公开(公告)号：DE102016107718A1

公开(公告)日：2016-11-10

申请号：DE102016107718

申请日：2016-04-26

Applicant: IBM

Inventor： HEALY MICHAEL ,  HUNTER HILLERY ,  KILMER CHARLES ,  KIM KYU-HYOUN ,  MAULE WARREN

IPC: G06F11/08

Abstract: Ein System zum Verwalten von Speichern und ein Verfahren zum Verwalten von Ausgabedaten, die aus einer Speichereinheit stammen, die Daten und Fehlerkorrektur-Codier-Bits (ECC-Bits) speichert, werden beschrieben. Das System enthält eine Steuereinheit zum Empfangen eines Lesebefehls und Steuern einer Speichereinheit auf der Grundlage des Lesebefehls, wobei die Speichereinheit Rohdaten und Fehlerkorrektur-Codier-Bits (ECC-Bits) speichert und die Rohdaten und die ECC-Bits ausgibt, die Speicheradressen entsprechen, die in dem Lesebefehl spezifiziert sind, und einen ECC-Decodierer zum Ausgeben eines Fehlervektors, der den Speicheradressen zugehörig ist, auf der Grundlage der Rohdaten und der ECC-Bits, die den Speicheradressen entsprechen, die durch die Speichereinheit ausgegeben werden, wobei der Fehlervektor, der den Speicheradressen zugehörig ist, Fehler in der Rohdaten angibt, die den Speicheradressen entsprechen. Das System enthält außerdem einen Multiplexer (MUX) zum Ausgeben des Fehlervektors auf der Grundlage einer Auswahl, die in dem Lesebefehl angegeben ist.

公开(公告)号：DE112020004189T5

公开(公告)日：2022-06-09

申请号：DE112020004189

申请日：2020-10-21

Applicant: IBM

Inventor： SETHURAMAN SARAVANAN ,  TAVVA VENKATA ,  HUNTER HILLERY ,  RAJAMANI KARTHICK ,  SUBRAMANIAN CHITRA

IPC: G11C11/16

Abstract: Ein System und ein Verfahren zum Speichern von Daten, das mindestens eine Speichereinheit mit einer Mehrzahl Speicherzellen zum Speichern von Daten; und mindestens einen Speicher-Controller umfasst, der die Lesestromstärke und die Impulsbreite des Lesestroms verwaltet, der den Speicherzellen zugeführt wird, wobei die mindestens eine Speichereinheit eine Lesestrom-Schaltung hat, die zum Anpassen der Stärke und/oder der Impulsbreite des Lesestroms konfiguriert ist, der den Speicherzellen zugeführt wird. Gemäß einem Beispiel ist die Speicher-Steuerschaltung so konfiguriert, dass sie als Reaktion auf eine Anforderung zum Lesen einer Gruppe von Speicherzellen die Stärke des Lesestroms verringert und/oder die Impulsbreite des Lesestroms vergrößert, der der Gruppe zu lesender Speichereinheiten zugeführt werden soll, wenn festgestellt wurde, dass ein Vergleichs-Temperaturwert einen ersten Schwellenwert überschreitet.