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公开(公告)号：DE112014005570B4
公开(公告)日：2025-02-27
申请号：DE112014005570
申请日：2014-09-17
Applicant: IBM
Inventor： CAMP CHARLES JOHN , KOLTSIDAS IOANNIS , PLETKA ROMAN A , WALLS ANDREW DALE
Abstract: Verfahren zum Deaktivieren von Seiten (700) in einem Datenspeichersystem (120), das ein Array (140) mit nichtflüchtigem Direktzugriffsspeicher (NVRAM-Array) enthält, wobei das Verfahren aufweist:Speichern von Daten (702) in dem NVRAM-Array (140) in Seiten-Stripes (600, 1102), die über mehrere Speicherblöcke (500, 1100) hinweg verteilt sind, wobei wenigstens zwei der mehreren Speicherblöcke (500, 1100), über die ein bestimmter Seiten-Stripe der Seiten-Stripes (600, 1102) verteilt ist, unterschiedliche Anzahlen aktiver Seiten (700) enthalten, wobei es sich bei einer Seite (700) um eine kleinste Einheit handelt, auf die in dem NVRAM-Array (140) zugegriffen werden kann, und es sich bei einem Speicherblock (500, 1100), der mehrere Seiten (700) enthält, um eine kleinste Einheit handelt, die in dem NVRAM-Array (140) gelöscht werden kann;Erkennen (910, 914) eines Fehlers in einer bestimmten Seite (700) eines bestimmten Blocks (500, 1100) des NVRAM-Array (140);in Reaktion auf Erkennen (910, 914) des Fehlers Deaktivieren (916) lediglich der bestimmten Seite (700) des bestimmten Blocks (500, 1100);anschließendes Deaktivieren (920) eines physischen Speicherbereichs in dem NVRAM-Array (140), der die bestimmte Seite (700) und mehrere andere Seiten (700) enthält, in Reaktion auf Deaktivieren (918) einer Schwellenwert-Anzahl von Seiten (700) in dem physischen Speicherbereich;Deaktivieren (924) eines größeren physischen Speicherbereichs in dem NVRAM-Array (140), der die bestimmte Seite (700) enthält, in Reaktion auf Deaktivieren (922) einer Schwellenwert-Anzahl von physischen Speicherbereichen in dem größeren physischen Speicherbereich.
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公开(公告)号：DE112015005742T5
公开(公告)日：2017-11-30
申请号：DE112015005742
申请日：2015-12-15
Applicant: IBM
Inventor： PAPANDREOU NIKOLAOS , CAMP CHARLES JOHN , PARNELL THOMAS , POZIDIS CHARALAMPOS , MITTELHOLZER THOMAS
Abstract: Ein Verfahren beinhaltet gemäß einer Ausführungsform Auswählen einer Kombination von komprimierten logischen Seiten von Daten aus einem Puffer, um einen Umfang von genutztem Raum in einem Fehlerkorrekturcode-Container auf den größtmöglichen Wert zu bringen. Das Verfahren enthält außerdem vorzugsweise Verarbeiten der Kombination von komprimierten logischen Seiten zum Erzeugen von Fehlerkorrekturcode-Daten. Das Verfahren kann des Weiteren beinhalten Schreiben der Daten, die der Kombination von komprimierten logischen Seiten entsprechen, und der zugehörigen Fehlerkorrekturcode-Daten in einen nichtflüchtigen Direktzugriffsspeicher. Weitere Systeme, Verfahren und Computerprogrammprodukte sind in zusätzlichen Ausführungsformen beschrieben.
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公开(公告)号：DE112014005570T5
公开(公告)日：2016-08-25
申请号：DE112014005570
申请日：2014-09-17
Applicant: IBM
Inventor： CAMP CHARLES JOHN , KOLTSIDAS IOANNIS , PLETKA ROMAN A , WALLS ANDREW DALE
Abstract: Bei einem Datenspeichersystem, das ein Array aus nichtflüchtigen Direktzugriffsspeichern (NVRAM-Array) enthält, handelt es sich bei einer Seite um eine kleinste Einheit des NVRAM-Array, auf die durch Lese- und Schreiboperationen zugegriffen werden kann, und bei einem Speicherblock, der mehrere Seiten enthält, handelt es sich um eine kleinste Einheit des NVRAM-Array, die gelöscht werden kann. Daten werden in dem NVRAM-Array in Seiten-Stripes gespeichert, die über mehrere Speicherblöcke verteilt sind. In Reaktion auf Erkennen eines Fehlers in einer bestimmten Seite eines bestimmten Blocks des NVRAM-Array wird lediglich die bestimmte Seite des bestimmten Blocks deaktiviert, so dass wenigstens zwei der mehreren Speicherblöcke, über die ein bestimmter Seiten-Stripe der Seiten-Stripes verteilt ist, unterschiedliche Anzahlen von aktiven (nichtdeaktivierten) Seiten enthalten.
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