. Die Ausführungsformen der Struktur können eine dielektrische Schicht (130), die zwischen einer intrinsischen Basisschicht (120) und einer erhabenen extrinsischen Basisschicht (140) angeordnet ist, um die Kollektor-Basis-Kapazität Ccb zu reduzieren, einen seitenwanddefinierten leitenden Streifen (150) für eine Verbindungszone von der intrinsischen Basisschicht (120) zur extrinsischen Basisschicht (140), um den Basis-Widerstand Rb zu reduzieren, und eine dielektrische Abstandsschicht (160) zwischen der extrinsischen Basisschicht (140) und einer Emitterschicht (180) aufweisen, um die Basis-Emitter-Kapazität Cbe zu reduzieren. Die Ausführungsformen des Verfahrens erlauben die Selbstjustierung des Emitters zu Basiszonen und erlauben zudem die selektive Anpassung der Geometrien verschiedener Merkmale (z. B. der Dicke der dielektrischen Schicht (130), der Breite des leitenden Streifens (150), der Breite der dielektrischen Abstandsschicht (160) und der Breite der Emitterschicht (180)), um die Transistorleistungsfähigkeit zu optimieren.