公开(公告)号：EP1792343A4

公开(公告)日：2009-11-11

申请号：EP05754954

申请日：2005-05-26

Applicant: IBM

Inventor： COOLBAUGH DOUGLAS D ,  ESHUN EBENEZER E ,  FEILCHENFELD NATALIE ,  GAUTSCH MICHAEL L ,  HE ZHONG-XIANG ,  MOON MATTHEW D ,  RAMACHANDRAN VIDHYA ,  WATERHOUSE BARBARA

IPC: H01L21/8242 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L23/522 ,  H01L27/01 ,  H01L27/08

CPC classification number: H01L23/5223 ,  H01L27/016 ,  H01L27/0805 ,  H01L28/40 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T29/49002 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：WO2005122245A2

公开(公告)日：2005-12-22

申请号：PCT/US2005018521

申请日：2005-05-26

Applicant: IBM ,  COOLBAUGH DOUGLAS D ,  ESHUN EBENEZER E ,  FEILCHENFELD NATALIE ,  GAUTSCH MICHAEL L ,  HE ZHONG-XIANG ,  MOON MATTHEW D ,  RAMACHANDRAN VIDHYA ,  WATERHOUSE BARBARA

Inventor： COOLBAUGH DOUGLAS D ,  ESHUN EBENEZER E ,  FEILCHENFELD NATALIE ,  GAUTSCH MICHAEL L ,  HE ZHONG-XIANG ,  MOON MATTHEW D ,  RAMACHANDRAN VIDHYA ,  WATERHOUSE BARBARA

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/01 ,  H01L27/08

CPC classification number: H01L23/5223 ,  H01L27/016 ,  H01L27/0805 ,  H01L28/40 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T29/49002 ,  H01L2924/00

Abstract: Disclosed is a method of fabricating a metal-insulator-metal (MIM) capacitor. In this method, a dielectric layer (102, 106) is formed above a lower conductor layer (100) and an upper conductor layer (104, 108) is formed above the dielectric layer. The invention then forms an etch stop layer (200) above the upper conductor layer and the dielectric layer, and forms a hardmask (202) (silicon oxide hardmask, a silicon nitride hardmask, etc.) over the etch stop layer. Next, a photoresist (300) is patterned above the hardmask, which allows the hardmask, the etch stop layer, the dielectric layer, and the lower conductor layer to be etched through the photoresist.

Abstract translation: 公开了一种制造金属 - 绝缘体 - 金属（MIM）电容器的方法。 在该方法中，在下导体层（100）的上方形成介电层（102,106），在电介质层的上方形成上导体层（104,108）。 然后，本发明在上导体层和电介质层之上形成蚀刻停止层（200），并在蚀刻停止层上形成硬掩模（202）（氧化硅硬掩模，氮化硅硬掩模等）。 接下来，在硬掩模上图案化光致抗蚀剂（300），其允许通过光刻胶蚀刻硬掩模，蚀刻停止层，电介质层和下导体层。