公开(公告)号：JP2008205476A

公开(公告)日：2008-09-04

申请号：JP2008038075

申请日：2008-02-19

Applicant: Internatl Business Mach Corp ,  インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーションInternational Business Maschines Corporation

Inventor： KOESTER STEVEN JOHN ,  AMLAN MAJUMDAR ,  HAENSCH WILFRIED ERNST-AUGUST

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/08 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/66772 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/28026 ,  H01L21/28105 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823864 ,  H01L21/823878 ,  H01L21/84 ,  H01L29/4232 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/4983 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/785

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor structure including a gate electrode having a work function variable in the lateral direction. SOLUTION: The semiconductor structure, such as a CMOS structure, includes the gate electrode having the work function variable in the lateral direction. The gate electrode having the work function variable in the lateral direction can be formed using angle inclined ion implantation or a sequent lamination layer method. The gate electrode having the work function variable in the lateral direction brings improved electrical performance to a field-effect transistor device with a non-doped channel. COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种半导体结构，其包括在横向上具有可变功函数的栅电极。 解决方案：诸如CMOS结构的半导体结构包括在横向上具有可变功函数的栅电极。 具有在横向方向上变化的功函数的栅电极可以使用角度倾斜离子注入或后续叠层法来形成。 具有在横向方向上变化的功函数的栅电极对具有非掺杂沟道的场效应晶体管器件具有改善的电性能。 版权所有（C）2008，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP2013102203A

公开(公告)日：2013-05-23

申请号：JP2013009395

申请日：2013-01-22

Applicant: Internatl Business Mach Corp ,  インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーションInternational Business Machines Corporation

Inventor： KOESTER STEVEN JOHN ,  AMLAN MAJUMDAR ,  HAENSCH WILFRIED ERNST-AUGUST

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/08 ,  H01L27/092 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/66772 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/28026 ,  H01L21/28105 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823864 ,  H01L21/823878 ,  H01L21/84 ,  H01L29/4232 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/4983 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/785

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor structure including a gate electrode having a laterally variable work function.SOLUTION: A semiconductor structure, such as a CMOS structure, includes a gate electrode that has a laterally variable work function. The gate electrode that has the laterally variable work function may be formed using an angled ion implantation method or a sequential layering method. The gate electrode that has the laterally variable work function provides enhanced electrical performance within an undoped channel field effect transistor device.

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种包括具有横向可变功函的栅电极的半导体结构。 解决方案：诸如CMOS结构的半导体结构包括具有横向可变功函数的栅电极。 具有横向可变功函数的栅电极可以使用成角度离子注入法或顺序分层方法形成。 具有横向可变功函数的栅电极在未掺杂的沟道场效应晶体管器件内提供增强的电性能。 版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP2013123066A

公开(公告)日：2013-06-20

申请号：JP2013009396

申请日：2013-01-22

Applicant: Internatl Business Mach Corp ,  インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーションInternational Business Machines Corporation

Inventor： KOESTER STEVEN JOHN ,  AMLAN MAJUMDAR ,  HAENSCH WILFRIED ERNST-AUGUST

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/08 ,  H01L27/092 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/66772 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/28026 ,  H01L21/28105 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823864 ,  H01L21/823878 ,  H01L21/84 ,  H01L29/4232 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/4983 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/785

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor structure including a gate electrode having a laterally variable work function.SOLUTION: A semiconductor structure, such as a CMOS structure, includes a gate electrode that has a laterally variable work function. The gate electrode that has the laterally variable work function may be formed using an angled ion implantation method or a sequential layering method. The gate electrode that has the laterally variable work function provides enhanced electrical performance for an undoped channel field effect transistor device.

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种包括具有横向可变功函的栅电极的半导体结构。 解决方案：诸如CMOS结构的半导体结构包括具有横向可变功函数的栅电极。 具有横向可变功函数的栅电极可以使用成角度离子注入法或顺序分层方法形成。 具有横向可变功函数的栅电极为未掺杂的沟道场效应晶体管器件提供增强的电性能。 版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

公开(公告)号：DE102012207913A1

公开(公告)日：2012-12-13

申请号：DE102012207913

申请日：2012-05-11

Applicant: IBM

Inventor： CHANG JOSEPHINE B ,  HAENSCH WILFRIED ERNST-AUGUST ,  GUILLORN MICHAEL A

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: FinFET-Einheiten und Verfahren zu ihrer Fertigung werden bereitgestellt. In einem Aspekt beinhaltet ein Verfahren zur Fertigung einer FET-Einheit die folgenden Schritte. Ein Wafer, der eine aktive Schicht auf einem Isolator aufweist, wird bereitgestellt. Eine Vielzahl von Finnen-Hartmasken wird auf der aktiven Schicht strukturiert. Ein Dummy-Gate wird über einem mittleren Abschnitt der Finnen-Hartmasken platziert. Ein oder mehrere Dotiermittel werden in Source- und Drain-Bereichen der Einheit implantiert. Eine dielektrische Füllmaterialschicht wird um das Dummy-Gate herum abgeschieden. Das Dummy-Gate wird entfernt, um einen Graben in der dielektrischen Füllmaterialschicht auszubilden. Die Finnen-Hartmasken werden dazu verwendet, eine Vielzahl von Finnen in der aktiven Schicht in dem Graben zu ätzen. Die Dotiermittel werden aktiviert. Ein Ersatzgate wird in dem Graben ausgebildet, wobei der Schritt der Aktivierung der Dotiermittel vor dem Schritt der Ausbildung des Ersatzgate durchgeführt wird.

公开(公告)号：DE102012214559A1

公开(公告)日：2013-05-02

申请号：DE102012214559

申请日：2012-08-16

Applicant: IBM

Inventor： HAENSCH WILFRIED ERNST-AUGUST ,  LIU ZIHONG

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: Es werden Transistoreinheiten mit einer selbstausgerichteten Gate-Elektrodenstruktur auf transparenten Substraten sowie Techniken für deren Herstellung bereitgestellt. Gemäß einem Aspekt beinhaltet ein Verfahren zur Herstellung einer Transistoreinheit die folgenden Schritte. Auf einem transparenten Substrat wird ein Kanalmaterial gebildet. Es werden eine Source- und eine Drain-Elektrode gebildet, die in Kontakt mit dem Kanalmaterial stehen. Auf dem Kanalmaterial wird eine dielektrische Schicht abgeschieden. Ein Fotolack wie auf der dielektrischen Schicht abgeschieden und durch UV-Licht durch das transparente Substrat belichtet. Auf den freiliegenden Teilen der dielektrischen Schicht und den nicht entwickelten Teilen des Fotolacks werden ein oder mehrere Gate-Elektrodenmetalle abgeschieden. Die nicht entwickelten Teile des Fotolacks werden zusammen mit Teilen des Gate-Elektrodenmetalls oberhalb des Source- und des Drain-Bereichs entfernt, um eine Gate-Elektrode der Einheit auf der dielektrischen Schicht oberhalb des Kanalmaterials zu bilden, die in Bezug auf die Source- und die Drain-Elektrode selbstausgerichtet ist.

公开(公告)号：DE102012207913B4

公开(公告)日：2014-05-15

申请号：DE102012207913

申请日：2012-05-11

Applicant: IBM

Inventor： CHANG JOSEPHINE B ,  HAENSCH WILFRIED ERNST-AUGUST ,  GUILLORN MICHAEL A

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: Verfahren zum Fertigen einer Feldeffekttransistor-Einheit, das die folgenden Schritte umfasst: Bereitstellen eines Wafers, der eine aktive Schicht (106) auf einem Isolator (102) aufweist; Strukturieren einer Vielzahl von Finnen-Hartmasken auf der aktiven Schicht; Platzieren eines Dummy-Gate (404; 412) mit einer daraufliegenden Gate-Hartmaske (406; 414) über einem mittleren Abschnitt der Finnen-Hartmasken,; Ausbilden von Abstandschichten (506; 516) auf Seitenwänden des Dummy-Gates und der Gate-Hartmaske, wobei Abschnitte der aktiven Schicht außerhalb des Dummy-Gates und der Abstandschichten als Source- und Drain-Bereiche (502, 504; 512, 514) der Einheit dienen; Implantieren eines oder mehrerer Dotiermittel in die Source- und Drain-Bereiche; Abscheiden einer dielektrischen Füllmaterialschicht (702; 704) um das Dummy-Gate und die Abstandschichten herum; Entfernen des Dummy-Gates, um einen Graben (802; 804) in der dielektrischen Füllmaterialschicht auszubilden, wobei die Finnen-Hartmasken auf der aktiven Schicht in dem Graben vorhanden sind; Verwenden der Finnen-Hartmasken, um eine Vielzahl von Finnen in der aktiven Schicht in dem Graben zu ätzen, wobei die Finnen als Kanalbereich der Einheit dienen; Aktivieren der in den Source- und Drain-Bereichen implantierten Dotiermittel mithilfe von schneller thermischer Temperung; und Ausbilden eines Metall-Ersatzgates (1402; 1404) in dem Graben, wobei der Schritt der Aktivierung der in den Source- und Drain-Bereichen implantierten Dotiermittel vor dem Schritt des Ausbildens des Metall-Ersatzgates in dem Graben durchgeführt wird, wobei das Metall-Ersatzgate ein Metall zum Einstellen der Austrittsarbeit des Metall-Ersatzgates und ein Füllmetall aufweist.

公开(公告)号：DE102012214559A8

公开(公告)日：2013-07-04

申请号：DE102012214559

申请日：2012-08-16

Applicant: IBM

Inventor： HAENSCH WILFRIED ERNST-AUGUST ,  LIU ZIHONG

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

公开(公告)号：GB2496239A

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：GB201215236

申请日：2012-08-28

Applicant: IBM

Inventor： LIU ZIHONG ,  HAENSCH WILFRIED ERNST-AUGUST

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423

Abstract: A method of fabricating a transistor device, in which a channel material 102a is formed on a transparent substrate 202; source and drain electrodes 302 are formed in contact with the channel material; a dielectric layer 402 is deposited on the channel material and a photoresist 502 is deposited on the dielectric layer and developed using UV light exposure 504 through the transparent substrate using the source and drain electrodes as a mask. Developed portions of the photoresist are removed and a gate metal 702 is deposited on exposed portions of the dielectric layer and undeveloped portions 602 of the photoresist above the source and drain electrodes. The undeveloped portions are removed along with portions of the gate metal over the source and drain electrodes using a lift-off process, to form a gate (802, figure 8) of the device over the channel material, which gate is self-aligned to the source and drain electrodes.

公开(公告)号：GB2496239B

公开(公告)日：2016-01-06

申请号：GB201215236

申请日：2012-08-28

Applicant: IBM

Inventor： LIU ZIHONG ,  HAENSCH WILFRIED ERNST-AUGUST

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423

公开(公告)号：DE112012003882T5

公开(公告)日：2014-07-10

申请号：DE112012003882

申请日：2012-10-06

Applicant: IBM

Inventor： GUILLORN MICHAEL A ,  CHANG JOSEPHINE B ,  CHANG LELAND ,  HAENSCH WILFRIED ERNST-AUGUST

IPC: H01L21/82

Abstract: Eine Speicherzelle, eine Gruppe von Speicherzellen und ein Verfahren zur Fertigung einer Speicherzelle mit Multigate-Transistoren wie z. B. vollständig verarmte finFET- oder Nanodraht-Transistoren in eingebettetem DRAM. Die Speicherzelle umfasst einen Grabenkondensator, einen nicht-planaren Transistor und eine selbstjustierende Silicid-Verbindung, die den Grabenkondensator mit dem nicht-planaren Transistor elektrisch verbindet.