公开(公告)号：EP2377148A4

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：EP09836605

申请日：2009-11-19

Applicant: IBM ,  FREESCALE SEMICONDUCTOR INC

Inventor： RAMACHANDRAN RAVIKUMAR ,  YAN HONGWEN ,  MOUMEN NAIM ,  SCHAEFFER JAMES KENYON ,  KRISHNAN SIDDARTH A ,  WONG KEITH KWONG HON ,  KWON UNOH ,  BELYANSKY MICHAEL P ,  WISE RICHARD

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/823842 ,  H01L21/823857

公开(公告)号：EP2415073A4

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：EP10759255

申请日：2010-03-29

Applicant: IBM

Inventor： BU HUIMING ,  CHUDZIK MICHAEL P ,  HE WEI ,  JHA RASHMI ,  KIM YOUNG-HEE ,  KRISHNAN SIDDARTH A ,  MO RENEE T ,  MOUMEN NAIM ,  NATZLE WESLEY C

IPC: H01L29/51 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/49

CPC classification number: H01L21/28202 ,  H01L21/28176 ,  H01L21/28185 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：CA2750282A1

公开(公告)日：2010-10-07

申请号：CA2750282

申请日：2010-03-29

Applicant: IBM

Inventor： BU HUIMING ,  CHUDZIK MICHAEL P ,  HE WEI ,  JHA RASHMI ,  KIM YOUNG-HEE ,  KRISHNAN SIDDARTH A ,  MO RENEE T ,  MOUMEN NAIM ,  NATZLE WESLEY C

IPC: H01L21/283 ,  H01L21/285 ,  H01L21/324 ,  H01L29/40 ,  H01L29/43

Abstract: A method of forming a device includes providing a substrate, forming an interfacial layer on the substrate, depositing a high-k dielectric layer on the interfacial layer, depositing an oxygen scavenging layer on the high-k dielectric layer and performing an anneal. A high-k metal gate transistor includes a substrate, an interfacial layer on the substrate, a high-k dielectric layer on the interfacial layer and an oxygen scavenging layer on the high-k dielectric layer.

公开(公告)号：SG174129A1

公开(公告)日：2011-10-28

申请号：SG2011057288

申请日：2010-03-29

Applicant: IBM

Inventor： BU HUIMING ,  CHUDZIK MICHAEL P ,  HE WEI ,  JHA RASHMI ,  KIM YOUNG-HEE ,  KRISHNAN SIDDARTH A ,  MO RENEE T ,  MOUMEN NAIM ,  NATZLE WESLEY C

Abstract: A method of forming a device includes providing a substrate, forming an interfacial layer on the substrate, depositing a high-k dielectric layer on the interfacial layer, depositing an oxygen scavenging layer on the high-k dielectric layer and performing an anneal. A high-k metal gate transistor includes a substrate, an interfacial layer on the substrate, a high-k dielectric layer on the interfacial layer and an oxygen scavenging layer on the high-k dielectric layer.

公开(公告)号：MX2011008338A

公开(公告)日：2011-09-01

申请号：MX2011008338

申请日：2010-03-29

Applicant: IBM

Inventor： BU HUIMING ,  CHUDZIK MICHAEL P ,  HE WEI ,  JHA RASHMI ,  KIM YOUNG-HEE ,  KRISHNAN SIDDARTH A ,  MO RENEE T ,  MOUMEN NAIM ,  NATZLE WESLEY C

IPC: H01L21/336

Abstract: El método para formar un dispositivo incluye proporcionar un sustrato, formar una capa interfacial sobre el sustrato, depositar una capa dieléctrica de k alta sobre la capa interfacial, depositar una capa depuradora de oxígeno sobre la capa dieléctrica de k alta y efectuar un recocido. Un transistor de compuerta de metal de k alta incluye un sustrato, una capa interfacial sobre el sustrato, una capa dieléctrica de k alta sobre la capa interfacial y una capa depuradora de oxígeno sobre la capa dieléctrica de k alta.