公开(公告)号：EP2135250A4

公开(公告)日：2010-04-14

申请号：EP08731980

申请日：2008-03-12

Applicant: IBM

Inventor： LAMOREY MARK C H

IPC: G11C14/00

CPC classification number: G11C14/0081 ,  G11C11/16

公开(公告)号：WO2008112746A2

公开(公告)日：2008-09-18

申请号：PCT/US2008056632

申请日：2008-03-12

Applicant: IBM ,  LAMOREY MARK C H

Inventor： LAMOREY MARK C H

IPC: G11C16/04

CPC classification number: G11C14/0081 ,  G11C11/16

Abstract: A nonvolatile static random access memory (SRAM) device 200 includes a pair of cross-coupled, complementary metal oxide semiconductor (CMOS inverters II, 12 configured as a storage cell for a bit of data and a pair of magnetic spin transfer devices 202a, 202b coupled to opposing sides of the storage cell. The magnetic spin transfer devices 202a, 202b are configured to retain the storage cell data therein following removal of power to the SRAM device 200, and are further configured to initialize the storage cell with the retained data upon application of power to the SRAM device 200.

Abstract translation: 非易失性静态随机存取存储器（SRAM）装置200包括一对交叉耦合的互补金属氧化物半导体（CMOS反相器II，12，被配置为用于数据位的存储单元和一对磁性自旋转移装置202a，202b 耦合到存储单元的相对侧，磁自旋转移装置202a，202b被配置为在去除SRAM装置200的电力之后将存储单元数据保留在其中，并且还被配置为利用保留的数据初始化存储单元 向SRAM器件200施加电力。

公开(公告)号：DE112012000256T5

公开(公告)日：2013-08-29

申请号：DE112012000256

申请日：2012-01-16

Applicant: IBM

Inventor： LACROIX LUKE D ,  OAKLAND STEVEN F ,  PFARR KERRY ,  PATEL JANAK G ,  LAMOREY MARK C H ,  SLOTA PETER ,  STONE DAVID

IPC: G01R31/00

Abstract: Hierin werden Erkennungsschaltungen, Anwendungs- und Herstellungsverfahren und Entwurfsstrukturen bereitgestellt. Die Struktur (25) weist mindestens eine Signalleitung (30) auf, die eine oder mehrere Metallschicht(en) (20) einer integrierten Schaltung durchquert. Mit der mindestens einen Signalleitung ist eine Schaltung (35) verbunden, die strukturiert ist, um ein Signal mit einem bekannten Signalwert (VDD) von der mindestens einen Signalleitung oder ein Signal von einem anderen Potential (GND) zu empfangen und abhängig davon, welches Signal empfangen wird, zu bestimmen, ob ein struktureller Fehler in der integrierten Schaltung vorliegt.

公开(公告)号：GB2501853A

公开(公告)日：2013-11-06

申请号：GB201314831

申请日：2012-01-16

Applicant: IBM

Inventor： LACROIX LUKE D ,  LAMOREY MARK C H ,  OAKLAND STEVEN F ,  PATEL JANAK G ,  PFARR KERRY P ,  SLOTA PETER ,  STONE DAVID B

IPC: G01R31/02 ,  G01R31/28

Abstract: Detection circuits, methods of use and manufacture and design structures are provided herein. The structure (25) includes at least one signal line (30) traversing one or more metal layers (20) of an integrated circuit. Circuitry (35) is coupled to the at least one signal line, which is structured to receive a signal with a known signal value (VDD) from the at least one signal line or a signal from a different potential (GND) and, based on which signal is received; determine whether there is a structural defect in the integrated circuit.