公开(公告)号：US3760242A

公开(公告)日：1973-09-18

申请号：US3760242D

申请日：1972-03-06

Applicant: IBM

Inventor： WU B ,  DUFFY M ,  RISEMAN J

IPC: H01L21/316 ,  H01L23/29 ,  H01L23/485 ,  H01L3/10 ,  H01L3/00

CPC classification number: H01L23/291 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/31612 ,  H01L23/29 ,  H01L23/485 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: A semiconductor structure with a metallic oxide coated surface, a silicon nitride coating on the metal oxide and a covering coating of glass over the coated surface.

Abstract translation: 具有金属氧化物涂覆表面的半导体结构，金属氧化物上的氮化硅涂层和涂覆表面上的玻璃覆盖涂层。

公开(公告)号：US3770516A

公开(公告)日：1973-11-06

申请号：US3770516D

申请日：1972-01-12

Applicant: IBM

Inventor： DUFFY M ,  SCHUMANN P ,  YEH T

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/74 ,  H01L21/761 ,  H01L21/8222 ,  H01L27/00 ,  H01L7/54

CPC classification number: H01L21/00 ,  H01L21/743 ,  H01L21/761 ,  H01L21/8222 ,  H01L27/00

Abstract: Monolithic integrated circuits are made utilizing various ion implantation techniques for making diodes, transistors, resistors, capacitors, underpass connections, sub-collector junctions, etc., and for altering impurity profiles, gold doping, trimming resistance values, altering junctions depth, and isolating regions.

Abstract translation: 使用各种离子注入技术制造单片集成电路，用于制造二极管，晶体管，电阻器，电容器，地下通道连接，子集电极结等，并且用于改变杂质分布，金掺杂，修整电阻值，改变接合深度和隔离 地区。

公开(公告)号：CA932876A

公开(公告)日：1973-08-28

申请号：CA161044

申请日：1973-01-11

Applicant: IBM

Inventor： DUFFY M ,  YEH TSU-HSING ,  SCHUMANN P JR

公开(公告)号：CA932879A

公开(公告)日：1973-08-28

申请号：CA152307

申请日：1972-09-22

Applicant: IBM

Inventor： SCHUMANN P JR ,  YEH TSU-HSING ,  DUFFY M

公开(公告)号：CA932878A

公开(公告)日：1973-08-28

申请号：CA152306

申请日：1972-09-22

Applicant: IBM

Inventor： SCHUMANN P JR ,  YEH TSU-HSING ,  DUFFY M