公开(公告)号：DE112012001825B4

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：DE112012001825

申请日：2012-05-07

Applicant: IBM

Inventor： CHEN ZHIHONG ,  FRANKLIN AARON DANIEL ,  HAN SHU-JEN ,  HANNON JAMES BOWLER ,  SAENGER KATHERINE L ,  TULEVSKI GEORGE S

IPC: H01L29/16 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/49 ,  H01L29/786

Abstract: Verfahren zum Herstellen einer Transistor-Einheit, das die Schritte aufweist: Bereitstellen eines Wafers mit einer Schicht aus einem elektrisch leitfähigen Material auf einer isolierenden Schicht; Bilden von Hohlräumen in dem Wafer, um einen oder mehrere Anteile des leitfähigen Materials zu isolieren, wobei ein isolierter Anteil des leitfähigen Materials als ein lokales unteres Gate der Einheit dient; Füllen der Hohlräume mit einem Dielektrikum; Bilden eines Gate-Dielektrikums auf dem unteren Gate; Bilden eines Nanostruktur-Materials auf der Grundlage von Kohlenstoff über wenigstens einem Anteil des Gate-Dielektrikums, wobei ein Anteil des Nanostruktur-Materials auf der Grundlage von Kohlenstoff als ein Kanal der Einheit dient; und Bilden von leitfähigen Source- und Drain-Kontakten an einem oder mehreren Anteilen des Nanostruktur-Materials auf der Grundlage von Kohlenstoff auf entgegengesetzten Seiten des Kanals, die als Source- und Drain-Bereiche der Einheit dienen.

公开(公告)号：DE112012001825T5

公开(公告)日：2014-02-13

申请号：DE112012001825

申请日：2012-05-07

Applicant: IBM

Inventor： CHEN ZHIHONG ,  FRANKLIN AARON DANIEL ,  HAN SHU-JEN ,  HANNON JAMES BOWLER ,  SAENGER KATHERINE L ,  TULEVSKI GEORGE S

IPC: H01L29/16

Abstract: Es werden Transistor-Einheiten mit Kanälen auf der Grundlage von Material im Nanobereich (z. B. Kohlenstoff-Nanoröhren-Kanäle oder Graphen-Kanäle) sowie Techniken zur Herstellung derselben bereitgestellt. In einem Aspekt wird eine Transistor-Einheit bereitgestellt. Die Transistor-Einheit beinhaltet ein Substrat; einen Isolator auf dem Substrat; ein lokales unteres Gate, das in dem Isolator eingebettet ist, wobei eine Oberseite des Gates im Wesentlichen koplanar mit einer Oberfläche des Isolators ist; ein lokales Gate-Dielektrikum auf dem unteren Gate; ein Nanostruktur-Material auf der Grundlage von Kohlenstoff über wenigstens einem Anteil des lokalen Gate-Dielektrikums, wobei ein Anteil des Nanostruktur-Materials auf der Grundlage von Kohlenstoff als ein Kanal der Einheit dient; sowie leitfähige Source- und Drain-Kontakte an einem oder mehreren Anteilen des Nanostruktur-Materials auf der Grundlage von Kohlenstoff auf entgegengesetzten Seiten des Kanals, die als Source- und Drain-Bereiche der Einheit dienen.