公开(公告)号：GB2503851B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：GB201318741

申请日：2012-05-08

Applicant: IBM ,  KING ABDULAZIZ CITY SCI & TECH

Inventor： KHAYYAT MAHA M ,  CORTES NORMA E SOSA ,  SAENGER KATHERINE L ,  BEDELL STEPHEN W ,  SADANA DEVENDRA K

IPC: H01L21/18 ,  H01L21/30

公开(公告)号：DE112012002305T5

公开(公告)日：2014-03-13

申请号：DE112012002305

申请日：2012-05-08

Applicant: IBM ,  KING ABDULAZIZ CITY SCI & TECH

Inventor： KHAYYAT MAHA M ,  SOSA CORTES NORMA E ,  SAENGER KATHERINE L ,  BEDELL STEPHEN W ,  SADANA DEVENDRA K

IPC: H01L21/30

Abstract: Es wird ein Verfahren bereitgestellt, um (i) eine zusätzliche Steuerung in einen Prozess für ein Spalling von Material einzubringen, um so sowohl die Initiierung von Rissen als auch die Ausbreitung von Rissen zu verbessern, und um (ii) den Bereich von auswahlbaren Spalling-Tiefen zu vergrößern. In einer Ausführungsform beinhaltet das Verfahren ein Bereitstellen einer Stressorschicht auf einer Oberfläche eines Grundsubstrats bei einer ersten Temperatur, welche die Raumtemperatur ist. Als Nächstes wird das Grundsubstrat, das die Stressorschicht beinhaltet, auf eine zweite Temperatur gebracht, die niedriger als Raumtemperatur ist. Das Grundsubstrat wird bei der zweiten Temperatur abgeplatzt, um eine abgeplatzte Materialschicht zu bilden. Danach wird die abgeplatzte Materialschicht auf Raumtemperatur, d. h. die erste Temperatur, zurückgebracht.

公开(公告)号：GB2503851A

公开(公告)日：2014-01-08

申请号：GB201318741

申请日：2012-05-08

Applicant: IBM

Inventor： KHAYYAT MAHA M ,  CORTES NORMA E SOSA ,  SAENGER KATHERINE L ,  BEDELL STEPHEN W ,  SADANA DEVENDRA K

IPC: H01L21/18 ,  H01L21/30

Abstract: Method to (i) introduce additional control into a material spalling process, thus improving both the crack initiation and propagation, and (ii) increase the range of selectable spalling depths are provided. In one embodiment, the method includes providing a stressor layer on a surface of a base substrate at a first temperature which is room temperature. Next, the base substrate including the stressor layer is brought to a second temperature which is less than room temperature. The base substrate is spalled at the second temperature to form a spalled material layer. Thereafter, the spalled material layer is returned to room temperature, i.e., the first temperature.