公开(公告)号：EP1999458A4

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：EP07867008

申请日：2007-03-08

Applicant: IBM

Inventor： COHEN GUY M ,  HAMANN HENDRIK F

IPC: G01Q70/12 ,  G01Q60/22 ,  G01Q60/38 ,  G01Q70/16

CPC classification number: G01Q70/12 ,  G01Q60/22

公开(公告)号：WO2004061921A3

公开(公告)日：2004-10-14

申请号：PCT/US0338334

申请日：2003-12-02

Applicant: IBM

Inventor： COHEN GUY M ,  CHRISTIANSEN SILKE H

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L21/76243 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/02694 ,  H01L21/7624

Abstract: A method for fabricating a strained Si layer on insulator, a structure of the strained Si layer on insulator, and electronic systems comprising such layers are disclosed. The method comprises the steps of forming epitaxially a relaxed SiGe layer on top of a Si layer on insulator; transforming the crystalline Si layer and the lower portion of the crystalline relaxed SiGe layer into an amorphous material state by ion implantation; and re-crystallizing the amorphous material from the crystalline top portion of the SiGe layer. The larger lattice constant of the SiGe seed layer forces a tensile strain in the Si layer.

Abstract translation: 公开了一种用于制造绝缘体上的应变Si层的方法，绝缘体上的应变Si层的结构以及包括这些层的电子系统。 该方法包括以下步骤：在绝缘体上的Si层的顶部上外延形成松弛的SiGe层; 通过离子注入将晶体Si层和晶体弛豫SiGe层的下部分转变成非晶材料状态; 并且从SiGe层的晶体顶部重新结晶无定形材料。 SiGe种子层的较大晶格常数迫使Si层中的拉伸应变。

公开(公告)号：WO2012001600A3

公开(公告)日：2012-03-01

申请号：PCT/IB2011052792

申请日：2011-06-24

Applicant: IBM ,  BANGSARUNTIP SARUNYA ,  BJOERK MIKAEL T ,  COHEN GUY M ,  RIEL HEIKE E ,  SCHMID HEINZ

Inventor： BANGSARUNTIP SARUNYA ,  BJOERK MIKAEL T ,  COHEN GUY M ,  RIEL HEIKE E ,  SCHMID HEINZ

IPC: H01L29/12 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L29/06 ,  H01L29/775 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L33/02

CPC classification number: H01L29/0665 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/02658 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/068 ,  H01L29/125 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/775 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78681 ,  H01L29/78696

Abstract: A method of forming a semiconductor is provided and includes patterning a pad and a nanowire onto a wafer, the nanowire being substantially perpendicular with a pad sidewall and substantially parallel with a wafer surface and epitaxially growing on an outer surface of the nanowire a secondary layer of semiconductor material, which is lattice mismatched with respect to a material of the nanowire and substantially free of defects.

Abstract translation: 提供了形成半导体的方法，并且包括将衬垫和纳米线图案化到晶片上，所述纳米线基本上与衬垫侧壁垂直并且基本上平行于晶片表面并且外延生长在纳米线的外表面上， 半导体材料，其相对于纳米线的材料而晶格失配并且基本上没有缺陷。

公开(公告)号：WO2008054467A3

公开(公告)日：2008-12-11

申请号：PCT/US2007005743

申请日：2007-03-08

Applicant: IBM ,  COHEN GUY M ,  HAMANN HENDRIK F

Inventor： COHEN GUY M ,  HAMANN HENDRIK F

IPC: G01Q70/12 ,  G01Q60/22 ,  G01Q60/38 ,  G01Q70/16

CPC classification number: G01Q70/12 ,  G01Q60/22

Abstract: A scanning probe where the micromachined pyramid tip is extended by the growth of an epitaxial nanowire from the top portion of the tip is disclosed. A metallic particle, such as gold, may terminate the nanowire to realize an apertureless near-field optical microscope probe.

Abstract translation: 公开了一种扫描探针，其中微机械金字塔尖端通过从尖端的顶部部分生长外延纳米线而延伸。 诸如金的金属粒子可以终止纳米线以实现无孔的近场光学显微镜探针。

公开(公告)号：WO2004061921A8

公开(公告)日：2004-11-25

申请号：PCT/US0338334

申请日：2003-12-02

Applicant: IBM

Inventor： COHEN GUY M ,  CHRISTIANSEN SILKE H

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L21/76243 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/02694 ,  H01L21/7624

Abstract: A method for fabricating a strained Si layer on insulator, a structure of the strained Si layer on insulator, and electronic systems comprising such layers are disclosed. The method comprises the steps of forming epitaxially a relaxed SiGe layer on top of a Si layer on insulator; transforming the crystalline Si layer and the lower portion of the crystalline relaxed SiGe layer into an amorphous material state by ion implantation; and re-crystallizing the amorphous material from the crystalline top portion of the SiGe layer. The larger lattice constant of the SiGe seed layer forces a tensile strain in the Si layer.

Abstract translation: 公开了一种用于制造绝缘体上的应变Si层的方法，绝缘体上的应变Si层的结构以及包括这种层的电子系统。 该方法包括以下步骤：在绝缘体上的Si层的顶部上外延地形成弛豫SiGe层; 通过离子注入将晶体Si层和晶体松弛SiGe层的下部分转换成非晶材料状态; 以及从SiGe层的晶体顶部重新结晶无定形材料。 SiGe籽晶层的较大晶格常数迫使Si层中的拉伸应变。

公开(公告)号：DE102016204201B4

公开(公告)日：2017-12-28

申请号：DE102016204201

申请日：2016-03-15

Applicant: IBM

Inventor： CHANG JOSEPHINE B ,  CHANG PAUL ,  COHEN GUY M ,  GUILLORN MICHAEL A

IPC: H01L39/24 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L39/22

Abstract: Verfahren zum Ausbilden eines supraleitenden Weak-Link-Kontakts, wobei das Verfahren aufweist: Strukturieren einer ersten Kontakt-Bank, einer zweiten Kontakt-Bank und eines rauen Nanodrahts aus einem Siliciumsubstrat; Umformen des Nanodrahts durch Wasserstoff-Tempern; und Silicidieren des Nanodrahts durch Einbringen eines Metalls in den Nanodraht; wobei: der Nanodraht so geformt, dimensioniert, strukturiert, angeordnet und/oder verbunden ist, dass er eine Weak-Link-Brücke zwischen der ersten Kontakt-Bank und der zweiten Kontakt-Bank bildet.

公开(公告)号：DE102016105373A1

公开(公告)日：2016-09-29

申请号：DE102016105373

申请日：2016-03-22

Applicant: IBM

Inventor： COHEN GUY M ,  LAUER ISAAC ,  REZNICEK ALEXANDER ,  SLEIGHT JEFFREY W

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/02 ,  H01L21/8258 ,  H01L27/092 ,  H01L29/06 ,  H01L29/26 ,  H01L29/775

Abstract: Eine Einheit, umfassend: eine Substratschicht; eine erste Gruppe von Source/Drain-Komponente(n), welche eine nFET(Feldeffekttransistor des n-Typs)-Zone definiert; eine zweite Gruppe von Source/Drain-Komponente(n), welche eine pFET(Feldeffekttransistor des p-Typs)-Zone definiert; einen ersten aufgehängten Nanodraht, der zumindest teilweise über der Substratschicht in der nFET-Zone aufgehängt ist und aus III-V-Material hergestellt ist; und einen zweiten aufgehängten Nanodraht, der zumindest teilweise über der Substratschicht in der pFET-Zone aufgehängt ist und aus Germanium enthaltendem Material hergestellt ist. In einigen Ausführungsformen werden der erste aufgehängte Nanodraht und der zweite aufgehängte Nanodraht durch Hinzufügen geeigneter Nanodrahtschichten oben auf einer Germanium enthaltenden Freigabeschicht und anschließendes Entfernen der Germanium enthaltenden Freigabeschichten hergestellt, so dass die Nanodrähte aufgehängt sind.

公开(公告)号：DE102016204201A1

公开(公告)日：2016-09-22

申请号：DE102016204201

申请日：2016-03-15

Applicant: IBM

Inventor： CHANG JOSEPHINE B ,  CHANG PAUL ,  COHEN GUY M ,  GUILLORN MICHAEL A

IPC: H01L39/24 ,  H01L39/22

Abstract: Silicidierte Nanodrähte als Nanobrücken in Josephson-Kontakten. Ein supraleitender silicidierter Nanodraht wird als Weak-Link-Brücke in einem Josephson-Kontakt verwendet und ein Herstellungsverfahren wird angewendet, um silicidierte Nanodrähte herzustellen, das ein Strukturieren von zwei Kontakt-Bänken und eines rauen Nanodrahts aus einem Siliciumsubstrat, ein Umformen des Nanodrahts durch Wasserstoff-Tempern und ein Silicidieren des Nanodrahts durch Einbringen eines Metalls in die Nanodraht-Struktur aufweist.

公开(公告)号：CA2642875A1

公开(公告)日：2008-05-08

申请号：CA2642875

申请日：2007-03-08

Applicant: IBM

Inventor： COHEN GUY M ,  HAMANN HENDRIK F

IPC: G01N23/00 ,  G01Q70/12 ,  B81C99/00 ,  G01Q60/22 ,  G01Q60/38 ,  G01Q70/16

Abstract: A scanning probe where the micromachined pyramid tip is extended by the growth of an epitaxial nanowire from the top portion of the tip is disclosed. A metallic particle, such as gold, may terminate the nanowire to realize an apertureless near-field optical microscope probe.

公开(公告)号：AU2003297627A8

公开(公告)日：2004-07-29

申请号：AU2003297627

申请日：2003-12-02

Applicant: IBM

Inventor： COHEN GUY M ,  CHRISTIANSEN SILKE H

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/762

Abstract: A method for fabricating a strained Si layer on insulator, a structure of the strained Si layer on insulator, and electronic systems comprising such layers are disclosed. The method comprises the steps of forming epitaxially a relaxed SiGe layer on top of a Si layer on insulator; transforming the crystalline Si layer and the lower portion of the crystalline relaxed SiGe layer into an amorphous material state by ion implantation; and re-crystallizing the amorphous material from the crystalline top portion of the SiGe layer. The larger lattice constant of the SiGe seed layer forces a tensile strain in the Si layer.